Способ исследования образца с трещиной из высоколегированной стали

 

Изобретение относится к металлургии, в частности к методам анализа за состоянием вещества и материалов, к методам материаловедческих исследований конструкций и образцов после разрушения последних, и может быть использовано для определения температуры той зоны конструкции, в которой в момент разрушения распространялась магистральная трещина. Целью изобретения является расширение возможности способа за счет определения температуры разрушения в момент развития трещины. Из зоны вершины трещины вырезают образец и изготовляют шлиф. Затем с помощью рентгеновского микроанализатора получают распределение концентраций марганца и кремния по оси трещины в направлении от ее вершины. Измеряют расстояние между первыми пиками концентраций марганца и кремния и по ранее полученной зависимости температуры от расстояния определяют требуемую температуру. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (gI)g 0 01 N 23/225

1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ П(НТ СССР

Н АBTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4486120/23-02 (22) 23.09,88 (46) 23.05 ° 90. Бюл. 1с 19 (72) И.А.Тутнов, С.В.Кущук и А,А.Тутнов (53) 6?0.171.32 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1394113, кл. G 01 К 23/225, 26,2.87. (54) СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБРАЗЦА С

ТРЕЩИНОЙ ИЗ. ВЫСОКОЛЕГИРОВАННО11 СТАЛИ (57) Изобретение относится к металлургии, в частности к методам анализа эа состоянием вещества и материалов, к методам материаловедческих исследований конструкций и образцов после разрушения последних, может быть использовано для определения

Изобретение относится к металлургии, в частности к методам анализа. за состоянием вещества и материалов, к ме тодам матер иаловедч еских исследований конструкций и образцов после разрушения последних, и может быть использовано для определения температуры тои эоны конструкции В кото рой в момент разрушения распространялась магистральная трещина.

Цель изобретения — расширение возможностей способа эа счет определения температуры разрушения в момент развития трещины, На фиг.l изображена схема линии рентгеновского микроанализа образца; на фиг. 2 — график распределения Мп и Hi на фиг. 3 — график зависимос„„SU„„1566273 А 1

2 температуры той зоны конструкции, в которой в момент разрушения распространялась магистральная трещина, Целью изобретения является расширение воэможности способа эа счет определения температуры разрушения в момент развития трещины, Иэ зоны вершины трещины вырезают обрлэец и изготовляют шлиф. Затем с помощью рентгеновского микроанализатора получают распределение концентраций марганца и кремния и: ".cè трещины в направлении от ее вершины, 1!змеряют расстояние между первыми пиками концентраций марглнцл и кремния и по ранее полученной э лыисимости темгip ратуры от расстояния определяют требуемую температуру, 3 ил, ти температуры от величины расстояния между первыми пиклми ohðàçöÿ.

Пример. Определяют температуру разрушения трубы диаметром

42 мм и толщиной стенки d

= 0,35 мм из нержавеющей стали

ОХ16Н15МЗБ, Для этого иэ зоны вершины трещины с помощью электроискрового станка вырезают образец с размерами по площади Зх3 мм. Затем по обычной технологии иэ него приго тавливают шлиф, После того, как шли приготовлен, его помещают в колонну ре нтгено вского микрол нализ а тора. Схема линии аналиэл предстлвлена на фиг. ) . По оси распрос трлнения трещины от ее вершины определяют концентрационное распределенно Мп и Si, 1566273 строят это распределение графически, как показано на фиг.2, и определяют расстояние между первыми пиками на этих графиках (это расстояние показано обрезком АВ на фиг,2), о

1 (7ЧМ) Составитель N.1t1åëàãóðîâ

Техред М.Дидык Корректор С,Иевкун

Редактор С,Патрушева

Заказ 1218

Тираж 494

Подпи с Hop

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Затем, используя ранее полученную зависимость (фиг,3 ) темп ературы t, о от величины расстояния между первыми пиками (барь ер ами задержки легирующих элементов в зоне пластичности), на концентрационных кривых марганца и кремния фиксируют температуру разрушения стали в момент развития трещины, Зависимость, представленная на фиг,3, получена в результате статистической обработки данных по величинам расстояния между первыми пиками на концентрационных кривых марганца ,и кремния, зафиксированных рентгеновс ким микроаналиэатором САМЕВАХ" при исследовании образцов из стали марки

