Устройство для контроля транзистора с инверсным коэффициентом усиления более 1

 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения типа проводимости и исправности транзисторов. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей - достигается путем выявления неисправных транзисторов. Устройство содержит клеммы 1, 2, 3 для подключения транзисторов, генератор 4 разнополярных импульсов, логический блок 5, резисторы 6 и 7, определитель 8 разности напряжений и индикатор 10. Устройство анализирует разность напряжений на клеммах 1, 2, 3 неисправного транзистора, находящегося в режиме насыщения. 3 ил.

СОаз СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) (51)5 G 01 R 31/26

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

: (21) 4320065/24-21 (22) 05,10.87 (46) 07.04,90, Бюл, ¹ 13 (75) В,И,Турченков (53) 62).382.2(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № )461187, кл. G 01 R 31/26, 15.05.86. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТРАНЗИСТОРА С ИНВЕРСНЫМ КОЭФФИЩ)ЕНТОМ

УСИЛЕНИЯ БОЛЕЕ 1 (57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть ис=

2 пользовано для определения типа проводимости и исправности транзисторов, Цель изобретения - расширение функ-. циональных возможностей - достигается путем выявления неисправных транзисторов, Устройство содержит клеммы

1, 2, 3 для подключения транзисторов, генератор 4 разнополярных импульсов, логический блок 5, регисторы 6 и 7, определитель 8 разности напряжений и индикатор 10, Устройство анализирует разность напряжений на клеммах 1, 2, 3 неисправного транзистора, находят щегося в режиме насыщения, 3 ил.!

555692

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для определения типа проводимости и исправности транзисторов.

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей устройства за счет выявления неисправ" ных транзисторов, 10

На фиг,1 изображена блок-схема устройства; на фиг,2 и 3 - схемы определителя разности напряжений и логического блока.

Устройство для контроля транзис- !5 тора содержит клеммы 1-3 для подключения выводов контролируемого транзистора, генератор 4 разнополярных импульсов, логический блок 5, резисторы 6 и 7, определитель 8 разности 20 напряжений, ключ 9 и индикатор 10, причем клеммы 1-3 соединены соответ-. ственно с первым, вторым и третьим входами определителя 8 разности напряжений, первый выход которого со- 25 единен с управляющим входом ключа 9, вход ключа 9 соединен с вторым выходом определителя 8 разности напряжений, третий выход которого соединен с первым входом логического блока 5, 30 выход ключа 9 соединен с вторым входом индикатора 10, первый вход которого соединен с выходом логического блока 5, выход генератора 4 разнололярных импульсов соединен с клеммой

1 для подключения вывода проверяемого транзистора и с вторым входом логического блока 5, клеммы 2 и 3 для подключения выводов проверяемого транзистора через резисторы б и. 7 соответственно 40 соединены с общей шиной, Кроме .того, обозначены выходы 11-13 определителя 8 разности напряжений соответственно третий, второй и первый, 45

Устройство работает следующим образом, Проверяемый транзистор подключается к клеммам 1-3 произвольным образом и на него подается последователь" ность разнополярных импульсов. Резисторы 6 и 7 имеют одинаковые номиналы и при инверсном коэффициенте усиления большем 1 исправный транзистор входит в насьпцение при любом подключении к клеммам 1-3.

Контроль неисправHocти транзистора типа короткое замыкание основан на том, что при отсутствии короткого замыкания между выводами транзистора имеется напряжение равное, как минимум, величине напряжения между кол= лектором и эмиттером насьпценного транзистора, которое составляет более 10 мВ, Напряжение между выводами транзистора сравнивается в определителе 8 разности напряжений с указанной величиной напряжения (!О мВ) и в том случае, если величина напряжения между каждой парой электродов более

10 мВ, то на первом выходе 13 определителя 8 разности напряжений формируется напряжение, соответствующее логическому "0". В противном случае напряжение на выходе 13.соответствует логической "1".

В зависимости от категорий проверяемых транзисторов величина порога

10 мВ может быть как уменьшена, так и увеличена, Контроль неисправности типа "Обрыв основан на том, что при обрыве любого из электродов напряжение между этими. электродами и другими выводами больше падения напряжения на ба" зовом переходе, Определяя максимально возможную величину падения напряжения на базовом переходе, получают максимальную уставку 1,3 В, Определитель 8 разности напряжений сравнивает напряжение между каждой парой клемм 1-3 с уровнем максимальной уставки 1,3 В и, если все напряжения менее 1,3 В, то определитель 8 разности напряжений формирует на своем выходе 12 напряжение логической "1", а, если хотя бы одно из напряжений более 1,3 В, то на выходе 12 формируются напряжения логического "0".

Напряжение с выходов 13 и 12 определителя 8 разности напряжений подаются на входы ключа 9, на выходе которого формируется напряжение положительной полярности только в том случае, если на выходе 13 напряжения нет, а на выходе 12 есть напряжение положительной полярности, т.е. проверяемый транзистор исправен и полярность напряжения с выхода генератора

4 разнополярных импульсов соответствует направлению проводимости подключенного вывода проверяемого транзистора к клемме 1, Одну полуволну импульса с генератора 4 напряжение на выходе ключа 9 отсутствует, а в другую полуволну - присутствует, т,е, 5 1555б имеет место последовательность прямоугольных положительных импульсов, Наличие напряжения на выходе ключа 9 указывает на отсутствие неисправ" ности типа Обрыв или "Короткое за11 !!

5 мыкание", При отсутствии напряжения на выходе ключа 9 индикатор 10 указывает на брак. Например, загорается светодиод "Брак", !

О

Определение типа проводимости проверяемого исправного транзистора происходит в тот полупериод разнополярных импульсов, при котором проверяемый транзистор насыщается, Если к l5 клемме 1 подсоединена база, то напряжение между клеммами 2 и 3 равно напряжению между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора, При подсоединении к клемме 1 эмиттера 20 или коллектора проверяемого транзистора напряжение между клеммами 2 и 3 равно падению напряжения на базовом переходе. При малых токах базы оно всегда больше падения напряжения 25 между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора.

Таким образом, полярности напря= жения с выхода генератора 4 разнополярных импульсов в сочетании с опре= деленным (логический !О! или "1") напряжением на выходе 11 определителя 8 разности напряжений соответст вует определенный тип проводимости проверяемого транзистора, При этом на выходе логического блока 5 имеется напряжение положительной полярности при положнтельном напряжении на втором входе и логическом "0!! на первом входе, а также при отрицательном напряжении на втором входе и логической "1" на первом входе. Соответственно напряжение отрицательной полярности формируется на выходе логического блока 5 при отрицательном напряжении на втором входе и логичес35 ком 0 на первом входе, а также при !

1 положительном напряжении на втором входе и логической "1" на первом, Положительная полярность на выхо40 де логического блока 5 указывает при .помощи индикатора 10, что проверяемый транзистор n=p-n-типа, а отрицательная полярность о том, что проверяемый транзистор р-п-р-типа, 45

В случае проверки р-и-р-транзистора возможно такое подключение, при котором отсутствует базовый ток при подаче на базу .напряжения положительной полярности и напряжение между клеммами 2 и 3 равно нулю, Это идентифицировано определителем 8 разности напряжений .и ключом 9, как "Короткое замыкание", Однако этот сигнал присутствует только в течение полу55 периода, в то время как в случае неисправности сигнал "Брак" сущестОпределитель 8 разности напряжений сравнивает напряжение между клеммами 2 и 3 с напряжением уставки, лежащим в интервале, имеющем нижнюю и верхнюю границы. Нижняя граница должна быть больше максимально возможной величины напряжения между коллектором и эмиттером насыщенного контролируемого транзистора при заданной величине тока коллектора и эмиттера, Этот ток определяется величиной напряжения с выхода генератора 4 разнополярных импульсов и величинами сопротивлений резисторов 6 и 7, Верхняя граница должна быть меньше минимально возможного падения напряжения на базовом переходе проверяемого транзистора,Из справочных данных этот интервал составляет (О,!-0,3)В. Напряжение устав ки может быть любым в указанном диапазоне.

