Способ получения высокотемпературных керамических покрытий состава yba2cu3o7-

 

Изобретение относится к созданию гетероструктур, содержащих ВТСП покрытие. Сущность изобретения состоит в приготовлении суспензии путем смешения порошка YBa2Cu3O7- с органическим связующим, нанесение суспензии на подложку методом толстопленочной технологии, высушивание, прокаливание на воздухе и термообработку в атмосфере кислорода при 945 - 950°С, в качестве органического связующего используется триэтаноламин, а кислородная термообработка ведется в следующем режиме: подъем температуры до максимальной температуры термообработки в течение 10 - 15 мин, а выдержка в течение 2 - 5 мин и охлаждение до комнатной температуры в течение 1 ч + 15 мин. 4 табл.

Изобретение относится к созданию гетероструктур, содержащих высокотемпературое сверхпроводящее (ВТСП) покрытие.

Сверхпроводящие покрытия с высоким значением температуры перехода в сверхпроводящее состояние (Тс) до сих пор получены только на немагнитных подложках, в частности на MgO, Al2O3, а также на металлических (Pt, Au). Один из возможных способов получения таких покрытий включает приготовление суспензии исходной керамики состава YBa2Cu3O7-б в органическом связующем, нанесение ее на подложку, сушку и термообработку в кислороде при 900-950оС [1] . В качестве органического связующего здесь применяют ацетон, спирты. Могут быть использованы также диметилфталат, дибутилфталат [2] и поливинилбутираль [3].

Для создания новых типов приборов ферритовой СВЧ-техники представляется перспективным получение сверхпроводящих покрытий на магнитных подложках. Ранее были предприняты попытки получения пленок с подслоем серебра на гранатовой эпитаксиальной структуре ГГГ-ЖИГ магнетронным распылением на постоянном токе (Тс = 6К) [4]. Однако методом магнетронного распыления можно получить только тонкие пленки.

Целью изобретения является повышение качества высокотемпературных сверхпроводящих покрытий и повышение критической температурой перехода в сверхпроводящее состояние.

В качестве прототипа взят способ получения сверхпроводящих покрытий на немагитных подложках [1]. Сущность способа заключается в следующем. Из исходной керамики состава YBa2Cu3O7-б смешением с органическим связующим готовят суспензию, которую наносят на поверхность подложки и высушивают. Затем проводят термообработку в атмосфере кислорода. Отличие предлагаемого способа от известного состоит в том, что в качестве органического связующего используется триэтаноламин, суспензия наносится на магнитную подложку, а термообработка в кислороде проводится в следующем режимe: быстрый подъем температуры до 945-950оС в течение 10-15 мин, выдержка в течение 2-5 мин и охлаждение до комнатной температуры в течение 60 15 мин. Способ обеспечивает получение ВТСП покрытий толщиной от 40 до 80 мкм на ферромагнитных подложках, в частности из железо-иттриевого граната (ЖИГ) Y3Fe5O12 и иттрий-гадолиниевого феррограната YGd2Fe5O12 с критической температурой перехода в сверхпроводящее состояние Тс более 77 К и шириной перехода 2-5К.

П р и м е р ы 1-4 (табл. 1).

Исходную керамическую шихту получают из раствора нитратов иттрия, бария и меди, взятых в соотношении, рассчитанном на получение состава YBa2Cu2O7-б. Полученный раствор смешивают с отдельно приготовленным 5%-ным раствором поливинилового спирта в соотношении 1:1. Добавление полимера проводят с целью получения мелкодисперсного, гомогенного по составу порошка. Раствор упаривается досуха и прокаливается на воздухе при температуре 900 10оС в течение (120 15) мин. 1 г керамической шихты смешивается в агатовой ступке с 2 см3 этилового спирта. Полученная суспензия наносится на подложку MgO [100] методом центрифугирования, при скорости вращения 2000 об/мин, высушивается на воздухе на электрической плитке при подъеме температуры до 300оС в течение 30 мин. Полное удаление триэтаноламина проводится в электропечи при t = = 550оС в течение 1-2 мин на воздухе. Далее подложка с нанесенным покрытием помещается в трубчатую печь, в которую подается осушенный кислород со скоростью 100 см3/мин. Были опробованы четыре режима термообработки в кислороде (таблица 1). Во всех четырех примерах получены сверхпроводящие покрытия толщиной 60-80 мкм с интервалом температур перехода в сверхпроводящее состояние (Тс - ТR=0) 85-80оК.

П р и м е р ы 5-12 (табл. 2).

