Применением давления, например гидротермическими способами (C30B7/10)
C Химия; металлургия(326262)
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);
(2110)
C30B7/10 Применением давления, например гидротермическими способами(87)
Изобретение относится к технологии изготовления кристалла кварца. Способ вырезания кристалла из бруска синтетического кварца включает получение бруска синтетического кварца, вырезание из указанного бруска синтетического кварца кристалла в форме модифицированного правильного тетраэдра, содержащего четыре по существу идентичные треугольные грани, выполненные с возможностью задания четырех усеченных вершин и шести скошенных ребер, причем каждая из четырех усеченных вершин параллельна по меньшей мере одной из четырех по существу идентичных треугольных граней, при этом шесть скошенных ребер имеют среднюю длину l и среднюю ширину w, каждая из четырех усеченных вершин содержит три стороны у и три стороны z; причем 8≤1/w≤9,5, 1,3≤y/w≤1,7, 0,8≤z/w≤1,2; полировку указанного кристалла, причем вырезание и полировку осуществляют без нагревания бруска синтетического кварца выше 573°С и без перехода в состояние плавленого кварца.
Изобретение относится к технологии получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, который может быть использован в качестве фотокатализатора, активного в видимом диапазоне света. Способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, состава W1-xCoxO3 (0,01 ≤ x ≤ 0,09) включает получение реакционной смеси, содержащей водный раствор хлорида кобальта гексагидрата и вольфрамата гидрата, добавление раствора соляной кислоты, отделение осадка и сушку, при этом в качестве вольфрамата гидрата используют паравольфрамат аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O, взятый по отношению к хлориду кобальта гексагидрату состава CoCl2·6H2O в молярном соотношении в пересчете на металл W : Co = (0,99-0,91) : (0,01-0,09), а реакционную смесь подвергают гидротермальной обработке при температуре 160–200ºС и избыточном давлении 360–617 кПа в течение 20-26 ч.
Изобретение относится к области выращивания моно- и поликристаллов кварца для синтеза оптических и пьезоэлектрических монокристаллов кварца, в том числе допированных германием, для радиоэлектронной, оптоэлектронной и акустоэлектронной техники, и для получения окрашенных монокристаллов и друз для использования в камнерезном и ювелирном деле.
Изобретение относится к технологии изготовления кристаллов для энергетической и вибрационной лечебной терапии, использующей драгоценные камни. Кристалл синтетического кварца имеет модифицированную форму правильного тетраэдра и содержит четыре по существу одинаковые треугольные грани, выполненные с возможностью задания четырех усеченных вершин и шести скошенных ребер, при этом шесть скошенных ребер имеют среднюю длину l, среднюю ширину w и 8≤l/w≤9,5; каждая из четырех усеченных вершин кристалла параллельна по меньшей мере одной из четырех по существу идентичных треугольных граней и содержит три стороны y и три стороны z, причем 1,3≤у/w≤1,7 и 0,8≤z/w≤1,2.
Изобретение относится к материалам для сцинтилляционной техники, к эффективным быстродействующим сцинтилляционным детекторам гамма- и альфа-излучений в приборах для экспресс-диагностики в медицине, промышленности, космической технике и ядерной физике.
Способ получения волластонита // 2595682
Изобретение относится к технологии переработки кальций- и кремнийсодержащих техногенных отходов борного производства (борогипса) и может быть использовано при производстве игольчатого волластонита для применения в цветной металлургии, в шинной, асбоцементной и лакокрасочной промышленности, в производстве керамики.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно к получению нового сложного оксида со структурой силленита, который является перспективным материалом для различных акусто- и оптоэлектронных устройств: пьезодатчиков, фильтров и линий задержки электромагнитных сигналов, электро- и магнитооптические измерителей напряженности полей, пространственно-временных и магнитооптических модуляторов.
Способ выращивания кристаллов оксида цинка // 2460830
Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, используемого в различных областях электронной техники, где использование кварца невозможно или ограничено и может применяться в функциональной пленочной электронике, пьезотехнике и акустоэлектронике.
Деталь из искусственного кварца, способ ее изготовления и включающий ее оптический элемент // 2441840
Изобретение относится к технологии изготовления детали из искусственного кварца для применения в качестве оптического элемента для ArF-литографии, подлежащего облучению лазерным светом, имеющим длину волны 200 нм или короче.
Способ выращивания монокристаллов кварца // 2320788
Изобретение относится к технологии выращивания оптических кристаллов, в частности монокристаллов кварца, используемого в радиоэлектронике, оптоэлектронике и оптике. .
Способ выращивания кристаллов оксида цинка // 2320787
Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, которые могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники.
Изобретение относится к средствам для выращивания монокристаллов из раствора с использованием растворителя и применением давления, в частности монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку, и может быть использовано в химической промышленности.
Изобретение относится к средствам для выращивания кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада, в частности к конструкции диафрагм (перегородок) между зонами растворения шихты и роста кристаллов в автоклавах.
Способ синтеза алмаза // 2243153
Изобретение относится к способам искусственного синтеза монокристаллов алмаза - как с заранее заданными физическими свойствами: полупроводниковыми, люминесцентными, цветными и т.п., так и без примесей с высокой оптической прозрачностью.
Изобретение относится к производству искусственных кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада. .
Изобретение относится к средствам выращивания кристаллов из растворов, в частности кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада, и может использоваться для выращивания крупных кристаллов.
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из водных растворов и промышленно применимо при синтезе оптических и пьезоэлектрических монокристаллов кварца для радиоэлектронной, оптоэлектронной и оптической техники.
Изобретение относится к области выращивания в гидротермальных условиях методом температурного перепада кварца и его разновидностей, использующихся в ювелирной промышленности в качестве полудрагоценных камней.
Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3). .
Способ выращивания кристаллов цинкита // 2198250
Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов цинкита, которые являются хорошими пьезоэлектриками, обладающими высоким коэффициентом электромеханической связи, и могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники.
Способ выращивания монокристалла кварца // 2197570
Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности, гидротермальным методом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин с малым число дислокаций и за более короткое время.
Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, например, гидротермальным способом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов с малым числом дислокаций.
Изобретение относится к способам получения оптического кальцита (исландского шпата). .
Способ выращивания монокристаллов // 2194100
Изобретение относится к области выращивания кристаллов точечной группы 32. .
Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности гидротермальным способом, и может использоваться при изготовлении затравочных пластин большого размера.
Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике.
Гидротермальный способ выращивания крупноразмерных кристаллов ортофосфатов алюминия или галлия // 2186884
Изобретение относится к технологии выращивания металлортофосфатов, в частности AlPO4 и GaPO4, которые могут быть использованы в пьезотехнике, а именно в резонаторах и фильтрах различного назначения.
Способ выращивания кристаллического кварца // 2181796
Изобретение относится к способу синтеза кварцевых монокристаллов, используемых в радиоэлектронной промышленности при изготовлении различных термостабильных элементов, для производства которых применяют пьезокварцевые крупноразмерные подложки в виде квадратов или АТ-среза дисков.
Способ выращивания монокристаллов кварца // 2180368
Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности.
Изобретение относится к технологии получения окрашенных кристаллов кварца и может быть использовано в ювелирной промышленности. .
Способ получения мелкокристаллического нелегированного и легированного иттрий-алюминиевого граната // 2137867
Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики.
Способ получения цитрина // 2136790
Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов цитрина с различными оттенками, используемых в качестве полудрагоценных камней в ювелирной промышленности. .
Способ получения синтетического опала // 2132414
Способ получения сцинтилляционного материала // 2126062
Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров. .
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку. .
Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения.
Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов.
Изобретение относится к способу получения в гидротермальных условиях монокристаллов K2(NbO)2 Si4O12 и может быть использовано в нелинейной оптике. .
Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов ортониобата сурьмы (SbNbO4) и может быть использовано в пьезо- и пироэлектрической областях для создания различных электронных устройств в новой технике.
Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов твердых растворов Sb(Nb1-xSbxO4 (X=X0,3 моль) и может быть использовано в фотополупроводниковой, пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии создания композиционных материалов.
Способ получения цитрина // 2071511
Изобретение относится к гидротермальному способу выращивания монокристаллов кварца, окрашенных в желтый цвет (цитрина) различных оттенков и интенсивности, которые могут использоваться в ювелирной и камнерезной промышленности.
Изобретение относится к производству искусственных ювелирно-ограночных материалов, а именно монокристаллов кварца и его окрашенных разновидностей риаух-топаза, мориона, цитрина, аметиста и других, в том числе и кристаллов кварца, обладающих опалесценцией.
Способ получения опаловидного кварца // 2064979
Способ выращивания кристаллического кварца // 2057210
Изобретение относится к получению кристаллического кварца стандартизированных размеров для массового выпуска резонаторных устройств на современных высокопроизводительных линиях разделки кристаллов. .
Способ травления монокристаллов лангасита // 2052546
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов лангасита, используемых в электронной технике. .
Способ синтеза алмаза // 2042748
Изобретение относится к получению синтетических алмазов, имеющих большое народнохозяйственное значение. .
Способ получения синтетического аметиста // 2040596
Изобретение относится к гидротермальному синтезу кристаллов аметиста для ювелирной промышленности с использованием в качестве шихты кремнийсодержащих материалов. .
