Устройство для измерения параметров мдп-структур

 

Устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор, блок управления, первый выход которого соединен с первым входом блока смещения, второй вход которого соединен с первым выходом формирователя временных интервалов и первым входом формирователя строб-импульсов, второй вход которого соединен с выходом первого нуль-компаратора, вход которого подключен к выходу первого синхронного детектора, первый вход которого подключен к выходу первого селективного усилителя, вход которого соединен с первой клеммой для подключения полупроводника, входами усилителя тока и с выходом блока переключаемых конденсатов, вход которого соединен с вторым входом первого синхронного детектора и выходом первого фазовращателя, вход которого соединен с первыми входами первого линейно регулируемого усилителя и регулируемого усилителя, второй вход которого соединен с вторым выходом блока управления, выход блока смещения соединен с первым входом первого сумматора, выход которого соединен с второй клеммой для подключения полупроводника, первый вывод линейного потенциометра соединен с общей шиной, второй вывод - с выходом источника опорного напряжения, а третий вывод - с первой выходной клеммой для подключения внешнего регистратора и вторым входом первого линейно регулируемого усилителя, выход которого соединен с первым входом второго сумматора и через первый линейный детектор с второй выходной клеммой для подключения внешнего регистратора, выход регулируемого усилителя соединен с вторым входом второго сумматора и через второй линейный детектор с третьей выходной клеммой для подключения внешнего регистратора, второй выход формирователя временных интервалов соединен с первым входом первого стробоскопического детектора, второй вход которого соединен с выходом усилителя тока, первый выход формирователя строб-импульса соединен с третьим входом первого стробоскопического детектора, первый выход которого соединен с четвертой выходной клеммой для подключения внешнего регистратора, а второй выход - с пятой выходной клеммой для подключения внешнего регистратора, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет одновременного определения зависимости распределения концентрации примесей от глубины и измерения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда, в него введены делитель частоты, первый фазовращатель, второй линейно регулируемый усилитель, второй синхронный детектор, фильтр второй гармоники, блок компенсации, переключаемый аттенюатор, второй селективный усилитель, третий синхронный детектор, второй стробоскопический детектор, второй нуль-компаратор, RС-фильтр, выход которого соединен с шестой выходной клеммой для подключения внешнего регистратора и первым входом второго линейного регулируемого усилителя, выход которого соединен с первым входом первого синхронного детектора и через переключаемый аттенюатор с вторым входом первого сумматора, второй выход формирователя строб-импульса соединен с первым входом второго стробоскопического детектора, второй вход которого соединен с выходом третьего синхронного детектора, первый вход которого соединен с выходом второго селективного усилителя, вход которого соединен с входом первого селективного усилителя и через блок компенсации с первым выходом фильтра второй гармоники, второй выход которого соединен с третьим входом первого сумматора, а вход - с выходом второго сумматора, первый выход генератора через второй фазовращатель соединен с вторым входом второго линейно регулируемого усилителя, выход второго стробоскопического детектора соединен с входом второго нуль-компаратора, выход которого соединен с входом RС-фильтра, второй выход генератора соединен с вторыми входами второго и третьего синхронных детекторов, выход второго синхронного детектора подключен к седьмой выходной клемме устройства, второй генератор через делитель частоты соединен с входом второго фазовращателя.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к контрольно-сортировочной технике в электронной промышленности и позволяет расширить технологические возможности за счет обеспечения контроля радиодеталей чечевичной формы с изменением положения их в пространстве при транспортировании

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушаюпего контроля состояния поверхности образцов, а именно для определения дозы имплантированных ионов на поверхности полупроводника

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано для размещения и транспортирования изделий в камерах климатических испытаний и в других технологических установках

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и может быть использовано для анализа полупроводниковых структур на ранних стадиях, техпроцесса

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров твердых теп, а именно к способам определения энергии электронных состояний пленочных металлических покрытий

Изобретение относится к области производства изделий электронной техники и может быть использовано для размещения и транспортировки изделий в камерах климатических испытаний и в других технологических установках

Изобретение относится к устройствам контроля полупроводниковых приборов - диодов и биполярных транзисторов

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при неразрушающем контроле качества и надежности электронных компонентов

Изобретение относится к метрологии многоэлементных фотоприемников (МФП) и может быть использовано для измерения коэффициента фотоэлектрической связи между чувствительными элементами МФП

Изобретение относится к способам измерения электрических параметров электрически репрограммируемых запоминающих устройств на основе структуры проводник - нитрид кремния - оксид кремния - полупроводник и может быть использовано для контроля напряжения программирования на этапах разработки и серийного производства

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения режима теплового пробоя полупроводниковых приборов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при контроле полупроводниковых диодов

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для определения ширины коллектора высоковольтного транзистора

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения типа проводимости и исправности транзисторов

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для опред

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Наверх