Получение исходной керамики состава YBa2Cu3O7-б, приготовление суспензии, нанесение ее на подложку, сушку и термообработку покрытий в кислороде проводят так же, как указано в примерах 1-4, с той лишь разницей, что суспензию керамики YBa2Cu3O7-б в этиловом спирте наносят на ферромагнитную подложку ЖИГ [110]. В результате получают покрытия YBa2Cu3O7-б толщиной 50-70 мкм с низкими значениями Тс < 77K и широким интервалом температур перехода в сверхпроводящее состояние 67-31 К (примеры 5-8). Аналогичные результаты получают при использовании в качестве органического связующего ацетона (примеры 9-12).

П р и м е р ы 13-22 (табл. 3, 4).

Получение исходной керамики YBa2Cu3O7-б, приготовление суспензии, нанесение ее на подложку, сушку и термообработку в кислороде проводят как указано в примерах 1-4, с той разницей, что в качестве органического связующего применяют ТЭА и полученную суспензию наносят на ферромагнитную подложку ЖИГ [110]. При этом варьируют режимы термообработки: подъем температуры от комнатной до 950оС от 8 до 30 мин, выдержка при 950оС - от 0,5 до 10 мин и охлаждение до комнатной температуры от 30 до 90 мин. Из данных таблицы видно, что наибольшая глубина проникновения ионов железа из материала подложки в покрытие YBa2Cu3O7-б (5-10 мкм) при толщине покрытия 60 мкм наблюдается при подъеме температуры от комнатной до 950оС в течение 10-15 мин, выдержке при этой температуре в течение 2-5 мин и последующем охлаждении до комнатной температуры в течение 1 ч 15 мин.

П р и м е р ы 23-26 (табл. 4).

Получение покрытий YBa2Cu3O7-б проводят, как описано в примерах 13-22, с той разницей, что в качестве ферромагнитной подложки используют поликристаллический иттрий-гадолиниевый феррогранат. Термообработку покрытий в кислороде проводят в режиме согласно изобретению. В результате получены сверхпроводящие покрытия состава YBa2Cu3O7-б на магнитной подложке Y-Gd феррограната, интервал температур в сверхпроводящее состояние составляет 84-79К при толщине покрытия 40 мкм, 84-81,2К - при толщине покрытия 55 мкм, 83-81К - при толщине покрытия 70 мкм и 84-79,5 К - при толщине покрытия 80 мкм.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ СОСТАВА YBa2Cu3O7-, включающий приготовление суспензии путем смешения порошка YBa2Cu3O7- с органическим связующим, нанесение суспензии на подложку методом толстопленочной технологии, высушивание, прокаливание на воздухе и термообработку в атмосфере кислорода при 945 - 950oС, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытий и повышения критической температуры перехода в сверхпроводящее состояние, используют магнитные подложки, а в качестве органического связующего используют триэтаноламин, при этом термообработку ведут путем подъема температуры от комнатной до максимальной в течение 10 - 15 мин с выдержкой 2 - 5 мин и последующим охлаждением до комнатной температуры в течение 1 ч 15 мин.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам получения композиционных материалов, состоящих из сверхпроводящего наполнителя-порошка сверхпроводящего соединения типа YBa2Cu3O7 и полимерной матрицы, и может быть использовано в электротехнике и энергетике, в частности при изготовлении магнитных экранов (магнитной защиты)

Изобретение относится к способам получения микроэлектронных толстопленочных элементов, применяемых в гибридных интегральных схемах, СВЧ-устройствах, чувствительных элементах датчиков, и может быть использовано при изготовлении сверхпроводящих квантовых интерференционных датчиков и других высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) толстопленочных элементов (ТПЭ), чувствительных к различным воздействиям

Изобретение относится к сверхпроводящей технике и может быть использовано при изготовлении сверхпроводящих устройств микроэлектроники, приемников ИК-излучения и сильноточных устройств

Изобретение относится к получению сверхпроводящих материалов, в частности высокотемпературных сверхпроводников, и может быть использовано для создания сверхбыстродействующих ЭВМ нового поколения, сверхчувствительных датчиков электронных приборов, детекторов СВЧ, криомагнитных экранов и др
Изобретение относится к материаловедению, в частности к сверхпроводящим материалам, и может быть использовано для получения высокотемпературной сверхпроводящей (ВТСП) керамики

Изобретение относится к технологии получения сверхпроводящих материалов типа RBa2 Cu3O7-x, где R = Y, La, Nd, Eu, Gd, может быть использовано для изготовления керамики, монокристаллов и пленок со сверхпроводящими свойствами

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга
Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники
Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS
Наверх