Модуль доменной памяти

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных дисках различной информационной емкости. Цель изобретения - повышение надежности за счет использования общего стробирующего импульса при считывании и расширение области применения модуля доменной памяти в накопителях различной информационной емкости. Модуль доменной памяти содержит группу доменных интегральных микросборок 1, блок элементов И 2, первый и второй блоки формирователей 3 и 4 токов продвижения, блок 5 формирования функциональных импульсов, первую, вторую и третью группы усилителей 6, 7 и 8 считывания, регистр 9 числа, блок 10 корректирующих индуктивных элементов, блок 11 корректирующих резисторов и мультиплексор 12. Введение блоков корректирующих индуктивных элементов и резисторов позволяет повысить надежность, а введение мультиплексора - расширить область применения модуля доменной памяти. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1617457 А 1 (51) 5 С 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4618787/24-24 (22) 09. 12,88 (46) 30. 12.90, Б)ол. 7)" 48

Тб

ТД га

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (72) Л. В.Алексеев, В. Н, Ковалев, В.И.Косов, H A Коськина, С,Е, Николаев, О, В. Росницкий, А.И.Савельев и С.Б.Торотенков (53) 681.327.6 (088.8) (56) Заявка Японии 71 6!†!824, кл . С 11 С 11/14, 1986, Electronic })esi„ и, 1980, november

22, р. 264, f ig 1.

2 (54) модуль домкнной НАмяти (57) Изобретение относится к вычислительной технике и момет быть использовано при построении запоминакщих устройств на цилиндрических магнитных дисках различной информационной емкости. Цель изобретения — повышение надежности эа счет использования общего стробирунп1его импульса при считывании и расширение области применения модуля доменной памяти в накопителях различной информационной емкости. Модуль доменной памяти содермнг группу до1617457

45 менных интегральных микросборок 1, блок элементов И 2, первый 3 и второй

4 блоки формирователей токов продвижения, блок 5 формирования функцио5 нальных импульсов, первую 6, вторую 7 и третью 8 группы усилителей считывания, регистр 9 числа, блок 10 корректирующих индуктивных элементов, блок

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь- 15 зовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах различной информационной емкости.

Цель изобретения — повышение на- 20 дежности модуля доменной памяти эа с ет использования общего стробирующего импульса при считывании и расширение области применения модуля доменной памяти в накопителях различной 25 информационной емкости.

На чертеже изображена схема модуля доменной памяти.

Модуль доменной памяти содержит группу доменных интегральных микро- 3р сборок (ДИМ) 1, блок 2 элементов И, первый 3 и второй 4 блоки формирователей токов продвижения, блск 5 формирования функциональных импульсов, первую 6, вторую 7 и третью 8 группы, усилителей считывания, регистр 9 числа, блок 10 корректирующих индуктивных элементов, блок 11 корректирующих резисторов и мультиплексор 12.

На чертеже показаны стробирукщий 40 вход 13, вход 14 выбора модуля доменной памяти, группа входов 15 синхронизации токов продвижения, вход 16 ввода, вход 17 вывода, вход 18 репликации, вход 19 генерации и группа числовых входов 20 модуля доменной памяти, а также группа выходов 2 1 генерации блока 5 формирования функциональных импульсов.

Блок 5 формирования функциональных

I импульсов содержит формирователь 22 ввода, формирователь 23 вывода, формирователь 24 репликации, группу veнераторов 25, элементы НЕ 26-28 и элементы И 29 и 30.

Модуль доменной памяти работает следующим образом.

На группу входов 15 синхронизации поступают управляющие сигналы для

11 корректнрукщих резисторов и мультиплексор 12. Введение блоков корректирующих индуктивных элементов и резисторов позволяет повысить надеж-. ность, а введение мультиплексора— расширить область применения модуля доменной памяти. 1 ил. формирования четырех фаэ токов продвижения, причем первый блок 3 формирователей создает токи Х, а второй блок 4 формирователей — токи У, На выходах элементов И блока 2 вырабатываются управлякщие потенциалы при поступлении сигнала логической "1" на вход 14 выбора модуля доменной памяти. Для стабилизации токов продвижения блок 3 формирователей токов

Х и блок 4 формирователей токов У подключены к группе ДИМ 1 через блок

10 корректирующих индуктивных элементов.

