Способ получения карбида кремния

 

Изобретение относится к области производства абразивных материалов и может быть использовано при получении карбида кремния. Предлагаемый способ получения карбида кремния включает высокотемпературный нагрев кремний- и углеродсодержащего сырья, при этом нагрев ведут в атмосфере или токе азота при давлении 0,049÷0,13 МПа или со скоростью 0,5÷3,3 л/час, соответственно. Предлагаемый способ позволяет повысить чистоту и выход конечного продукта.

Изобретение относится к области производства абразивных материалов и может быть использовано при получении карбида кремния.

Известен способ получения карбида кремния путем карботермического восстановления в соответствии с уравнением SiO2+3C=SiC+2СО(-1120 кал). Процесс образования карбида кремния заключается во взаимодействии оксида кремния и углерода при температуре 2200-2300°С (И.С.Кайнарский, Э.В.Дегтерева "Карборундовые огнеупоры", Металлургиздат, 1963, стр.9-14).

Недостатками известного способа являются низкая чистота и невысокий выход конечного продукта, которые являются следствием следующих процессов: во-первых, образующийся в качестве промежуточного продукта в процессе карботермического восстановления монооксид кремния SiO не успевает полностью прореагировать и в значительных количествах уносится с печными газами, вызывая потери кремния и загрязняя окружающую среду; во-вторых, в интервале температур 1800-2000°С происходит разложение карбида кремния на кремний и углерод, что также увеличивает потери карбида кремния. Таким образом, получают технический карбид кремния, загрязненный примесями углерода, оксида кремния (кварц, кристалит и т.д.) с выходом 15-20%.

Известен способ получения карбида кремния путем электронагрева природной горной породы - шунгита, содержащего оксид кремния и углерод, при 1600-1800°С в вакуумной печи при остаточном давлении в ее рабочем пространстве 0,25-1,3 кПа (Патент РФ №2163563, МПК C 01 B 31/36, 2001 г.).

Недостатком способа является также невысокий выход конечного продукта (около 30%), который обусловлен тем, что в процессе нагрева шунгита при непрерывном удалении выделяющегося монооксида углерода из рабочего пространства печи вместе с ним удаляется и монооксид кремния, что неизбежно ведет к потерям по кремнию.

Таким образом, перед авторами стояла задача разработать способ получения карбида кремния, который бы обеспечивал высокий выход конечного продукта наряду с его высокой чистотой.

Поставленная задача решена в предлагаемом способе получения карбида кремния, включающем высокотемпературный нагрев кремний- и углеродсодержащего сырья, в котором нагрев ведут в атмосфере азота при давлении 0,049-0,13М Па или токе азота со скоростью 0,5-3,3 л/час.

В настоящее время из патентной и научно-технической литературы не известен способ получения карбида кремния, в котором высокотемпературный нагрев ведут в атмосфере или токе азота в заявляемых пределах давления или скорости, соответственно.

В предлагаемом способе в качестве исходного сырья могут быть использованы либо смесь кремнийсодержащего сырья и углерода, например смесь кварцевой породы и сажи или техногенные отходы, например смесь золы и углерода (сажи и т.п.), либо кремний-углеродсодержащее сырье, например шунгит. Ведение процесса в атмосфере или токе азота практически полностью исключает потери кремния за счет образования монооксида кремния, так как происходит образование азотсодержащих соединений кремния типа оксинитридов кремния (Si2ON2), которые являются нелетучими промежуточными продуктами взаимодействия оксида кремния и углерода в среде азота, что позволяет значительно снизить потери кремния. При этом ведение нагрева при давлении ниже, чем 0.049 МПа или скорости подачи азота меньше, чем 0,5 л/час, приводит к появлению промежуточных соединений кремния, которые в дальнейшем загрязняют конечный продукт. При этом ведение нагрева при давлении выше, чем 0,13 МПа или скорости подачи азота больше, чем 3,3 л/час, приводит к неоправданному перерасходу азота и электроэнергии, не улучшая рабочие характеристики конечного продукта.

Предлагаемый способ может быть осуществлен следующим образом. Исходное сырье - смесь кремнийсодержащего сырья и углерода, например смесь кварцевой породы и сажи, или кремнийуглеродсодержащее сырье, например шунгит, тщательно перемешивают и загружают в нагревательный аппарат, например печь ТВВ-4 или проходную электропечь непрерывного действия, в который подают газообразный азот в количестве, необходимом для создания в рабочем пространстве печи давления, равного 0,049-0,13 МПа, или в случае, если печь проходная, со скоростью 0,5-3,3 л/час. Исходную смесь используют в насыпном виде или таблетированную и нагревают при температуре 1600-1900°С в течение 3-8 часов. Затем полученный продукт охлаждают и анализируют химическим и рентгенофазовым методами анализа.

Предлагаемый способ иллюстрируется следующими примерами.

Пример 1. Берут смесь следующего состава (вес.%): SiO2 - 62,5; С (сажа) - 37,5. Смесь тщательно перемешивают и полученную порошковую смесь помещают в графито-трубчатую печь, в рабочее пространство которой подают азот для создания давления 0,049 МПа. Смесь нагревают при температуре 1600°С в течение 8 часов. Полученный продукт охлаждают. По данным химического и рентгенофазового анализов получают однофазный продукт: чистый карбид кремния SiC с параметрами решетки =0,4355 Hм. Примеси отсутствуют.

