Способ измерения емкости р—/г-перехода туннельного диода

Авторы патента:


 

O ll M C А Н И = -- .72376

Союз Советских

Социали т!::ц =- -/1

Республик

ЦÇGБРЕТЕКИЯ

Н АВТОРО1ОМУ СВИЩ"7=.ЛЬ1=1ВЬ фГ+ф, Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 02.1Х.1963 (№ 855166, 6-9) Кл.."..:: 2-1, 71

21 11 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Государственный комитет по делам изо6Ретений и открытий СССР

ЧПК G 01г

H 01l

"ДК 621.317.335.2:

621.382.2 (088.8) Опубликовано 29Л 1.1965. Бюv;Ie;e»k, ¹ 13

Дата опубликования описания 29Л?11.1965

1,!

1 /

Авторы изобретечия

М, Б. Зильбер и Ю. А. Новиков

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТИ р — гг-ПЕРЕХОДА

ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА

Пред .: т:! 2 0 tt p å T o It è 5I

Подггасная гругггга № 89

Известные способы измерения емкости р — гг-переходов полупроводниковых приборов, основанные на включении исследуемого прибора в колебательный контур и определении изменения параметров контура происшедшего подключения, недостаточно точны, а автоматизация процесса измерений затруднительна.

В предложенном способе измерения емкости р — n-перехода туннельного диода повышение точности измерений и упрощение автоматизации процесса измерений достигнуто автоматическим выводом рабочей точки диода в экстремальную область вольт-ампер ой характеристики и измерении емкости;!ерехода в этой точке.

На исследуемый диод подают иапряжеш1е постоянного тока, достаточное для псревода рабочей точки диода в область, расположенную et!pat!a от экстремальной области, соответству ощей первому максимуму тока.

Напря?кение низкой частоты подают па диод, включенный в цепь последовательного колебательного контура, и на вклю1ениь1й последовательно с указанным контуром эталонный колебательный контур. Плавно изменяя величину напряжения постоянного ток2, смещаlот рабочую точку диода в направлении экстремальной области, непрерывно контролируя величину падения напряжешгя па колебательиом контуре с диодом и на эталонном контуре. 3квивалеигиое сопротивление эталонного контура выб11растся близким к соиротивленшо диода, рабo "iя точка которого лежит в области первого максимума тока на вольтамиерной характеристике диода. 13 момент, 15югд2 нап1?яжсиис п2 диоде paBIIO иапряжеишо иа эталс1:1.0:,t колебательном контуре, т. е. когда сопротивление диода равно эквивалентному соиротивлсишо этого контура, it, сл едОватс. 1 uil J. р аооч25! то 1 на диод2 н2ходится в экстремалы î t области, прекращают подачу низкочастотногo напряжения к контуру, СОДС1ч?каЩе:5!У ДиоД, иоДвоДЯг IialtP51?t t it!to Bbl-!

5 сокой частоты и, настроив контур в резоII2 i!0, 1!!СТОДО. .! 32МСЩЕНИ>! О!1РЕДС. IЯIОТ ЕМКОСТЬ р — и-перехода ту .!Сльного диода.

С:10 co o 5! 0 ? i 0 k o t ° L i i c II 02 b 3 o t! a It п Р и проскTilpова!1!1и 113 .!1ерите "ьиых устр01!сTв ав20 томатичсских липш1 по произьодству туииельиьгх диодо!3.

25 Способ и,;,; .:я o;,:ito ги р — а-перехода туннельного !иода, осиов211:1ь1й Ita измерении параметров .Олсб;ггсльиого контура до и после подклю !Си:i . к:te» у испытуемого диода, отл!11гаюагшгс.. тсм, п о, с целью упрои1сиия

30 автоматизаци!! процесса измерений i! повы!

72376

Составитель Э. С. Фридолина

Редактор H. С. Коган Тскрсд Т. !!. Курилко Корректор М. И. Козлова

Заказ 1692i17 Тираж 1225 <рормат бум. 60;(90 /«0<чье!и 0,13 изд. л. Цена 5 коп.

Ц1ПП1ПИ Государствен<<ого комитета по делам иаобретс ий и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типографии, пр. Сапунова, 2 щения точности измерений, на диод подают

iI2п1ряжепиc постоянного ток2, достато п10е для перевода его рабочей точки в область, расположспп;ю cilII222 от экстремальной точки, соотвстству:ощей первому максимуму. тока, приводят к диоду переменное напряжение низкой частоты, и, изменяя напря кение IIO

cT05IHH0I тока, сравнивают напряжение на диоде, включенном в последовательный колебательпый контур, с напряжением на эталонном параллельном колебательном контуре, включенном последовательно с диодом, момент равенства сравниваемых напряжений, соответствующий выводу рабочей точки в область Iicp»oi о максиму.;!2 тое2, прекращ210т подачу на диод напряжения низкой частоты, подводят к контуру, содер кащему диод, высокочастотное напряжение и, настроив этот контур па частоту подаваемого высокочастотного напряжения, методом замещения определяют емкость р — n-перехода,

Способ измерения емкости р—/г-перехода туннельного диода Способ измерения емкости р—/г-перехода туннельного диода 

 

Похожие патенты:

Устройство для определения пробивного напряжения полупроводниковых диодовв известных устройствах для определения пробивного напряжения мощных полупроводниковых диодов, содержащих блок ступенчатой регулировки подаваемого на диод напряжения и блок измерения величины производной обратного тока, при испытаниях диодов с жесткими характеристиками и диодов, которые 13 режиме иробоя имеют отрицательное динамическое сопротивление, мощность, выделяемая на р—«-переходе, может превысить допустимое значение, что приводит к выходу диода из строя.в иредложеином устройстве для иредотвращения выхода диодов из строя в процессе измерения последовательно с каждым из сопротивлений блока регулировки напряжения включен стабилитрон, в результате чего нагрузочная кривая цепи, в которую включен диод, приобретает вид гиперболы и незавиеимо от вольтамперной характеристики мощность диода неизменна.схема устройства изображена на чертеже.последовательно с испытуемым диодом 1 включен блок 2 ступенчатой регулировки напряжения, источник которого соединен с зажимами 3. блок 2 содержит сопротивления 4, коммутируемые шаговым искателем 5. к каждому из сопротивлений подключено ио стабилитрону 6, в результате чего напряжение на диоде и ток, протекающий через него, будут определяться точкой пересечения характер]!- стики диода с гиперболой.в ироцесее измерения блок 7 измерения величины пропзводной обратного тока контролирует отношение прпращенпя тока через дпод к приращению напряжения на нем, т. е. величину пропзводной. еели величина пропзводной меньше предельного значенпя, с блока 7 на шаговый пскатель подается управляющпй импульс, и щаговый искатель производит очередное изменение величины соиротивлений. если величииа иропзкодной больше или равиа за-, данному предельному значению, автоматически включается пз^iepитeльный прибор s, ио которому отсчитывается величина пробивного напряжения, и управляемый шаговым искателем индикатор мощности 9 показывает мощность, выделяющуюся на дподе при пробивном напряженпи.предмет изобретен и яустройство для определения пробивного напряжения иолупроводнпковых л,иодов, содержащее подключенные к диоду блок стуиенчатой регулировки подаваемого на дпод напрял\е-25 нпя, снабженный набором коммутируемых сопротивлений, и блок измерений величины производной обратного тока, отличающееся тем, что, с целью предотвращения выхода диода из етроя в процессе измерений, последовательно30 с каждым из сопротивлений блока стуиенчатой регулировки напряженпя включен стабилитрон.101520 // 172374

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2013-03-25T21:52:37
Наверх