Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является упрощение формирователя. Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти содержит блок коммутации питания в виде полумостовой схемы, выход которой подключен к одним выводам катушек индуктивности возбуждения управляющего магнитного поля в доменных микросборках, другие выводы катушек индуктивности подключены к коммутаторам выбора катушки индуктивности, каждый из которых содержит четрые ключевых элемента в виде диодов и ключевой элемент в виде транзистора, база которого является входом управления формирователя тока. Формирователь позволяет сократить до двух число дорогих высокочастотных транзисторов для коммутации питающего напряжения. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) А1 (51)5 G 11 С 11 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К A ВТОРСНОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

6 (ц ъ чу

В 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4392767/24-24 (22) 16.03.88 (46) 15.01.90. Вюл. Р 2 (71) Московский энергетический институт (72) Г.Е.Аникеев и Е,Ю.Коростелева (53) 681.327.66(088.8) (56) Заявка Японии Й 60-32909, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1985.

Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах. Справочник, М.: Радио и связь, 1987, с. 351. (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ТОКА КАТУШЕК ИНДУКТИВНОСТИ ДЛЯ ДОМЕННОЙ ПАМЯТИ (57) Изобретси) е относится к вычисли" тельной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Цель изобретения — упрощение

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) °

Цель изобретения — упрощение формирователя.

На фиг. 1 изображена принципиальная схема формирователя тока катушек индуктивности для доменной памяти; на фиг. 2 — временные диаграммы его работы.

Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти содержит блок коммутации питания в виде полумостовой схемы 1, выход которой подключен к одним выводам катушек 2 ин дуктивности возбуждения управляющего

2 формирователя. Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти содержит блок коммутации питания в виде полумостовой схемы, выход которой подключен к одним выводам катушек индуктивности возбуждения управляющего магнитного поля в доменных микросборках, другие выводы катушек индуктивности подключены к коммутаторам выбора катушки индуктивности, каждый из которых содержит четыре ключевых элемента в виде диодов и ключевой элемент в виде транзистора, база которого является входом управления формирователя тока. Формирователь гозволяет сократить до двух чис- g ло дорогих высокочастотных транзисторов для коммутации питающего напряжения. 2 ил.

С: магнитного поля в доменных микросборках 3, другие выводы катушек 2 подключены к коммутаторам 4 выбора катушки индуктивности, каждый иэ которых содержит четыре ключевых элемента в виде диодов 5 — 3, и ключевой элемент в виде транзистора 9, база которого является входом 10 управления формирователя тока.

Формирователь тока работает следующим образом.

На управляющие входы полумостовой схемы 1 постоянно подаются управляющие тактовые сигналы 11, и (фиг. 2) . До тех пор, пока ни один иэ транзисторов 4 выбора катушки не открыт, токи в катушках не протекают.

153б439

При подаче на вход 10 управления ком мутатором сигнала выбора U„в катушке, подключенной к данному коммутато- ру, начинает протекать переменный ток. В такте A открыт транзистор VTl полумостовой схемы 1. Ток катушки I

Протекает через VT1, катушку 2, диод 5, транзистор 9 и диод 7. В такте

В транзистор VTl закрывается, а спадающий ток Т. протекает по диоду VD2 полумостовой схемы 1, катушке 2, диоду 5, транзистору 6 и диоду 7. В такте С открывается транзистор VT2.

:В такте D транзистор VT2 закрывается, а спадающий ток I индуктивности катушки 2 переключается с ЧТ2 на VD1 Для остановки формирования треугольного тока необходимо в момент, когда ток I положительной полуволны спадает до нуля, снять с входа

10 сигнал выбора U Транзистор 9 закроется и ток в данной катушке 2 прекратится. Иожно испольэовать и другие варианты полумостовой схемы отличные от изображенной на фиг. 1,,При этом полумостовая схема должна ,последовательно попеременно подключать вывод катушки 2 то к положительному, то к отрицательному источнику питания.

Таким образом, предлагаемый формирователь позволяет сократить до двух число дорогих высокочастотных транзисторов для коммутации питающего напряжения, 5

Формула из обретения

Формирователь тока катушек индук" тивности для доменной памяти, содержащий блок коммутации питания в виде полумостовой схемы, выход которой подключен к одним выводам катушек индуктивности, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения формирователя, он содержит коммутаторы выбора катушки индуктивности по числу катушек индуктивности, каждый ком" мутатор выбора катушки индуктивности содержит четыре ключевых элемента в виде диодов, включенных по мостовой схеме, и ключевой элемент в виде транзистора, причем анод первого и катод второго диодов соединены с другим выводом соответствующей катушки индуктивности, катод третьего и анод четвертого диодов подключены к шине нулевого потенциала, аноды второго и третьего диодов соединены с эмиттером транзистора, катоды первого и четвертого диодов соединены с коллек" тором транзистора, а база транзистора является входом управления формирователя тока.

1536439

В С Э l 8 С Э

Такеы

Составитель Ю,Розенталь

Редактор И,Петрова Техред И. Ходанич

Корректор В.Гирияк

Заказ 112 Тирах 474 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ухгород, ул. Гагарина, 101

Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании устройств хранения информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении устройств запоминания и обработки радиосигналов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании устройств хранения и переработки информации на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД ЗУ/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВМ и др

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для ассоциативного поиска информации в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) и вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх