Способ определения электрической гетерогенности поверхности полупроводников и диэлектриков
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля электрической однородности поверхности полупроводников и диэлектриков. Цель повышение разрешающей способности, экспрессности и информативности. Над поверхностью образца размещают на фиксированном расстоянии электрод. Образец и электрод помещают в герметичную камеру, в которой изменяют давление. При некотором давлении происходит электрический разряд между заряженным участком образца и электродом. Регистрируют ток разряда и давление, по которым определяют площадь заряженных участков и их заряд. 2 з. п. ф-лы, 2 ил. 2 табл.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля электрической однородности поверхности полупроводников и диэлектриков. Цель изобретения повышение разрешающей способности, экспрессности и информативности. На фиг. 1 и 2 приведены зависимости разрядного тока I и давления Р в герметичной камере от времени откачки 
для двух образцов LiF. П р и м е р 1. Измерение электрической гетерогенности поверхности кристалла LiF, заряженного отрицательной короной в атмосферных условиях. Кристалл размером 1х1х0,5 см (площадь исследуемой поверхности 1 см2) размещали на держателе в герметичной камере. Измерительный электрод (зонд) площадью 1 см2 располагали параллельно поверхности кристалла на расстоянии 1 мм от нее. Затем давление в камере постепенно снижали путем откачки воздуха форвакуумным насосом. В процессе откачки наблюдались электрические разряды пробои промежутка между поверхностями заряженного кристалла и зонда. Регистрацию разрядных токов осуществляли с помощью самописца с постоянной пр=2
10-2 с. Пример записи представлен на фиг. 1. Регистрировали величину давления в камере, при котором в цепи прибора наблюдался ток разряда. Величину пробойного напряжения U1 для каждого давления Р1 определяли по закону Пашена. Затем по формулам Si= 
; Qi=Ipi пр, где Qi заряд участка поверхности площадью Si; Ui разность потенциалов между поверхностью образца и электродом; пр постоянная времени регистрирующего прибора; d расстояние между поверхностями образца и электрода; Ео электрическая постоянная; Е диэлектрическая проницаемость воздуха; Ipi ток разряда. производят расчет Si, Qi, Результаты расчетов приведены в табл. 1. Из приведенных в таблице результатов следует, что даже при специальном униполярном заряжении поверхность кристалла LiF оказывается заряженной неоднородно, что отражает существующую физическую гетерогенность поверхности. П р и м е р 2. Измерение электрической гетерогенности поверхности свежего скола монокристалла LiF, приобретающего электрический заряд в момент прохождения трещины при сколе. Исследовали образцы LiF, расколотые по плоскости (100) в атмосферных условиях. Последовательность операций такая же, как в примере 1. Запись токов разряда приведена на фиг. 2. Результаты расчетов представлены в табл. 2. Из табл. 2 и фиг. 2 видно, что заряд отдельных участков свежего скола монокристалла LiF не только отличается по абсолютной величине, но и по знаку.
Формула изобретения
1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОГЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, основанный на размещении электрода на расстояние d над заряженной поверхностью образца и измерении параметров электрического разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, экспрессности и информативности, используют плоский электрод, имеющий площадь, равную или больше площади образца, помещают образец и электрод в герметичную камеру, в которой изменяют давление до появления разряда между образцом и электродом, регистрируют давление, токи разряда и их направление, определяют напряжение между электродом и образцом, по полученным значениям вычисляют заряд и площадь заряженных участков поверхности, по которой судят об электрической гетерогенности поверхности. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление в герметичной камере увеличивают, если образец был заряжен в вакууме. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление в герметичной камере уменьшают, если образец был заряжен при атмосферном давлении.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4
