Способ травления монокристаллов лангасита

 

Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов лангасита, используемых в электронной технике. Цель изобретения заключается в том, что возникает возможность травления больших монокристаллов более 2 10 10 мм (кристаллы при травлении не растрескиваются), а так же отпадает необходимость употребления дорогостоящих материалов, таких как платина, иридий, позволяющих удешевить процесс и повысить скорость травления. Сущность способа состоит в обработке монокристаллов лангасита в гидротермальных условиях при температуре 150 - 300oС и давлении не менее 50 атм, а в качестве травильного раствора используются водные растворы одной из кислот H3PO4 MeOH и одной из солей и MeNO3, где Me - щелочной металл, или водные растворы щелочей MeOH, или солей Me2CO3 или водные растворы смеси одной из щелочей CH3COOH или смесь водных растворов H3PO4 Me2CO3, где Me - щелочной металл.

Изобретение относится к способу гидротермального метода травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов лангасита размером более 15х15х3 мм, используемых в электронной технике.

Известен способ травления природных силикатов для определения микроструктур и дефектов, включающий последовательные стадии предварительную полировку образцов с помощью алмазной пасты, травление в растворах различных кислот при Т24оС, а затем кипячение промытых образцов в растворе 20%-ной лимонной кислоты.

Недостатком способа является многостадийность процесса травления, низкая экологичность и недостаточно высокая скорость травления.

Преимущество предлагаемого способа гидротермального травления заключается в том, что возникает возможность травления больших монокристаллов более 2х10х10 мм (кристалл не растворяется при травлении), а также отпадает необходимость употребления дорогостоящих неактивных температурно-устойчивых материалов, таких как платина, иридий.

Технический эффект заключается в экологически чистой методике гидротермального травления, позволяющий повысить скорость травления и удешевления процесса травления.

Способ реализуется следующим образом.

Образцы монокристаллов лангасита со шлифованными поверхностями 15х15х3 мм помещают в автоклав в раствор травителя. Для приготовления травильного раствора использовались реактивы марок ХЧ или ЧДА. Растворы готовят последовательно в отдельном бюксе, разбавляют 90% Н3РО4 до 25% В другом 25 г NaO3 раcтворяют в 50 г H2О, т.е. приготовляетcя 25%-ный раствор NaNO3. Полученные растворы сливаются и перемешиваются при комнатной температуре. Полученный состав заливают в футерованный фторопластом автоклав периодического действия. Автоклав герметизируют и устанавливают в печь сопротивления, где его нагревают до температуры 150-300оС при давлении не менее 50 атм. При более низких параметрах скорость травления резко падает. Более высокие параметры требуют создания более сложной аппаратуры. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой. В результате травления поверхность образца стала прозрачной, скорость травления равна 0,9 мкм/мин.

П р и м е р 1. Образец заливался водным раствором, содержащим 40% NaOН, нагревался до температуры 200оС при давлении 300 атм. В результате матовая поверхность образца стала более прозрачной. Скорость травления равна 0,7 мкм/мин.

П р и м е р 2. Образец заливался водным раствором, содержащим 20% LiCO3, нагревался до температуры 250оС при давлении 500 атм. В результате матовая поверхность образца стала более прозрачной, скорость травления 0,7 мкм/мин.

П р и м е р 3. Образец заливался водным раствором, содержащим 20% КОН и 20% Na2CO3, нагревался до температуры 150оС и давлении 50 атм. В результате матовая поверхность образца стала более прозрачной, скорость травления 1,0 мкм/мин.

П р и м е р 4. Образец заливался водным раствором, содержащим 50% Н3РО4, нагревался до температуры 270оС и давлении 60 атм. В результате матовая поверхность образца стала более прозрачной, скорость травления 0,9 мкм/мин.

П р и м е р 5. Образец заливался водным раствором, содержащим 40% СН3СООН нагревался до температуры 200оС и давления 100 атм. В результате матовая поверхность образца стала более прозрачной. Скорость травления 0,8 мкм/мин.

Формула изобретения

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНГАСИТА, заключающийся в том, что их травят в гидротермальных условиях при температуре 150 - 300oС и давлении не менее 50 атм., а в качестве травильного раствора используют раствор следующего состава, мас.%: H3PO4 - 10 - 70, MeNO3 - 10 - 70, где Me - щелочный металл, H2O - Остальное или MeOH > 10, - где Me - щелочный металл H2O - Остальное или Me2CO3 > 10, - где Me - щелочной металл H2O - Остальное или MeOH - 10 - 70
Me2CO3 - 10 - 70, где Me - щелочный металл
H2O - Остальное
или H3PO4 > 10
H2O - Остальное
или CH3COOH > 10,
H2O - Остальное



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к получению синтетических алмазов, имеющих большое народнохозяйственное значение

Изобретение относится к гидротермальному синтезу кристаллов аметиста для ювелирной промышленности с использованием в качестве шихты кремнийсодержащих материалов

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов ортофосфата галлия GaPO4, являющегося высокотемпературным пьезоэлектрическим материалом, обладающим оптической прозрачностью в области глубокого ультрафиолета

Изобретение относится к облагораживанию бесцветных или слабоокрашенных кристаллов турмалина, которые могут быть использованы в ювелирной промышленности

Изобретение относится к производству монокристаллов лантан-галлиевого силиката (лангасита), может найти применение для изготовления пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосвязи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах и обеспечивает улучшение пьезоэлектрических параметров, уменьшение индуктивности, а также повышение термостабильности и обеспечение работоспособности в области комнатных температур для прямых срезов

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллических образцов со структурой беррила и может быть использовано в электронной и ювелирной промышленности

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката
Наверх