Пример 2. Берут смесь следующего состава (вес.%): SiO2 - 62,5; С (сажа) - 37,5. Смесь тщательно перемешивают и полученную порошковую смесь помещают в графитотрубчатую печь, в рабочее пространство которой подают азот для создания давления 0,13 МПа. Смесь нагревают при температуре 1900°С в течение 3 часов. Полученный продукт охлаждают. По данным химического и рентгенофазового анализов получают однофазный продукт: чистый карбид кремния SiC с параметрами решетки =0,4354 Нм. Примеси отсутствуют.

Пример 3. Берут смесь следующего состава (вес.%): SiO2 - 62,5; С (сажа) – 37,5. Смесь тщательно перемешивают и полученную порошковую смесь помещают в проходную печь, рабочее пространство которой продувают азотом со скоростью 0,5 л/час. Смесь нагревают при температуре 1600°С в течение 8 часов. Полученный продукт охлаждают. По данным химического и рентгенофазового анализов получают однофазный продукт: чистый карбид кремния SiC с параметрами решетки =0,4353 Нм. Примеси отсутствуют.

Пример 4. Берут смесь следующего состава (вес.%): SiO2 - 62,5; С (сажа) - 37,5. Смесь тщательно перемешивают и полученную порошковую смесь помещают в проходную печь, рабочее пространство которой продувают азотом со скоростью 3,3 л/час. Смесь нагревают при температуре 1900°С в течение 3 часов. Полученный продукт охлаждают. По данным химического и рентгенофазового анализов получают однофазный продукт: чистый карбид кремния SiC с параметрами решетки =0,4354 Нм. Примеси отсутствуют.

Предлагаемый способ позволяет повысить выход карбида кремния. Так при нагреве исходной смеси при температуре 1600°С в атмосфере азота в соответствии с предлагаемым способом весовой процент соединений кремния составляет 39,75%, а при нагреве исходной смеси при температуре 1600°С в вакууме в соответствии с известным способом весовой процент соединений кремния составляет 20,83%. При нагреве исходной смеси при температуре 1700°С в атмосфере азота в соответствии с предлагаемым способом или вакууме в соответствии с известным способом весовой процент соединений кремния составляет 63,35 или 23,01, соответственно.

Таким образом, предлагаемый способ получения карбида кремния позволяет повысить чистоту и выход конечного продукта.

Формула изобретения

Способ получения карбида кремния, включающий высокотемпературный нагрев кремний- и углеродсодержащего сырья, отличающийся тем, что нагрев ведут в атмосфере азота при давлении 0,049÷0,13 МПа или в токе азота со скоростью 0,5÷3,3 л/ч.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области композиционных материалов, а точнее к алмазосодержащим композиционным материалам с высокой теплопроводностью и температуропроводностью
Изобретение относится к области химической технологии получения твердофазных наноструктурированных материалов, а именно к способу получения наноструктур (в том числе нанотрубок) из углерода, нитрида углерода, нитрида бора, карбидов металлов и т

Изобретение относится к области производства конструкционных изделий на основе графита, в частности силицированного графита, предназначенного для использования в народном хозяйстве в опорных и упорных подшипниках, подшипниках скольжения, торцовых уплотнениях насосов, перекачивающих различные жидкости, в том числе с абразивными частицами, в производстве облицовочных плит в химическом и металлургическом производствах, в производстве стеклянных и минеральных волокон и т.д
Изобретение относится к области производства керамических, износостойких, жаростойких и абразивных изделий, в частности к области получения сырьевых материалов для производства указанных изделий, и может быть использовано при получении карбида кремния -модификаций

Изобретение относится к монокристаллическому карбиду кремния SiC и способу его получения, в частности к монокристаллическому SiC, используемому в качестве полупроводниковой подложки для светоизлучающего диода и электронного устройства или т.п., и к способу его получения
Изобретение относится к ядерной технике

Изобретение относится к синтетическим драгоценным камням из полупрозрачного монокристаллического карбида кремния и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к технологии получения материалов, а именно к технологии получения поликристаллического кремния и его химических соединений - карбида и нитрида - из природных кремнийсодержащих концентратов
Изобретение относится к способам получения порошкового материала на основе карбида кремния, который может быть использован для изготовления керамических изделий
Изобретение относится к технологии получения карбида кремния, используемого в керамической промышленности
Изобретение относится к технологии получения порошка карбида кремния, используемого в абразивной, керамической и электротехнической промышленности
Изобретение относится к области металлургии
Изобретение относится к области нанотехнологий
Изобретение относится к неорганической химии, конкретно к получению аморфного и поликристаллического карбида кремния путем термической деструкции соединений, содержащих в своем составе только углерод, кремний и хлор, и может быть использовано для получения порошков, покрытий и объемных матриц

Изобретение относится к порошковой металлургии, а именно к производству карбидокремниевой керамики твердофазным спеканием
Изобретение относится к области производства конструкционных изделий на основе углерода или графита, в частности силицированного графита
Изобретение относится к способу непрерывного пиролитического насыщения длинномерных пористых заготовок упрочняющим или защитным материалом
Изобретение относится к способу получения композитного материала на основе -SiC, который включает: а) получение смеси, называемой «смесью-предшественником», содержащей, по меньшей мере один предшественник -SiC и по меньшей мере одну углеродсодержащую термоотверждаемую смолу, б) формование указанной смеси-предшественника в виде гранул, плит, труб или кирпичей, для получения промежуточного изделия, в) полимеризацию смолы, г) введение указанных промежуточных изделий в емкость, д) закрытие указанной емкости с помощью средства для закрывания, позволяющего избежать повышения давления газа, е) термообработку указанных промежуточных изделий при температуре 1100°-1500°С для удаления органических компонентов смолы и образования -SiC в конечном изделии
Наверх