ОХ16Н15 МЗБ, подвергнутых разрушению при разных температурах, Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Способ исследования образца с трещиной из высоколегированной стали, включающий изготовление шпифа в зоне вершины трещины и определение концентрации легирующих элементов, отличающийся тем, что, с целью расширения возможности способа за счет определения температуры разрушения в момент развития трещины, определяют концентрацию кремния и марганца в направлении оси трещины от ее вершины и строят график их концентрационных зависимостей, измеряют расстояние между первыми пиками на графике, а температуру разрушения определяют путем сравнения полученного расстояния с ранее определенной эталонной зависимостью температуры от расстояния между пиками °

Способ исследования образца с трещиной из высоколегированной стали Способ исследования образца с трещиной из высоколегированной стали 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной микроскопии, в частности к технике препаривания и приготовления образцов мелкодисперсных частиц

Изобретение относится к электронной микроскопии и может быть использовано для формирования тестового изображения в растровом электронном микроскопе

Изобретение относится к рентгеновскому анализу состава вещества, особенно к микроанализу с возбуждением рентгеновского излучения определяемых элементов пучком ионов

Изобретение относится к устройствам для элементного и химического анализа состава твердых тел, в частности к ионным микрозондовым анализаторам, применяемым для измерения концентрационных профилей распределения примесей по глубине анализируемых образцов, а также для получения на экране электронно-лучевой трубки картины распределения различных элементов по поверхности образца

Изобретение относится к рентгеноспектральному анализу, особенно к определению среднего диаметра микровключения в плоскости шлифа

Изобретение относится к технике приготовления образцов тонких пленок для электронно-микроскопических исследований, в частности пленок, напыленных на кремниевую подложку

Изобретение относится к технике препарирования образцов для электронной микроскопии и может быть использовано при исследованиях тонкой структуры металлов и сплавов

Изобретение относится к области физико-химического анализа состава поверхности твердых тел методами вторичной ионной и электронной эмиссии

Изобретение относится к электронной и ионной микроскопии

Изобретение относится к области электронной спектроскопии, а именно к способам исследования физических и химических свойств поверхности вещества при помощи вторично-электронных методов, и может быть использовано в электронной промышленности и научно-исследовательской практике

Изобретение относится к области исследований и анализа материалов путем определения их физических свойств, а именно для исследования параметров каналов нанометрических размеров в трековых мембранах, и может быть использовано при изготовлении объектов из трековых мембран для анализа с помощью просвечивающей электронной микроскопии

Изобретение относится к области инструментального химического анализа, в частности к области аналитической химии

Изобретение относится к физическим методам анализа состава и структуры вещества, а именно к применению метода вторично-ионной масс-спектрометрии для анализа структурно-энергетического состояния поверхностного слоя вещества, и может быть использовано в структурообразовании и повышении износостойкости новых материалов при изготовлении деталей ответственного назначения

Изобретение относится к области формирования в цифровом виде трехмерного изображения реального физического объекта, а именно к формированию топографического изображения объекта, исследуемого методами сканирующей микроскопии

Изобретение относится к области электронного приборостроения, а более конкретно - к конструкции детекторов электронов, и может найти преимущественное использование в электронных микроскопах

Изобретение относится к области исследования методом просвечивающей электронной микроскопии порошковых материалов, в частности к способу изготовления образца из порошковых материалов для исследований тонкой структуры и фазового состава

Изобретение относится к технологии приготовления тест-объектов в виде штриховой меры с дифракционных решеток (ДР) и может быть использовано для градуировки увеличения электронных микроскопов

Изобретение относится к инструментальному анализу материалов и может быть использовано для дефектоскопии поверхностей полимерных неорганических, металлических материалов
Наверх