Способ контроля толщины кристаллических двулучепреломляющих пластин

 

Изобретение относится к измерите.чьной технике и предназначено для контроля толщин интерференционно-ноляризаиионных фильтров. Це;1ь изобретения -- новьцнение точности контроля -- достигается путем исключения влияния атмосферы на спектроинтерференционную характеристику ступени Лио. Контролируемую пластину noMCHiaют двумя ноляризатора И, п. юскости поляризации которых устанавливают io;i yi - лом 45 с кристаллооптнь;еско1 осыи пласгины, на 1равляют из, 1учен1 е и регистри|1ук)т спектр пропускания. Разворачивают один из поляризаторов на 90, направляют ii3.-i чение и регистрируют спектр пропч скания, затем вычисляют отклонепл;е тсхицнны от н(,1а по формуле: Al /.ii(..ti /.-2) 2(n(,--iiii) (л- - f.), где Пи, iij -- показате. 1и. 1реломления обыкиовепно1 0 п необыкповеннщ-о лучей для /,(i; /.II -- д,тина iu);nib, па которой должен находиться макснлзум cneKTpoiniTCptjie- ренннонной картины; /, -- б.in ж а Г: HI и и мипимум к заданной д,1ине во, 1ны /., нри нервоначально ориентированных но. 1яр1 заторах: /.2 --- ближайппн ;ини.мум к зад,.анно1 1 д. |ине во, 1ны пос, 1с разворота i-:a 90 i;,юс кости поляризации одного из поляризаторов.

l ((}82(}! !

Изобретение относится к изчсри!Сльной технике и предназначено для ко(! Гроля тол-! цин интерференционно-по IBpttBiill itofll! I фильтров.

Цель изобретения — новыгнсние Toчности контроля, достигается путем исключения влияния искажающих факторов, íа«!..)Имер, атмосферы, на спектроинтсрфсренццонну«о характеристику ступени Лио. гсля осуществления кÎнтроля толщины кристаллической двулучепрелочляющсй !(ластины ее помещают между двумя поляризаторами, плоскости поляризац(ш которых составляют 45 с кристаллооптической Ос>ио пластины (ступень Лио), направля!от излучсние и регистрируют ciieKTp iipoii) CKB III!53 (;iiiной ступени.

Спектральное пропуcêàilис ст и fili Iио описывается формулой

T (i,) = сов (и р), i. ) где и=п 17<)II — — толщина крнсTBлличсской !

«ластин.

В любых случаях регистрации с:!Скгра пропускания на характеристику ступени Il;iкладываются иска)кающис влня)!Ия, например характеристика пропускания атмосфсры и т. д. Искажающие характеристики об)значают как f(i )1, f(j ) и т. д. В рсзу !ьтатс ли( регистриру«от уже не T(i.) =c,)B (. ), где

/.

ll — П вЂ” — Пч, 3 СОВОК> ПIIO(. «Ь ВРсlКТ(РИСTltf(, Т "=-сов () (- ) ° fi (i,) 4(i.) ... ((7 ) и! i;«i<> I" t j.)

Л можно представить как T ().} = Тt j.) I; (i.) Х

;>с,(>(>.)... Причех! функции T" (и Т(>.} нс 73BHhl междч собой KBK В lак<. имчм ах, Г>ih ! на любой другой длине волны, кро<<(с 5(лнн

-301H, где обе функции равны нулк) (В х!Нннмумах спсктрои««терферснцион:!ой картины ..тупени). Однако функция Т li.) нх!ест пу.тевые значения не только на д,-.illiilK волн, оответствующих нулевым значенияч функции T(i ), но и на длинах вол:i, где (I (j .) ><, )(f>(t,) .. тоже равны нулю. Иск.!«очнть Il()ледние из рассмотрен!(я помогает втори I«ая регистрация спектра при по(юротс <),(но!.о ,«ç поляризаторов на 90" Относ!(гель(ю первоначального положения. Те и) ч(!них(мон, соторые не изменили своего с:!Сктральнс>гo .юложения, принадлежат функциям (i.)

;>с, (>((.) ... Их не учитывают в расчетах. T;iзим образом lio оставшимся минимумач мож-«о судить о истинном пропуска:!Ни сl н !ill.

Используемая в способе форчу,!3 ИОГ(у I(ча опытным путем. В основе ес.!сжнт известная формула ((<) I =Kj.r), где (<, порядок «нтерференцни. Приравняв К= — l, 2, Il(IK<)BHизменение толщины пластины ),I нри и 37Ic:и -!

«НН порядка интерференции ii; 0,5: — -. Это есть требуемое измене(ис тол !НИ)а„7

Ны плаСТИНЫ прИ Смен((. НИИ мси(сili .17 ча Спс кгрiiльной KB()BKIcðècтикtt и;! Ве,!ичину, равную (с 2 ш>рядка интерференции. Определяя положение мини..!ума спектральной х3рактсристики до разворота ).! и положение

5 чинимума j. Нослс разворота поляризатора, Ii3Kîдят интервал длин волн ),, j.l+j.>, прихо (я!цийся HB 0,5 IIÎpH,IKii интерференции.

1(нтервал длин волн чежду требуемым полокснисч максичума ).<, и е! о действительным ноложсниеч ),): ) = ().<) >, ), определяет не10 (>бхо,(ичое изчс!!еflHE . порядка интерференции >К. Считая, что Величина изченения порядка 1«н С,)ферс 1IIIHH есть величина по< T0Hll II3H И Н(> За ВИСЯЦ(BH С)Т 3„ I H H hi ВОЛ НЫ, II) 3 Ci

i.i < ) ʫ -,— — 0,5;

i.с К 7

ll fix(),(ят

0,5 (j.„j. )

). >

;-) !.и трсб) смос изчененис порядка ин!е(7)0 фсренции для фиксации максимума на нужной д,!инс ьч>лни. Таким Ооразоч, зная измеllcíH(толп(ины пластины >1„7 = --- при изЛ

2 )3, ч неilitH !орядка ннтерфереfiliHH на 0,5, зная трсбусчос измсненис !юрядка ин ерфереlil,ни, )К, cocT>IBëÿÿ ll(70IIO(71!HN), можно найти треб>усмîc изменение толнlины II BBOTèHû

4K„,7 — 0,5

0 >(>« (K= . - .— ч

4-- i., 0,5(i,„ i. ) j.,(j

2 и«(. .! ). 0,0 2и, (>.

1 сl кит! ОО Разо > 110.1>с I сl к>т

I.rr (i. < i. ) 12(ь,} (. ). )1

Знамен(!тсг!ь Взят Ilo модулю, чтобы псе, 1к)ч НTü В. I и я fl и(. 3 l! 3 кil Kpиста;1;13 Ii В, l и я40 н(и(:iiiBKB разности (i - i., ) iiB знак из)1(>н(lllt5I TO, :I:(ИН1>1 II,!3СТHllhl.

Фор <(ус!1! проверена акспсричснтаг!!.Ио.

I I (), 1 Ü 3 i, ß (. Ü с 10. 0 С; и ((С Т В. I (. Н 3;«О !3 О д к 3 K p H Cг3,lëHH cK!Ik пластин для созданног0 интерфсР(lllIHOIII!0-110,153PH:«BII HOB Hoc0 фильTP3 1 IH

45 геофизически. исследований. Проверка спек-! раг!! Ного I.оложсния максимумов и миниму 1013 после .Н)во IKH кристалли IpcKltx пластин

I I 0 сlЗ I!1133С T I! () 110 2! ОИ фОP ХI Х . 1(7«ож 110 О Гlf)(. ;ДС .(Я ГЬ И:liiICIICIIH53 1 ОЛ lliH Ii . >i КРИСTii.13 ИЧС Ск и х и л 3 с т l l I l

Фо ),1(!(.(а т()орсгвни.((Сil()cоб кон гроля то ill!HHhl к()исталлическ!« .1!«уг(чспрсломля!ощих пластин, заклю1;) IОИIИЙ(Я В ТО)1, (ТО OF)p33), IO 1 СТуilclih, Ii!O

;1, Г(М f) 32 Ч((Ц(Н И5:. ii>1 3Ñ Гlt li >I >(еж т С «ВХ 715«

11<),1Я )IIЗсl ГОРВХIИ, KOTOPhlc " 3IIBB, 1 ИВВЮТ ТВК

> I О I Х l I, 10 C K () (Т И П О. 1 51 Р 11 3 сl I I I! И C () <. Т с(B. 1 H К) Т! -!08209

4) (4) — г.а) )

Л! =— ! 2(пЕ по) (>.а) >,) )(Сост()ватель В Каи),ова

Редактор М. Бааиар Техреа11. Верее Коррiктор \ Твс t

Заказ 3295)40 Тираж 680 11о !ии,иос

ВНИИГ111 Государственного коки итета (Х(Р иа исаич изо<)р) те ill)t и о! ° р),)тии

113035, Москва, Ж --35, Pax tttt:t;»t ii;it>, i. (5

I II)0))3Boлствс ННо-Ilo)играфичес кое ирелириятив, .",) ж горо ). ) . . I lðîåê, и а и. -(угол 45 с криста. Iëoîïòè÷åñêoé осью пластины, облучают ступень, регистрируют ее спектр пропускания и Ilo положению максимумов и минимумов спектроинтерференционной картины для заданных длин волн судят о толщине пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, один из поляризаторов разворачивают на 90, облучают ступень, регистрируют ее спектр пропускания и определяют отклонение Л! тол(цины от номинальной по формуле

Г ДЕ и )), П р — П 0 К а 3 а т СЛ 11 I I P O, 1 0 4 I. 10 f l l l SIO i) 1 1!iновен ного и пеобыкнов ill(010 .1 чей для !.„;

ДЛПНа ЬОЛНЫ, На Кото!)ой Док— жен находиться максимум спсктропнтерфсренцпонной картины; — ближайший м 1нпмум к 311 инной д 1 и и с В О, 1 н ы ), t) 11 p I I п е р В о и а и;1, 1 ьН 0 О р и E. 11T 11 р О В а Н н ы х П 0.1 я р 113 Л т 0р ах;

/.е - блпжайп!ИЙ минимум к Заданной длине волны после разворота па

90 плоскости поляризации о (Н 0 Г 0 113 П О, I Sl (1 113

Способ контроля толщины кристаллических двулучепреломляющих пластин Способ контроля толщины кристаллических двулучепреломляющих пластин Способ контроля толщины кристаллических двулучепреломляющих пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и 1иожет быть использовано для определения разнотолщинности фоторезистивных пленок, нанесенных на отражающие полупроводниковые подложки

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться для контроля толщин оптических покрытий

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в системах контроля качества покрытий

Изобретение относится к технологии нанесения и контроля оптических покрытий на детали

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться для измерения толщин эпоксидных покрытий

Изобретение относится к измерительной технике, к техническим средствам экспресс-контроля количества пролитой нефти, используемым с борта судна, на буйках и с эстакады, и является усовершенствованием известного устройства по авторскому свидетельству № 1010523

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля толщины кристаллических пластин интерференционнополяризационного фильтра в процессе доводки

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения толщины и показателя преломления прозрачных слоев

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного автоматического измерения толщины прозрачных материалов, например листового стекла, в непрерывном производственном процессе

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к оптическим интерферометрам, и может быть использовано для непрерывного бесконтактного измерения геометрической толщины прозрачных и непрозрачных объектов, например листовых материалов (металлопроката, полимерных пленок), деталей сложной формы из мягких материалов, не допускающих контактных измерений (например, поршневых вкладышей для двигателей внутреннего сгорания), эталонных пластин и подложек в оптической и полупроводниковой промышленности и т.д

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщин слоев прозрачных жидкостей и может быть использован для бесконтактного определения толщин слоев прозрачных жидкостей в лакокрасочной, химической и электронной промышленности, а также в физических и химических приборах

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интерференционным способам измерения оптической толщины плоскопараллельных объектов и слоев

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в черной и цветной металлургии для измерения толщины проката в условиях горячего производства без остановки технологического процесса

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины пленок, в частности в устройствах для измерения и контроля толщины пленок фоторезиста, наносимых на вращающуюся полупроводниковую подложку в процессе центрифугирования в операциях фотолитографии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины и измерения разнотолщинности пленок, в частности в устройствах для нанесения фоторезиста в операциях фотолитографии

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщины слоя прозрачной жидкости
Наверх