В случае, если напряжение между клеммами 2 и 3 более уставки, на выхоце 11 определителя 8 разности напряжений формируется напряжение логической "1", а если меньше - то логического "О", Напряжение логического

"О" на выходе 11 указывает, что к клемме 1 подсоединена база, а напряжение логической "1" указывает, что к клемме 1 подсоединена не база про-

92 6 неряемого транзистора. При этом в зависимости от того подсоединена база проверяемого транзистора к клемме 1 или нет, полярность напряжения на выходе генератора 4 разнополярных импульсов, при которой проверяемый транзистор насыщается, различна, Например, при проверяемом транзисторе и-р-и-типа транзистор насыщается при положительном напряжении на клемме 1, когда к последней подсоединена база, а при отрицательном напряжении на клемме 1, когда к ней подсоединен либо эмиттер, либо коллектор. вует в течение обоих полупериодов.

Это учитывается индикатором 10, например непрерывным горением свето1555692

Формула изобретения

Устройство для контроля транзистора с инверсным коэФфициентом усиления более 1, содержащее три клеммы для подключения контролируемого транзистора, логический блок, выход которого соединен с первым входом индикатора, генератор разнополярных импульсов, выход которого подключен

Риг.

Составитель В, Улимов

Техред А;Кравчук

Редактор Н.Бобкова

Заказ 555

ВНИИПИ Государственного

113035, Корректор О.Ципле

Тираж 555 Подписное комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 диода "Брак" в случае неисправности транзистора и моргания его в рассматриваемом случае, Определитель 8 разности напряжений (фиг.2) содержит шесть операционных усилителей 14-19, резисторы

20-35, диоды 36-43 и транзисторы 4446.

Логический блок 5 (фиг.3) содержит комйаратор 47, резисторы 48-51, транзистор 52 и диоды 53 и 54, Таким образом, предлагаемое устройство позволяет определять исправность транзистора и одновременно определять тип его проводимости. к первой клемме для подключения контролируемого транзистора, а вторая и третья клеммы для подключения конт5 ролируемого транзистора через первый и второй резисторы соответственно соединены с общей шиной, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей устройства, оно снабжено определителем разности напряжений и ключом, а индикатор снабжен вторым входом, причем первая, вторая и третья клеммы для подглючения контролируемого транзистора подключены соответственно к первому, второму и третьему входам определителя разности напряжений, первый выход которого соединен с управляющим входом ключа, вход ключа соединен с вторым выходом определителя разности напряжений, третий выход которого соединен с первым входом логического блока, выход ключа соединен с вторым входом индикатора, а.

25 второй вход логического блока соединен с выходом генератора разнополярных импульсов,

Устройство для контроля транзистора с инверсным коэффициентом усиления более 1 Устройство для контроля транзистора с инверсным коэффициентом усиления более 1 Устройство для контроля транзистора с инверсным коэффициентом усиления более 1 Устройство для контроля транзистора с инверсным коэффициентом усиления более 1 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для опред

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для испытания изделий электронной техники

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых приборов с лавинным пробоем, в частности для ограничительных диодов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения активной составляющей проводимости, емкости и добротности варикапов в параллельной схеме замещения, например, при технологическом контроле параметров полупроводниковых приборов и других как нелинейных, так и линейных объектов, а также в подсистемах технической диагностики радиотехнических элементов автоматизированных систем контроля различной радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для технологического контроля в широкой полосе частот полевых транзисторов непосредственно на пластине

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для контроля транзисторов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх