Патент ссср 171470

 

l7I470

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскиз

Социалистицескиз

Реслублив

Г д, но Ь Г /ГГ

Кл. 21g, 11os

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05.111.1964 (№ 887382/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26Х.1965. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 17ХП.1965

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

УДК 621.3.08: 621.314.63

621.382.3084 (088. 8) ПОЛУАВТОМАТ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СТАБИЛЬНОСТИ

ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

Подписная группа № 97

Известен автомат для контроля и сортировки твердых выпрямительных элементов по электрическим параметрам, содержащий периодически поворачивающуюся карусель с гнездами. 5

Предлагаемый полуавтомат для измерения стабильности параметров маломощных транзисторов содержит карусель для измерения параметров транзисторов, привод для передачи вращательного движения карусели, термо- 10 стат для нагрева транзисторов, устройство для загрузки транзисторов, установленных на носителях, и механизм разбраковки. Полуавтомат отличается от известного автомата тем, что содержит винтовое транспортное устрой- 15 ство, состоящее из корпуса термостата с винтовой направляющей и ротора с продольными пазами, который жестко соединен с каруселью. Эти отличия позволяют механизировать операцию измерения параметров транзисто- 20 ров.

На фиг. 1 показан полуавтомат в разрезе.

Для перемещения транзистора 1 в зонунагрева и замера токовых параметров предназначен носитель 2. Термостат 8 с движущим- 25 ся по винтовой направляющей 4 носителем закреплен на сварной станине. От электродвигателя 5, установленного внутри станины, движение через клиноременную передачу б, редуктор 7 и коническую пару 8 передается на 30 ротор 9 термостата, на котором укреплен венец шестерни 10, передающий движение через шестерню 11 на ротор загрузки 12. Замер стабильности ведется мехкду базой и коллектором; соответственно расположены ножки на носителе 2. Носитель орпентированно вставляется в паз ротора загрузки 12, передающего носитель на винтовую направляющую 4 в

".îíó нагрева термостата 8, после чего ротор 9 термостата перемещает носитель по винтовок направляющей в течение 30 мин.

Нагрев осуществляется индуктором 18. Затем копир 14 включает носитель в гнезда карусели 15, которая жестко соединена с ротором термостата. На карусели против каждого паза ротора расположены гнезда, в которые включаются ножки носителей. От коллектора

1б через эти гнезда и ножки носителя на транзистор подается напряжение с выдержкой 20 сек и производится измерение токовых параметров 2,5 сек. Затем снова выдержка

2,5 сек под напряжением (а всего с учетом замера токовых параметров — 5 сек) и второй замер токовых параметров 2,5 сек.

После операции замера носитель выключается из гнезд карусели копиром 17 и сбрасывается на лоток выгрузки, на котором установлен механизм разбраковки 18, сбрасывающий носитель с лотка в соответствующую секцию, 171470

Предмет изобретения

Составитель P. Г. Акопян

Редактор И. Г. Карпас Техред А. A. Камышникова Корректор Л. В. Тюняева

Заказ 1404/1 Тираж 1575 Формат бум. 60 90 /g Объем 0,16 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сагунова, 2

Полуавтомат для измерения стабильности параметров транзисторов, содержащий карусель для измерения параметров транзисторов, привод для передачи вращательного движения карусели, термостат для нагрева транзисторов, устройство для загрузки транзисторов, установленных на носителях, и механизм разбраковки, отличающийся тем, что, с целью транспортировки транзисторов через зону нагрева,. он содержит винтовое транспортное уст5 ройство, состоящее из корпуса термостата с винтовой направляющей и ротора с продольными пазами, который жестко соединен с каруселью.

Патент ссср 171470 Патент ссср 171470 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх