Способ получения утфеля последней кристаллизации

 

Изобретение относится к сахарной промышленности , в частности к увариванию утфеля последней кристаллизации. Изобретение позволяет провести более глубокое истощение межкристального раствора и повысить выход сахара. Способ получения утфеля последней кристаллизации предусматривает приготовление кристаллической основы с использованием оттеков утфеля I кристаллизации путем сгущения оттека в вакуум-аппарате до коэффициента пересыщения 1,25-1,30 и его охлаждения в течение 15-25 мин до самопроизвольного образования кристаллов, уваривание утфеля с годкачкой оттека, отбор его части, смешивание ее с оттеком утфеля I кристаллизации в соотношении 1:(0,1-0,2), подачу смеси во второй вакуум-аппарат и наращивание кристаллов в двух вакуум-аппаратах. 1 табл.

COt03 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

/ (21) 4406124/13 (22) 08.04.88 (46) 30.12.91, Бюл. ¹ 48 (71) Московский технологический институт пищевой промышленности (72) А. А. Славянский, А. Р. Сапронов, M.À.Ñîðoêîâàÿ, Н. А. Игошина, Т. В. Волкодавова и 3. К. Холкина (53) 664.1.054(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1306959, кл. С 13 F 1/00, 1985.

Сахарная промышленность, 1986, № 1, с. 30. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УТФЕЛЯ ПОСЛ ЕДН Е Й КРИ СТАЛ Л ИЗАЦИ И (57) Изобретение относится к сахарной промышленности, в частности к увариванию утИзобретение относится к сахарной промышленности, в частности к увариванию утфелей последней кристаллизации.

Целью изобретения является более глубокое истощение межкристального раствора утфеля и повышение выхода сахара.

Способ получения утфеля последней кристаллизации заключается в следующем.

В вакуум-аппарате создают разрежение. Готовят кристаллическую основу, набирая оттек утфеля кристаллизации, заполняя им аппарат до полного закрытия поверхности нагрева паровой камеры.

Включают подачу пара в греющую камеру и сгущает оттек до коэффициента пересыщения 1,25 — 1,3. После этого оттек выдерживают в вакуум-аппарате под разрежением беэ подогрева в течение 15 — 24 мин до самопром Ж 1701750 А1 (я)5 С 13 F 1/02 феля последней кристаллизации. Изобретение позволяет провести более глубокое истощение межкристального раствора и повысить выход сахара, Способ получения утфеля последней кристаллизации предусматривает приготовление кристаллической основы с использованием оттеков утфеля I кристаллизации путем сгущения оттека в вакуум-аппарате до коэффициента пересыщения 1,25-1,30 и его охлаждения в течение

15-25 мин до самопроизвольного образования кристалгов, уваривание утфеля с подкачкой оттека, отбор его части, смешивание ее с оттеком утфеля 1 кристаллизации в соотношении 1:(0,1 — 0,2), подачу смеси во второй вакуум-аппарат и. наращиван 1е кристаллов в двух вакуум-аппаратах. 1 табл. извольного обраэовани в нем однородных затравочных кристаллов.

При сгущении оттека до коэффициента пересыщения более 1,30 не обеспечиваются условия образования однородных по составу центров кристаллизации. При этом количество самопроизвольно образуемых эатравочных кристаллов в течение указанного времени (15-25 мин) будет больше, чем требуется для достаточного истощения межкристального раствора утфеля. Если оттек будет сгущен до коэффициента пересыщения менее 1,25, то в этом случае за период его охлаждения с 15 до 25 мин че будет образовано достаточное количество затравочных кристаллов, они будут неустойчивы к растворению при новых подкачках оттека, чтотакже приведет к уменьшению затравоч1701750

20 ных кристаллов и не обеспечит хорошего

»стощения,межкристального раствора.

Выдерживание оттека с коэффициентом пересыщения 1,30 — 1,25 пад разрежением без его подогрева в течение 15-25 мин до самопроизвольного образования криСталлов необходимо для абра"îâàíèÿ достэточнОГО кОличества Однородных ПО

<,"остэву затравочных кристаллов, устойчи( алых к растворению при последующих под— качках новых порций оттека, Если время выдерживания Оттека менее 15 мин, то при указанном пересыщении

В нем не образуется необходимое количество затравочных кристаллов, что исключает полное»стощение межкристального рас.Гвора утфеля при его последуюшем уваривани». При выдерживан»и оттека в течение времени, превышающего 25 мин, создаются условия для образования затравочных криСталлов в большем, чем требуется, количестве, В этом случае также затрудняются условия последующего истощения межкриСтального раствора и уменьшается скорость

pocra кристаллов ввиду уменьшения расстояния ме>,<ду ними, Снова "..êëþ÷àþò подачу пара в грею цую камеру и до отбора части утфеля в друГой аппарат нара».ивание в нем

Затравочных с подкачкой оттека кристаллов

Проводят до содержани". 88 — 92% СВ.

