Катодный узел
Задача повышения равномерности магнитного поля решается тем, что магнитная система выполнена в виде электромагнитов с замкнутым магнитным полем, каждый электромагнит содержит катушку индуктивности и сердечник, один конец которого связан с общим ярмом, а другой - с общим наконечником, число электромагнитов не менее трех и каждый из них имеет автономную систему питания. Устройство используется для нанесения тонких пленок в вакууме. 3 ил.
Изобретение касается нанесения тонких пленок в вакууме, более конкретно катодных узлов.
Известен катодный узел [1] содержащий катод, мишень, анод, магнитную систему, нагреватель, расположенный со стороны анода, противолежащей рабочей поверхности катода. Недостатком аналога является неравномерность индукции по всей длине магнитной системы, что приводит к неравномерности нанесения тонкой пленки на поверхность подложки. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является катодный узел [2] содержащий электрод-мишень конструктивно с ним взаимосвязанную магнитную систему, экраны и элементы охлаждения и напуска газа. Недостатком прототипа является то, что в магнитной системе индукция поля неравномерна, что приводит к неравномерности нанесения тонкой пленки на поверхность подложки. Задача изобретения повысить равномерность магнитного поля по всей длине магнитной системы. Эта задача решается тем, что магнитная система выполнена в виде электромагнитов с замкнутым магнитным полем, каждый электромагнит содержит катушку индуктивности и сердечник, один конец которого связан с общим ярмом, а другой с общим наконечником, число электромагнитов не менее трех и каждый из них имеет автономную систему питания. Введение в катодный узел электромагнитов с автономной системой питания, общим ярмом и наконечником обеспечивает возможность регулирования величины индукции на различных участках магнитной системы, что и позволяет достичь высокой равномерности магнитного поля по всей длине магнитной системы. На фиг. 1 показан общий вид катодного узла; на фиг. 2 схема магнитной системы; на фиг. 3 продольный разрез магнитной системы. Катодный узел содержит электрод-мишень 1, конструктивно с ним взаимосвязанную магнитную систему 2, экраны 3, элементы охлаждения 4 и напуска газа 5. Магнитная система 2 выполнена в виде электромагнитов 6 с замкнутым магнитным полем. Каждый электромагнит 6 содержит катушку индуктивности 7 и сердечник 8, один конец 9 которого связан с общим ярмом 10, а другой 11 с общим наконечником 12, число электромагнитов 6 не менее трех и каждый из них имеет автономную систему питания 13. Катодный узел работает следующим образом. При выполнении технологического процесса напыления на электромагниты 6 подается напряжение U1, U2,Un. Величина этих напряжений регулируется в зависимости от требуемой равномерности и величины рабочей индукции. Применение предлагаемого катодного узла позволяет повысить равномерность и обеспечивает возможность регулирования величиной магнитной индукции поля магнитной системы. Источники информации: 1. Заявка ФРГ N 3619194, С 23 С 14/34, 1987. 2. Б.С.Данилин.Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М. Энергоатомиздат, 1989, с.72-74.Формула изобретения
Катодный узел, содержащий электрод-мишень, конструктивно связанную с ним магнитную систему с полюсными наконечниками, отличающийся тем, что магнитная система выполнена в виде электромагнитов с общим ярмом и общим наконечником, имеющих автономную систему питания каждого элетромагнита, причем количество электромагнитов не менее трех.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3
Похожие патенты:
Способ изготовления мишени // 2086699
Изобретение относится к технологии изготовления мишеней для катодного распыления материалов и может быть использовано при нанесении покрытий, применяемых в машиностроении, приборостроении, радиоэлектронике и других отраслях народного хозяйства
Изобретение относится к поверхностной обработке материалов с использованием плазмы аномального тлеющего разряда и предназначено для применения при очистке и термообработке длинномерных металлических изделий, преимущественно проволоки и ленты, а также нанесении на них покрытий
Изобретение относится к нанесению тонких пленок путем ионного распыления материала в вакууме
Установка для нанесения покрытий в вакууме // 2073744
Изобретение относится к установкам для нанесения покрытия в вакууме
Вакуумно-дуговой источник плазмы // 2072642
Изобретение относится к микроэлектронной промышленности, стремительное развитие которой требует резкого увеличения производства полуфабрикатов из алюминия особой чистоты (АОЧ) в виде распыляемых мишеней
Установка для ионно-плазменного распыления // 2065889
Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для изготовления магнитного носителя информации (магнитные ленты и диски)
Изобретение относится к области технологии нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано в производстве электрофотографических носителей изображения
Изобретение относится к вакуумной плазменной технологии, предназначено для чистки и напыления на поверхность изделий тонкопленочных защитных или декоративных покрытий и может использоваться в машиностроении, микроэлектронике, легкой и других отраслях промышленности
Изобретение относится к технологии получения вакуумных покрытий и может быть использовано при нанесении защитных, износостойких и декоративных покрытий, в частности на керамические и стеклянные облицовочные плитки
Магнитная система планарного магнетрона // 2102527
Изобретение относится к области покрытия металлических материалов, а также других материалов металлическими и диэлектрическими материалами и может быть использовано при разработке устройств для вакуумного нанесения покрытий методом магнетронного распыления, а более конкретно магнитных систем планарного магнетрона в установках вакуумного нанесения покрытия на различные подложки, в том числе на полимерные пленки
Магнетронная распылительная система // 2107970
Магнетронная распылительная система // 2107971
Изобретение относится к рентгеновской оптике, в частности, к устройствам для отражения, поворота, деления, фокусировки и монохроматизации потока рентгеновского излучения и может быть использовано для проведения процессов рентгеновкой литографии, рентгеновской микроскопии, рентгеновской спектроскопии, а также в астрономии, физике, биологии, медицине и других областях технике, где используется рентгеновское излучение
Изобретение относится к области нанесения покрытий, в частности к магнетронному распылению электропроводящих покрытий в среде реактивных газов, и может быть использовано для получения прозрачных электродов и прозрачных электрообогревательных элементов
Способ магнетронного распыления // 2114487
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Источник многокомпонентных атомарных потоков // 2119730
Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для получения потоков частиц, используемых, например, для вакуумного нанесения тонких пленок
Магнетронный источник // 2125117