Устройство для контроля полупроводниковых приборов

 

Изобретение относится к устройствам контроля полупроводниковых приборов - диодов и биполярных транзисторов. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей за счет возможности определения исправности биполярного транзистора и его типа проводимости при использовании генератора любой скважности. Устройство содержит генератор импульсов с парафазными выходами, первый, второй и третий щупы, первый, второй и третий элементы индикации, первый и второй диодные мосты, при этом первая диагональ первого и второго диодных мостов подключена между вторым выходом генератора и соответственно вторым и третьим щупами, а вторая диагональ первого и второго диодных мостов подключена между первым и вторым выводами соответственно второго и третьего элементов индикации, первый выход генератора соединен с первым щупом, а первый элемент индикации включен между вторым выходом генератора и земляной шиной. При подключении испытуемого транзистора базой к первому щупу, а коллектором и эмиттером ко второму и третьему щупам по комбинации состояния трех элементов индикации осуществляется контроль исправности и типа проводимости биполярного транзистора. При контроле диода последний включается между первым и вторым или третьим щупами. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 6 01 R 31/26

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

«1 ьа«

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ IO,1 (61) 1213443 (21) 3919490/24-63 (22) 30.05.85 (46) 07.12.90. Бюл. ¹ 45 (75) В.И. Турченков (53) 621.382.2 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N -1213443, кл. 6 01 R 31/26, 1983. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ (57) Изобретение относится к устройствам контроля полупроводниковых приборов— диодов и биполярных транзисторов. Целью изобретения является расширение функци° ональных воэможностей за счет возможности определения исправности биполярного транзистора и его типа проводимости при использовании генератора любой скважности. Устройство содержит генератор импульсов с парафазными выходами, первый, второй и третий щупы, первый, второй и

Изобретение относится к устройствам контроля полупроводниковых приборов, в частности диодов и биполярных транзисторов., и является усовершенствованием изобретения по основному авт.св. ¹ 1213443.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей за счет возможности определения исправности биполярного транзистора и его типа проводимости при использовании генератора любой скважности.

На чертеже приведена функциональная схема устройства контроля полупроводниковых приборов.

Устройство контроля полупроводниковых приборов содержит первый, второй и третий щупы 1-3, генератор 4 импульсов с

„„SU „„ 6L222266ßÀ2 третий элементы индикации, первый и второй диодные мосты, при этом первая диагональ первого и второго диодных мостов подключена между вторым выходом генератора и соответственно вторым и третьим щупами. а вторая диагональ первого и второго диодных мостов подключена между первым и вторым выводами соответственно второго и третьего элементов индикации, первый выход генератора соединен с первым щупом, а первый элемент индикации включен между вторым выходом генератора и земляной шиной. При подключении испытуемого транзистора базой к первому щупу, а коллектором и эмиттером ко второму и третьему щупам по комбинации состояния трех элементов индикации осуществляется контроль исправности и типа проводимости биполярноготранзистора. При контроледиода последний включается между первым и вторым или третьим щупами. 1 ил. парафазными выходами, элементы 5.1, 5.2, 5.3 индикации из последовательно включенных резисторов и светодиода, первый и второй диодные мосты 6 и 7, при этом диагональ диодных мостов 6 и 7 подключена между вторым выходом генератора 4 и соответственно щупами 2 и 3, а во вторую диагональ мостов 6 и 7 включены элементы 5.2 и

5.3 индикации, первый выход генератора 4 соединен с щупом 1, а между вторым выходом генератора 4 и земляной шиной включен элемент 5.1 индикации.

Устройство работает следующим образом.

На первом и втором выходах генерато.ра 4 формируются импульсные последовательности в противофазе с уровнями, 1612268 (Е::::(J ХР -(Составитель В.Дворников

Техред ММоргентал

Корректор А.Обручар

Редактор С.Патрушева

Заказ 3829 Тираж 560 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 соответствующими нулевому напряжени о, и например, положительному напряжению

Е, При проведении контроля бипалярнога транзистора последний своими тремя выво,дами подключается к щупам 1-3. При этом база транзистора подключается к щупу 1, а коллектор и эмиттер соответственно, на пример, к щупам 2 и 3 или наоборот.

При контроле транзистора типа р-п-р, в моменты времени, когда на втором выходе генератора 4 присутствует напряжение, равное+ Е,а на первом выходе — нулю, горят, все три элемента 5,1, 5.2, 5.3 индикации. В режиме, когда на втором выходе генератора

4 присутствует напряжение, равное нулю, а ,на первом выходе — равное +Е, то все три элемента 5,1, 5.2, 5,3 индикации не горят.

При контроле транзистора типа и-р-и в ,моменты времени, когда на втором выходе генератора 4 присутствует напряжение,,равное+Т, а на первом выходе — нулю, горит .только первый элемент 5.1 индикации. В противофазном состоянии генератора 4, на оборот, горят второй и третий элементы 5,2 и 5.3 индикации, а первый не горит.

В случае наличия короткого замыкания или обрыва в цепи база-эмиттер или база:коллектор испытуемого транзистора эле,,менты 5.2 и 5.3 индикации диодных мостов ,,6 и 7 в неисправной цепи вместо режима периодического мигания с частотой следо,вания импульсов генератора 4, свойствен ного исправному транзистору, находятся, соответственно в состоянии непрерывного, горения или негорения.

При проведении контроля диода последний своими двумя выводами подключается к щупам и 2 или щупам 1 и 3. Если испытуемый диод подключен к щупу 1, то

5 первый 5.1 и второй 5,2 или третий 5.3 элементы индикации горят в фазе, а при обратном включении диода — в противофазе.

При наличии в контролируемом диоде неисправности — короткое замыкание или

10 обрыв — элементы 5.2 и 5.3 индикации ди днага моста 6 и 7 находятся в состоянии соответственно непрерывного горения или негорения.

Таким образом, технико-экономические

15 преимущества изобретения выявляются эа счет расширения области применения устройства для выполнения им контроля биполярных транзисторов и диодов при использовании генератора любой скважно-

20 сти.

Формула изобретения

Устройство для контроля полупроводниковых приборов по авт,св. М 1213443, от25 л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения функциональных воэможностей путем обеспечения ваэмо>кности определения исправности биполярного транзистора и его типа проводимости, при использовании

30 генератора любой скважности, введены второй диодный мост с индикаторным элементом в диагонали, подключенный между выходом генератора и дополнительным щупом, и цепь, состоящая из последовательно

35 включенных светодиода и резистора, подключенная между выходами генератора.

Устройство для контроля полупроводниковых приборов Устройство для контроля полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при неразрушающем контроле качества и надежности электронных компонентов

Изобретение относится к метрологии многоэлементных фотоприемников (МФП) и может быть использовано для измерения коэффициента фотоэлектрической связи между чувствительными элементами МФП

Изобретение относится к способам измерения электрических параметров электрически репрограммируемых запоминающих устройств на основе структуры проводник - нитрид кремния - оксид кремния - полупроводник и может быть использовано для контроля напряжения программирования на этапах разработки и серийного производства

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения режима теплового пробоя полупроводниковых приборов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при контроле полупроводниковых диодов

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для определения ширины коллектора высоковольтного транзистора

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения типа проводимости и исправности транзисторов

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для опред

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для испытания изделий электронной техники

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх