Устройство для получения полупроводниковых соединений
Устройство для получения полупроводниковых соединений, содержащее вертикально установленную кварцевую ампулу с гидрозатвором в верхней части размещенный в ней графитовый тигель и независимые нагреватели, отличающееся тем, что, с целью повышения качества получаемых соединений халькогенидов за счет уменьшения внутренних напряжений, тигель имеет форму, подобную форме ампулы, а на его боковой поверхности выполнены вертикальные сквозные прорези.
Похожие патенты:
Изобретение относится к способам получения полупроводниковых твердых растворов CuAlxini-xS2, которые могут быть использованы как материалы для изготовления светодиодов для видимой и ультрафиолетовой областей, солнечных элементов
Изобретение относится к литейному производству, преимущественно к технологии получении заготовок из магнитных сплавов с монокристаллической структурой, и позволяет улучшить качество монокристаллов и повысить магнитные параметры
Графитовый нагреватель // 1691431
Изобретение относится к нагревательным блокам устройств для получения искусственных кристаллов и обеспечивает повышение равномерности температурного поля по высоте нагревателя
Изобретение относится к области выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации
Изобретение относится к технологии получения оптических монокристаллов
Изобретение относится к технологи получения кристаллов германата висмута со структурой эвлинита Bi Ge О и может быть использовано для промышленного производства сцинтилляционных кристаллов, находящих применение в ядерной физике , физике высоких энергий, позитронной и технической томографии и других областях науки и техники
Способ получения амплитудных фильтров // 1647044
Изобретение относится к электронной технике и позволяет расширить спектральный диапазон пропускания амплитудных фильтров в ближнюю инфракрасную область спектра и сократить толщину фильтра за счет увеличения коэффициента поглощения на краях в видимой области спектра
Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6
Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми
Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)
Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)
Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
