Образец для зондовых измерений удельной проводимости и эдс холла

 

Изобретение касается определения кинетических характеристик твердых тел и может быть использовано для определения качества изтериалов, применяемых в твердотельной электротехнике, при исследовании фундаментальных свойств полупрсводмикоз и полупроводниковых прибоооз. Цель - по5;,шение точности измерений удельной проводимости и ЭДС Холла за счет устранения влияния конечности размеров контактов. В образце для зондовых измерений проводимости и ЭДС Холла потенциальные контакты наносятся на боковые поверхности выступов образца. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАЙЛЕ 83GEPEТ =. г КЯ!

<, AETQ P C KQ M У С Б ИДБТЕЛ Ь С ГВУ (21) 3949992/25 (22} 05.09.85 (46) 15,10.91. Бюл. М2 38 (71) Институт радиотехники и электроники

АН СССР (72) М.А,Байрамов, А f...Веденеев, А,Г.Ждан, А, M. ëo÷êo:çà и И Н, Свешникова (53) 621,382(08г.8) (56) .учис Е.В. Методы исследования эффекта Холл:-, — М. . Со- =т.:кое радио, 1974, с.76—

Заявка Япони. ". 1 55-",7499, хл, rl 01 Е 21/66, 1 . cг1.

""o-ÿ÷-Бруевич В.Л„Калашников С,Г.

Физика по ióпрс оп;,иков, — M,: Наука, 1977,,:.:, 221.

Изобретение относится к метрологии электрафизических характеристик твердых тел и может быть использовано для определения качества материалов, применяемых в твердотельной электронике, при исследовании фундаментальных свойств полупроводников, а также для контроля технологии производства полупроводников и полупроводниковых приборов.

Целью изобретения является повышение точности измерений удельной проводимости и ЭДС Холла за счет устранения влияния конечности размеров контактов, На чертеже показана конфигурация образца, На чертеже обозначены потенциальные, контакты 1 — 4, расположенные на боковых поверхностях выступов образца 5. токовые контакты 6 и 7, длина а и ширина Ь образца, высота if выступов, их ширина s и расстоя,, Ж, 1468325 Al (5:- ;, ОБРАЗЕЦ ДЛЯ ЗОНДОВЫХ ИЗМЕРЕНь." -4 Уп ЕЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТИ И ЭДС

ХСЛ!,А (57) Изобретение касается определения кинети-вских характеристик твердых тел и можст ыть использовано для определения ка-. ства материалов, применяемых в твердотельной электротехнике, при исследовании фундаментальных cSQAGTB полупровод —.-:ков и полупроводниковых прибовов, Пель — г ов: шение точности измерений удельной проводимости и ЭДС Холла за счет устранения влияния конечности размеров контактов. В образце для зондовых измерений проводимости и ЭДС Холла поте,:-циальные контакты наносятся на боковые поверхности выступов образца. 1 ил. ние с между боковыми поверхностями выступов.

Пример. Из кремния Si с концентрацией носителей n = 10 см согласно чер16 -3 тежу вырезают образец, геометрические размеры которого з = 2 мм, а = 10 мм, h = 2 мм, с = 2 мм. Затем образец отмывают в трихлорэтилене, его поверхность освежают под.равливанием в смеси 3:1 азотной и плавиковой кислот. Контакты наносят азидным способом, т.е. берут навеску 2 мг азида серебра и импульсом. электрической энергии инициируют взрывное направленное разложение навески.

Если -,îòåíöèàëüíûå контакты расположены на боковых поверхностях выступов (см. чертеж), то плоскость каждого из потенциальных контактов 1-4 практически перпендикулярна электрическому полю в образце и. следовательно, шунтирование

1468325

Далее на тот же образец наносят контакты согласно прототипу, т,е. на торцы выступов, Измеренная при этом нанесении контактов электропроводность a отличается от ранее полученного результата примерно на 40%. Это отличие оказывается порядка расчетной оценки погрешности д измерения величины U, .Лl гг с+я

Для типичных образцов с параметрами

n = 1015 cv Ç F. = 10 T = 300 I< I 10 5 cv «

«s=5 10 см.

Составитель И,Петрович

Техред M.Mr.«ðãeíòàë Корректор С.Черни

Редактор M.Êóçíåöîâà

Заказ 4593 TI4p8® Подписное

ВНИИПИ Государственного комите а по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113635, Москва, N-35, Рау шская наб., 4/5

Производственно-издатеllbcKNA комби .л "Г1атен.", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 этого поля мало. В данном случае шунтирование электрического поля в образце происходит лишь вблизи контакта, в области пространственного заряда, которая проникает в глубь выступа образца (перпендику- 5 лярно плоскости контакта) на длину I, рассчитываемую по формуле; (,где E- относительная диэлектрическая и роницаемость материала образца, k — постоянная Больцмана;

T — абсолютная температура образца;

n — концентрация носителей заряда в кремнии, q — элементарный заряд, Поскольку по приведенной выше oue.". ке I составляет 10 см, то следовательно,,точность измерений не лимитируется размером с, а определяется точностью вырезания образца и обеспечением параллельности боковых поверхностей выступов и -оставляет 1 .

Использование предлагаемого образца для зондовых измерений удельной проводимости и ЗДС Холла позволяет повысить точность измерений (до 1; ) за счет устранения шунтирующего действия контактов и снизить шумы.

Формула изобретения

Образец для зондовых измерений удельной проводимости и ЗДС Холла. содержащий токовые контакты и расположенные на выступах образца потенциальные контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений за счет устранения влияния конечности размеров контактов, потенциальные контакты разь: ещены на боковых поверхностях вью-упов только со стороны токовых конта,:ов образца,

Образец для зондовых измерений удельной проводимости и эдс холла Образец для зондовых измерений удельной проводимости и эдс холла 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля электрической однородности поверхности полупроводников и диэлектриков

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повьппение достоверности контроля качества проработки линий субмикронной ширины
Изобретение относится к микроскопическим методам измерений и может быть использовано в полупроводниковой микроэлектронике для контроля тонкопленочных структур

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушающего контроля полупроводниковых материалов

Изобретение относится к полупроводни(совой технике и .может быть использовано для определения концентрации основной, компенсирующей и сопутствующей примесей и энергии ионизации сопутствующей примеси в полупроводниках

Изобретение относится к способам бесконтактного определения концентрации локальных центров в полупроводниковых материалах путем пропускания электромагнитного излучения через образец

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров nor лупроводников

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх