Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла

 

Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 350-450°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реакционную зону реактора смеси моносилана с фосфином и кислорода и наращивание пленки фосфоросиликатного стекла при давлении 26,6-46,6 Па и соотношениях ингредиентов фосфинмоносилан с фосфином 0,03-0,25, кислород-моносилан 0,8-4,0, при температуре нагрева реактора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фосфоросиликатного стекла путем увеличения электрической прочности и снижения дефектности осаждаемых пленок, после наращивания пленки толщиной 0,1-0,3 мкм прекращают подачу смеси моносилана с фосфином, устанавливают давление кислорода до 1,33-20 Па и проводят ее обработку в среде кислорода в течение 5-20 мин при температуре нагрева реактора и затем доращивают пленку до требуемой толщины, восстановив первоначальные условия наращивания.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для производства кремниевых интегральных схем

Изобретение относится к электронной технике и может быть нспольэовано в технологии тонких пленок
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения диэлектрических покрытий на монолитных интегральных схемах с алюминиевой металлизацией
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи
Наверх