Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора

Авторы патента:

C30B29/10 - неорганические соединения или композиции

C30B11/02 - без использования растворителей (C30B 11/06 имеет преимущество)

Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора, включающий индукционное плавление шихты в водоохлаждаемом тигле и выращивание монокристаллов при температуре 0,8-1,0 температуры плавления соединения в атмосфере защитного газа гарнисажным методом, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве шихты используют предварительно переплавленную и измельченную до дисперсности 0,1-3 мм исходную шихту или ее смесь с исходной шихтой, взятой в количестве не более 15 мас.%.

Изобретение относится к способам выращивания кристаллов из паровой фазы и может быть использовано для выращивания относительно крупных объемных кристаллов карбида кремния α-модификации

Способ определения скорости роста эпитаксиального слоя s @ с // 1590484

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано для изучения процесса роста эпитаксиальных слоев

Способ получения слоев карбида кремния // 1398484

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе карбида кремния, таких как силовые вентили, лавиннопролетные диоды, силовые транзисторы

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4h // 913762

Способ выращивания монокристаллического sic // 882247

Изобретение относится к области получения монокристаллического материала, а именно SiC, кристаллизацией из паровой фазы с конденсированием кристаллизующегося вещества и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе карбида кремния

Патент 401042 // 401042

Патент 396862 // 396862

Способ выращивания нитевидных монокристаллов карбида кремния // 384208

Способ выращивания монокристаллов карбидакремния // 253778

Способ выращивания монокристаллов карбида кремния // 136328

Способ обработки оптических кристаллических деталей // 1663063

Изобретение относится к электронной технике и позволяет повысить спектральное пропускание деталей из монокристаллов, прозрачных в вакуумной и ультрафиолетовой областях спектра

Способ получения полупроводниковых гетероструктур // 1633032

Изобретение относится к технологии полупроводников-сложного состава, в частности к получению гетерострук- , тур, оба компонента которых принадлежат к соединениям класса А В С

Способ получения полиродана // 1629246

Травитель для монокристаллов нитрита натрия // 1612000

Способ получения кристаллов // 1535077

Изобретение относится к технологии оптических монокристаллов и позволяет повысить качество кристаллов иодата лития (-LiO3)

Способ изготовления параметрического преобразователя частоты оптического излучения из монокристалла z @ g @ р @ // 1452223

Изобретение относится к области нелинейной техники и может быть использовано для изготовления параметрических преобразователей частоты оптического излучения (ППчОИ), обеспечивает повышение выхода преобразователя

Состав для полирования монокристаллов // 1450438

Способ выращивания кристаллов -liio3 // 1309621

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной технике

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -liio3 // 1294027

Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия // 1110222

Способ получения амплитудных фильтров // 1647044

Изобретение относится к электронной технике и позволяет расширить спектральный диапазон пропускания амплитудных фильтров в ближнюю инфракрасную область спектра и сократить толщину фильтра за счет увеличения коэффициента поглощения на краях в видимой области спектра