Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках

 

Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках, содержащее генератор, первый выход которого подключен к опорным входам первого и второго синхронных детекторов, причем первый выход первого синхронного детектора соединен с выходом первого избирательного усилителя, выход второго синхронного детектора подключен к первому входу блока сравнения, второй выход генератора соединен с первым входом первого сумматора, выход которого подключен к первому входу модулятора, выход которого соединен с входами выходного усилителя и первого фильтра, первый и второй выходы которого подключены соответственно к первому входу смесителя и сигнальному входу первого синхронного детектора, второй выход которого является первым выходом устройства, первый выход выходного усилителя соединен с первой клеммой для подключения полупроводника и первым выводом развязывающего резистора, второй вывод которого подключен к первому выходу блока смещения, второй выход выходного усилителя через блок компенсации соединен с входом линейного повторителя, второй клеммой для подключения полупроводника и первым выводом нагрузочного конденсатора, второй вывод которого подключен к общей шине, выход линейного повторителя соединен с входами второго и третьего избирательных усилителей, третий и четвертый синхронные детекторы, выходы которых являются соответственно вторым и третьим выходами устройства, источник постоянного напряжения, выход которого подключен к второму входу блока сравнения, выход которого соединен с вторым входом модулятора, при этом выход второго избирательного усилителя подключен к сигнальному входу второго синхронного детектора, выход смесителя соединен с вторым входом первого сумматора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и информативности измерений, в устройство введены второй и третий сумматоры, пятый и шестой синхронные детекторы, второй и третий фильтры, первый и второй фазовращатели, первый и второй переключатели, с первого по третий линейно регулируемые усилители, первый и второй нуль-органы, первый и второй формирователи квадратурных сигналов и делитель частоты, вход которого подключен к третьему выходу генератора, первые и вторые выходы делителя частоты соединены с соответствующими входами соответственно первого и второго формирователей квадратурных сигналов, первый выход первого формирователя квадратурных сигналов подключен к опорному входу пятого синхронного детектора, второй выход первого формирователя квадратурных сигналов соединен с опорным входом третьего синхронного детектора и входом второго фильтра, выход которого подключен к входу первого фазовращателя и сигнальному входу второго линейно регулируемого усилителя, управляющий вход и выход которого подключены соответственно к второму входу первого синхронного детектора и второму выводу развязывающего резистора, выход первого фазовращателя соединен с сигнальным входом первого линейно регулируемого усилителя, выход которого соединен с первым входом первого переключателя, выход которого и выход первого избирательного усилителя подключены к первому и второму входам второго сумматора, выход которого соединен с сигнальными входами третьего и пятого синхронных детекторов, вход первого нуль-органа подключен к выходу третьего синхронного детектора, выход первого нуль-органа соединен с управляющим входом первого линейно регулируемого усилителя и является четвертым выходом устройства, вход второго нуль-органа подключен к выходу четвертого синхронного детектора, выход второго нуль-органа соединен с управляющим входом третьего линейно регулируемого усилителя и является пятым выходом устройства, первый выход второго формирователя квадратурных сигналов подключен к второму входу смесителя, опорному входу четвертого синхронного детектора и входу третьего фильтра, выход которого через второй фазовращатель соединен с сигнальным входом третьего линейно регулируемого усилителя, выход которого соединен с первым входом второго переключателя, выход которого и выход третьего избирательного усилителя соединены с первым и вторым входами третьего сумматора, выход которого подключен к сигнальным входам четвертого и шестого синхронных детекторов, вторые входы переключателей объединены и подключены к общей шине, второй выход второго формирователя квадратурных сигналов соединен с опорным входом шестого синхронного детектора, выходы пятого и шестого синхронных детекторов и второй выход блока смещения являются соответственно с шестого по восьмой выходами устройства.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к контрольно-сортировочной технике в электронной промышленности и позволяет расширить технологические возможности за счет обеспечения контроля радиодеталей чечевичной формы с изменением положения их в пространстве при транспортировании

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушаюпего контроля состояния поверхности образцов, а именно для определения дозы имплантированных ионов на поверхности полупроводника

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано для размещения и транспортирования изделий в камерах климатических испытаний и в других технологических установках

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и может быть использовано для анализа полупроводниковых структур на ранних стадиях, техпроцесса

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров твердых теп, а именно к способам определения энергии электронных состояний пленочных металлических покрытий

Изобретение относится к устройствам контроля полупроводниковых приборов - диодов и биполярных транзисторов

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при неразрушающем контроле качества и надежности электронных компонентов

Изобретение относится к метрологии многоэлементных фотоприемников (МФП) и может быть использовано для измерения коэффициента фотоэлектрической связи между чувствительными элементами МФП

Изобретение относится к способам измерения электрических параметров электрически репрограммируемых запоминающих устройств на основе структуры проводник - нитрид кремния - оксид кремния - полупроводник и может быть использовано для контроля напряжения программирования на этапах разработки и серийного производства

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения режима теплового пробоя полупроводниковых приборов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при контроле полупроводниковых диодов

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для определения ширины коллектора высоковольтного транзистора

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения типа проводимости и исправности транзисторов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Наверх