При записи информации в ДИМ 1 на вход 16 ввода подается сигнал ввода.

Код числа формируется группой генераторов 25 под управлением кода на группе числовых входов 20 модуля доменной памяти н сигнала генерации на входе 19 генерации.

При считывании информации из ДИМ 1 подается сигнал вывода на вход 17, вывода либо сигнал репликации на вход 19 генерации модуля доменной памяти. Стробирующий импульс по входу

13 поступает на третью группу входов третьей группы 8 усилителей считывания.

Считанное слово заносится в рег гистр 9 числа и далее выдается через мультиплексор 12 на числовые выходы модуля доменной памяти, которые имеют три состояния. На управляющем входе мультиплексора 12 должен при этом присутствовать сигнал выбора модуля доменной памяти, 1

Стабилизация токов продвижения с помощью блока 10 корректирующих индуктивных элементов позволяет использовать общий стробирующий импульс для всех усилителей считывания третьей группы 8, поскольку считанные сигналы будут по времени зафиксированы относительно токов продвижения.

5 161745

Использование блока 11 корректирующих резисторов позволяет регулировать коэффициенты усиления усилителей считывания первой 6 и второй 7 групп с целью использования одного стробирукщего импульса и одного уровня дискриминации в усилителях группы 8.

Использование мультиплексора 12 с тремя состояниями позволяет исполь- 0 зовать модуль доменной памяти в накопителях различной емкости, объединяя выходы аналогичных модулей, Таким образом, введение блоков корректирующих HHp KTH Hb элементов 15 и резисторов позволяет повысить надежность, а введение мультиплексора расширить область применения модуля доменной памяти.

Формула изобретения

Модуль до ме иной памяти, с оде ржаший группу доменных интегральных микросборок, блок элементов И, первый и 25 второй блоки формирователей токов продвижения, блок формирования функциональных импульсов, первую, вторую и третью группы усилителей считывания и регистр числя, причем входы первой группы блока элементов И соединены с входами выбора модуля доменной памяти, а входы второй группы блока элементов И являются группой входов синхрониэации токов продвижения модуля доменной памяти, первый и второй выходы блока элементов И подключены соответственно к первому и второму входам первого блока формирователей токов продвижения, первый и второй

40 выходы которого соединены соответственно с входами первой и второй групп доменных интегральных микросборок, входы третьей и четвертой групп которых подключены соответственно к первому и второму выходам второго блока

45 формирователей токов продвижения, первый и второй входы которого соединены соответственно с третьим и четвертым выходами блока элементов И, 50 первый, второй, третий, четвертый входы и группа пятых входов блока формирования функциональных импульсов являются соответственно входами ввода, вывода, репликации, генерации и группой числовых входов модуля доменной памяти, выходы ввода и вывода блока формирования функциональных импульсов соединены соответственно с входами пятой и шестой групп доменных интегральных микросборок группы, входы седьмой группы которых подключены к группе выходов генерации блока формирования функциональных импульсов, выходы первой и второй групп доменных интегральных микросборок группы соединены с входами первых групп усилителей считывания первой и второй групп соответственно, выходы которых подключены соответственно к входам первой и второй групп усилителей считывания третьей группы, входы третьей группы которых соединены со стробирукщим входом модуля доменной памяти, выходы усилителей считывания третьей группы подключены к группе разрядных входов региСтра числа, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности модуля за счет исlloJIbsoBBHHA общего стробирующего импульса при считывании и расширения области применения модуля доменной памяти в накопителях различной информационной емкости, в него введены блок корректирующих ппдуктипных элементов, блок корректирующих резисторов и мультиплексоров, управляющий вход которого подключен к входу выбора модуля доменной памяти, информационные входы соединены с выходами регистра числа, а выходы мультиплексора являются числовыми выходами модуля доменной памяти, входы первой и второй групп блока корректирующих индуктивных эгементов соединены с третьими выходами соответственно первого и второго блоков формирователей токов продвижения, выходы первой н второй групп блока корректирующих индуктивных элементов подключены соответственно к входам восьмой и девятой групп доменных интегральных микросборок группы, выходы первой и второй групп блока корректирующих резисторов сое- . динены с входами группы усилителей считывания первой и второй групп соответственно,