Способ электронографического исследования кинетики фазовых переходов в тонких пленках

 

Сущность изобретения: исследуемый объект нагревают в электронографе и регистрируют одну из линий его дифракционного спектра широко раскрытой щелью. Ширина щели должна превышать ширину линии вместе с ее смещением в процессе нагрева.2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (з1)з G 01 N 23/20

ГОСУДАРСТВЕ ОНОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

I а. -. б

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4849168/25 (22) 09.07.90 (46) 23.06.93, Бюл. М 23 (71) Институт физики АН АЗССР (72) P.М.Султанов, Д.И.Исмаилов, Ф.И.Алиев и Р.Б.Шафизаде (56) Авилов А.С. и др. Прецизионное измерение интенсивностей отражений на электронограммах от текстур и мозаичных MQHQKpNGTBllllQB.

ПТЭ, 1076, М 3, с.214-215, Эфендиев Г,А. и др. Кинематическая элетронография на приборе ЭГ, ПТЭ, 1963, М 1, с, 142 — 145.

Настоящее изобретения относится к области получения количественных данных по кинетике фазовых превращений в тонких пленках и может найти широко применение в электронографии, Цель изобретения — упрощение способа, На фиг. 1 изображена принципиальная схема устройства, используемого в данном способами, на фиг. 2 представлена кривая зависимости интенсивности линии (100) убывающей фазы А92Те от температуры, полученная предлагаемым способом.

На приведенной схеме (см. фиг. 1) приняты следующие обозначения: 1 — электронный луч, 2 — исследуемый объект, 3 — неподвижная щель датчика, 4- фотоэлектронный умножитель, 5 — система регистрации.

Предлагаемый способ осуществляе-.ся следующим образом.

Вначале получаем дифракционную картину от исследуемого объекта на экране электронографа марки ЭМР-102. Наиболее информативная дифракционная линия исс%

Я2, 1822954 Al (54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОНОГРАФИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИКИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ (57) Сущность изобретения; исследуемый объект нагревают в электронографе и регистрируют одну из линий вго дифрекционного спектра широко раскрытой щелью.

Ширина щели должна превышать ширину линии вместе с ее смещением в процессе нагрева. 2 ил, и тм м ледуемого объекта подводится к неподвижной щели датчика с фотоэлектронным множителем и фиксируется на ней, При этом размер щели датчика устанавливается больше ширины дифрвкционной линии с уче foM смещения линии в процессе нагрева исследуемого объекта, исключая попадание других линий спектра в данную щель. После QQ установления необходимой для фазового пе- с ) рехода в исследуемом объекте температуры запускается регистрирующая стойка электронографа и производится запись кривой 1у

1 зависимости интенсивности линии от температуры, т. е. основной экспериментальный 1+ материал, с помощью которой строятся кинетические кривые фазовых превращений.

Тем самым отпадает необходимости,а получения серии кинематических элекгронограмм с фоторегистрацией и их последующего микрофотометрирования.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с известным способом позволяет более упрощенно Кс высокой точностью получать кривые изменения интенсивности диф1822954

Формула изобретения

Способ электронографического исследования кинетики фазовых переходов в

Фига I

Составитель P. Султанов

Редактор Т. Шагова Техред М.Моргентал Корректор И. Шмакова

Заказ 2177 Тираж Подписное

8НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035. Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул.Гагарина, 101 ракционных линий при фазовом переходе в тонких nneWax, Тем самым отпадает необходимость получения серии кинематических электронограмм с фоторегистрацией и их последующего микрофотометрирования, Таким образом предлагаемый способ по сравнению с известным способом позволя-. ет более упрощенно и с высокой точностью получать кривые изменения интенсивности дифракционных линий при фазовом переходе в тонких пленках. тонких пленках, включающий установку контролируемого обьекта в электронографе, его нагрев, облучение пучком электронов и регистрацию дифракционного спектра в процессе нагрева, отл и ча ю щи йс я тем, что, с целью упрощения способа, выбирают в дифракционном спектре изолированную линию, выделяют посредством приемной щели детектора. размер которой устанавливают

10 большим ширины регистрируемой дифрвкционной линии вместе с величиной ее сдвига в процессе нагрева исследуемого объекта, при этом объект в процессе съемки размещают на ленточном нагревателе из

15 тантала.