Керамический материал

 

Изобретение относится к керамическим диэлектрическим материалам и может быть использовано в радиотехнике, преимущественно в качестве высокочастотного термостабильного конденсаторного материала. Для снижения температуры спекания керамический материал содержит в качестве добавки BI<SB POS="POST">3</SB>TINBO<SB POS="POST">9</SB> при следующем соотношении компонентов, мас.%: LA<SB POS="POST">2</SB>TI<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">7</SB> 96,9 - 99,3 и BI<SB POS="POST">3</SB>TINBO<SB POS="POST">9</SB> 0,7 - 3,1. Полученный по обычной керамической технологии материал имеет следующие характеристики: температура спекания 1220 - 1260°С

плотность (6,2 - 6,6)<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">-3</SP> кг/м<SP POS="POST">3</SP>

диэлектрическая проницаемость при 25°С 60 - 80

тангенс угла диэлектрических потерь при 25°С 20<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">-4</SP>

температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в температурном интервале 25...200°С (109 - 270)<SP POS="POST">.</SP>С10<SP POS="POST">-6</SP> град <SP POS="POST">-1</SP>

температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в температурном интервале 200...600°С (48,9 - 149)<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">-6</SP> град <SP POS="POST">-1</SP>. 2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19> 011 (51)5 С 04 В 35/50, 35/46

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4386205/31-33 (22) 02.03.88 (46) 30,01.90, Бюл. Р 4 (71) Рижский политехнический институт им. А.Я.Пельше (72) Т.К.Кутузова, И.В.Аболтиня, Э.Ж.Фрейденфельд и Э.А.Иокста (53) 666.638(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

И - 413535, кл. H 01 G 3/09, опублик.

1974.

Заявка Японии 11 60-20852, кл, Н 01 В 3/12, опублик. 1985. (54) КЕРАМИЧЕСКИЙ ДИЭЛЕКТРИК (57) Изобретение относится к керами- ческим диэлектрическим материалам и может быть использовано в радиотехнике, преимущественно в качестве высокочастотного термостабильного

Изобретение относится к диэлектрическим материалам и может быть использовано в радиоэлектронике преимущественно в качестве высокочастотного термостабильного конденсаторного материала.

Цель изобретения — снижение температуры спекания материала.

Керамику на основе титаната лантана с добавкой ниобата титаната висмута получают из оксидов лантана, висмута, титана (все марки ч.д.а.) и пятиокиси ниобия марки РЭТУ-48-4273-73.

Составные части (Là Т. 0 ., и

В1 Т1ИЪО ) синтезируют отдельно.

Смешивание и измельчение компонентов

2 конденсаторного материала. Для снижения температуры спекания керами-: ческий материал содержит в качестве добавки Ri>TiNbO при следующем соотношении компонентов, мас.Е:

La Ti 0 „ 96,9-99,3 и BigTiNb0 з 0,73,1. Полученный по обычной керамической технологии материал имеет следующие характеристики. температура спекания 1220-1260 С; плотность(6,2-6,6).10 кг/м", диэлектрическая проницаемость при 250С 60-80; тангенс угла диэлектрических потерь при

25 С 20 10 ; температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в температурном интервале 25-200 С (109 †2).10 град- ; температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в температурном. интервале 200600 С (48,9-149) 10 град- . 2 табл. осуществляют в яшмовом барабане в среде изопропилового спирта (СЗН О) марки х.ч. в течение 24 ч, затем порошок брикетируют. Синтез La Ti O и

Bi TiNbOg проводят при 900 и 850 С з соответственно, а совместный синтез при 1000 С в течение 4 ч. Для спекания образцы прессуют (Ф =0,012 м) под давлением 1000 кгс/см з. В каI честве связки используют 5Х-ный водный раствор поливинилового спирта.

Спекание керамических материалов проводят при 1220-2260 С 1 ч. На сошлифованные диски наносят платиновую пасту и вжигают при 750 С, получая термостабильные электроды толщиной

1 мк °

1539189 бавку, о т л и ч à ю шийся тем, что, с целью снижения температуры снекания, он содержит в качестве добавки Bi> Ti_#_b0> при следуюшем их соотношении, мас .%:

Еа Т1. 0 > 96,9-99,3

Pi TiNb0g 0,7-3,1

Таблица 1

Химический состав материала и прототипа приведен в табл. 1, свойства— в табл. 2.

Формула изобретения

Керамический диэлектрик, включающий LaqTi 0 и висмутсодержащую доСодержание, мас,%

Состав

Еа Т1 0 В1зТдЧЬ0з

3,1

0,7

1,2

1,9

96,9 о9 3

98,8

98,1

Таблица 2

1 1

Состав

2 ) 3 (Свойства

1 4 Прототип

Оптимальная температура спекания, С 1220

Плотность, у ° 10, кг/м 6,6

Диэлектрическая проницаемость при 25 С при 200 С при 600 С

Тангенс угла диэлектрических потерь, tg 10 при 25 С 20 при 600 С 160

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости, ТК Е 10 град в интервале температур, С

25-200

1 260 1240 1230 1 300-1450

6,2 6,4 6,3

80 60 70 75 29-76

84 67 73 79

130 80 !10 125

20 20 20 0,4-6,2

150 150 150

109 211 250 10-128 в темп.инт.

30-85 С

270

200-600

1490 489 1267 1456

Составитель Л,Косяченко

Редактор Т.Лазоренко Техред М.Ходанпч Корректор Э.Лончакова

Заказ 191 Тираж 567 Подписное

ВНИ11ПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Проиэнол твенно-издательский комбинат "Патент", r.Óæroðîä, ул. Гагарина,101