Отоираемую часть утфеля во ВТороА ва куум-аппарат смешивают с оттеком утфеля

1 кристаллизации при соотнощении утфель:оттек 1 .(0,1 — 0,2). Далее проводят раздельное уaàривание оставшейся и

О.гобранной частей в вакуум-аппаратах да готовности.

Наращивание крис. галлов до отбора части утфеля в другой аппарат при соцержании в нем 88-92,5% сухих веществ необходимо для ускорения роста кристаллов и уменьшения внедрения красящих веществ при формировании кристаллов, а также для искл очения последующего раскачивания утфеля перед его разделением на два вакуум-аппарата.

Отбор части утфеля в смеси с оттеком при соотношении утфель:оттек 1:(0,1 — 0,2) необходим для поддержания в утфеле требуемого пересыщения. При соотношении утфель:Оттек менее 1:(0,1 — 0,2) возможно выпадение муки, что потребует дополнительНОГО расхода пара на раскачивание утфеля, удлинит время уваривания, увеличит потери сахара за счет разложения. При соотношении утфель:оттек более 1:(0,1 — 0,2) возможно растворение acT«»

r/О

55 межкристального раствора (мелэссы) и снизит выход сахара, При уваривании утфеля последней кристаллизации во всех примерах в вакуум-аппарат до полного закрытия поверхности нагрева паровой камеры набирают смесь оттеков утфеля кристаллизации (70% первого с ДБ = 77% и СВ = 83 6% и 30% второго оттека с ДБ = 83,2% и CB = 80,1%), Утфель уваривают в одном вакуум-аппарате ía первом оттеке утфеля 1 в количестве, необходимом для его разделения на две части. При этом отбираемая в другой аппарат часть утфеля составляет ЗΠ— 35% от всей массы, пригoiовленной для разделения. Отбираемую часть утфеля вводят в другой вакуум-аппараТ в смеси с первым оттеком утфеля 1. В каждую из увариваемых частей утфеля на последние подкачки вводя оттек утфеля li кристаллизации с ДБ = 72,4% и СВ = 86,5%, сгущают до СВ = 95 — 95,5% и перед спуском в приемную мешалку утфель раскачивают водой до 91 — 91,5% СВ, Анализу подвергают утфель, межкристэльный раствор и мелассу.

Пример 1, В вакуум-аппарате создают разрежение. Набирают оттек, заполняя

»м аппарат до полного закрытия поверхности нагрева паровой камеры. Включают подачу пара в греющую камеру и сгущают оттек до коэффициента пересыщения 1,30.

После этого оттек выдерживают в вакуумаппарате под разрежением без подогрева в течение 15 мин до самопроизвольного образования в нем однородных зэтравочных кристаллов. Снова включают подачу пара в греющую камеру и до отбора части утфеля в другой аппарат наращивание в нем затраночных кристаллов проводят до содержания

88% СВ. Одновременно с отбираемой частью утфеля во второй вакуум-аппарат вводят оттек при соотношении утфель;оттек

1:0,1. Утфель уваривают раздельно в двух вакуум-аппаратах до 95% СВ, а перед спуском в приемную утфелемешалку раскачивают водой до 91% СВ, Для анализа отбирают утфел ь, межк рис ran ьн ы и раствор и мелассу.

Утфель, уваренный по предлагаемому способу, имел следующие показатели:

ДБут >. = 77.6%., ДБмежкрист, р-ра = 63,6%, содержание кристаллов в утфеле К = 38,5%, размер кристаллов 0,25 мм, время уваривания утфеля 8,5 ч.

Параллельнр осуществляли уваривание по прототипу. При этом утфель имел следующие показатели: ДБ,ф = 77,6%, ДБнежкр. p-p 64,3;;, содер>кание кристаллов

1701750

4Г, 50

55 в утфеле К = 37,2%, размер кристаллов 0,20 мм, время уваривания утфеля 9,5 ч, Результаты исследования представлены в таблице.

Как видно из таблицы, при уваривании по предлагаемому способу по сравнению с прототипом увеличивается содержание кристаллов в утфеле на 1,2%, размер кристаллов — на 25%, ДБ мелассы снижается на

0,9%. Уменьшается время уваривания утфеля на 1 ч.

Пример 2. Осуществляют так же, как и пример 1, но оттек сгущают до коэффициента пересыщения 1,28, выдерживают в вакуум-аппарате под разрежением без подогрева в течение 20 мин, до самопроизвольного образования в нем однородных затравочных кристаллов, Наращивание за" травочных криаталлов проводили до содержания в утфеле 90% СВ. Одновременно с отбираемой частью утфеля во второй вакуум-аппарат вводили оттек и ри соотношении утфель:оттек 1:0,15.

