Способ определения распределения потенциала по поверхности образца, состоящий в том, что образец облучают электронным пучком, регистрируют спектр вторичного излучения и определяют распределение потенциала, отличающийся тем, что с целью обеспечения возможности измерения распределения потенциала в областях с напряженностью электрического поля свыше 104 В/см, облучают заземленный образец пучком электронов с энергией, превышающей энергию возбуждения характеристической линии рентгеновского излучения материала образца, и регистрируют рентгеновское излучение, затем увеличивают энергию пучка, снимают калибровочную зависимость изменения интенсивности рентгеновского излучения от энергии пучка, после приложения к образцу рабочего напряжения направляют на него электронный пучок заданной энергии, перемещают его по поверхности образца и в каждой точке измеряют интенсивность рентгеновского излучения, а разности потенциалов между точками на поверхности находят из калибровочной зависимости по измеренным интенсивностям рентгеновского излучения в этих точках.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушающего контроля полупроводниковых материалов
Изобретение относится к полупроводни(совой технике и .может быть использовано для определения концентрации основной, компенсирующей и сопутствующей примесей и энергии ионизации сопутствующей примеси в полупроводниках
Изобретение относится к способам бесконтактного определения концентрации локальных центров в полупроводниковых материалах путем пропускания электромагнитного излучения через образец
Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров nor лупроводников
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для контроля подвижности неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах, используемых для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения емкости области пространственного заряда и диэлектрика в полупроводниковых структурах
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
