Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характеристики структуры, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, повышения экспрессности измерений, увеличения достоверности и наглядности метода, по вольт-фарадной характеристике определяют значение напряжения отсечки Vотс, при котором емкость структуры равна нулю, и значение емкости С1 при напряжении смещения, соответствующем полному обеднению слоя полупроводника между барьерным контактом и проводящим квантовым слоем, а величину концентрации двумерного электронного газа N2b рассчитывают по формуле 
где q - заряд электрона; А - площадь поверхностно-барьерного контакта.
Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых прноорэв н используется для ионной имплянтацни
Изобретение относится к контрольно-сортировочной технике в электронной промышленности и позволяет расширить технологические возможности за счет обеспечения контроля радиодеталей чечевичной формы с изменением положения их в пространстве при транспортировании
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушаюпего контроля состояния поверхности образцов, а именно для определения дозы имплантированных ионов на поверхности полупроводника
Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано для размещения и транспортирования изделий в камерах климатических испытаний и в других технологических установках
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и может быть использовано для анализа полупроводниковых структур на ранних стадиях, техпроцесса
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