Утфель, уваренный по предлагаемому способу, имел следующие показатели:

ДБутф. = 77,6%, 35Mex p. p-pa = 63,1;ь, содержание кристаллов в утфеле К = 39,3%, размер кристаллов 0,3 мм, время уваривания утфеля 7,5 ч.

Результаты исследований представлены в таблице.

Как видно иэ таблицы, при уваривании по предлагаемому способу по сравнению с прототипом увеличивается содержание кристаллов в утфеле на 2%, размер кристаллов на 50%. ДБ мелассы снижается на 1,4%.

Уменьшается время уваривания утфеля на

2 ч.

П О и м е р 3. Осуществляют аналогично примерам 1 и 2, но оттек сгущают до коэффициента пересыщения 1,25, выдерживают в вакуум-аппаратах под оаэрежелием без подогрева в течение 25 мин, до самопроизвольного образования в нем однородных эатравочных кристаллов. Наращивание затравочных кристаллов проводят до содержания в утфеле 92% СВ. Одновременно с отбираемой частью утфеля во второй вакуум-аппарат вводят оттек при соотношении утфель:оттек 1:0,2.

Утфель, увэренный по предлагаемому способу, имеет следующие показатели:

ДБч ф. = 77,6%, ДБмежкр.р-ра = 63,2%, Содвржание кристаллов в утфеле К = 39,1%, размер кристаллов 0,28 мм, время уваривания утфеля 8,0 ч.

Результаты исследований представлены в таблице.

Как видно из таблицы. при уваривании по предлагаемому способу по сравнению с

40 прототипом увеличивается содержание кристаллов в утфеле на 1,8%, размер кристаллов 40%. ДБ мелассы снижается на 1,2%.

Уменьшается время уваривания утфеля на

1,5 ч.

При проведении исследований со сгущением оттека до коэффициента пересыщения менее 1,25 выдерживают его в вакуум-аппарате под разрежением без подогрева менее! 5 мин, до самопроиэвольноГО Образования В нем Однородных зятраВОчных кристаллов, наращиванием затравочных кристаллов до содержания В чтфеле меНее 88% CB и введением одновременно с отбираемой частью утфеля во второй вакуум-аппарат оттек при соотношении утфель:оттек 1:0,1 увеличиваются потери сахара в мелассе эа счет непопнсго истощения межкристального расгвора.

При пооведении ис.-.ледований ca сгуще:<ием от-ека до коэффициента пеоесыщения более 1,30, выдерживанием его в вакуум-аппарате под разрежением беэ подогреьа более 25 мин дО самопроизвопьног0 образования затравочных кристаллов, наращиванием затравочных кристаллов до содержания в утфеле более 92% СВ и введением Одновременно с отбираемой частью утфеля Во втооой Вакуум ап пара ттскэ г ри соотношении утфель:c.-eê более 1 .С,2 снижается выход сахара эа сче-: рээпожения сахароэы, увели-ения общего Времени уваР И В Я Н И Я .

Предг агаемый способ .-о сравнению с

nðî eTèпом о .- спечив "с-. злее .-лубокое истощение межкпистал,:-.;;Ого астяс О=, что

ПОЗВСПЯЕт УВЕПИЧИтЬ Сопв„-:,ЛНИЕ КРИС:-ВПлоэ в ут - ле на 1.2 — 2.- ., а их размер на

25 — 50%. Д5 мел -.ось: сни:кается на 0,9-1,2-!,, что уменьш ет потери с:.хара и мелассе на

0,022 — 0.025% K .eäeñee переработанной

СВЕ <Л H.

Зормула изобретe -:ил . С;.Особ получения у фе;: последней кр!1сталллизации, и рpду:.,".! эт pи ваящий и ри- готовпен«е кристаллическп:: ссновь. с исг:ольэованием оттеков утфепя 1 кристаллизации в вакуум-аппарате, уваъ.:,ээние утфгля с подка,кой оттека. Отбор егэ " .àñòè и ее по.=э-.: во вт-рай Вакуум-апп=,рат и наращивàY:«е кристаллов в двух вакуум-ап вратах, о т л и ч а ю .ц:.: и с . ..: eë., -.г, с целью болеe глубокого vie . !p "., межкрис-: BilbHG го раствора и повышен я аким офраэам

Выхода сахара, кристаллическую основу гото-;; Т путем сгущения оттека до коэффициен-.а пересыщения 1.25-1,30 и -ro охлаждения в течение 15 — 25 Mèí до, самопроизвольного образования кристаллов., 1701750

Составитель Г.Лошкарева

Редактор Т.Лазоренко Техред M.Ìîðãåèòàë Корректор M Øàðoøè

Заказ 4513 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., 4/5 .

Производственно-издательский KQMGMHBT "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 при этом отбираемый во второй вакуум-аппарат утфель перед ее вводом в последний смешивают с оттеком утфеля I кристаллизации в соотношении 1,0:(0,1-0,2).