Устройство для измерения потерь преобразования смесительных свч диодов

 

О П И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

23! 632

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М—

Заявлено 26Х1|1.1967 (Ю 1186962/26-9) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 28.XI.1968. Бюллетень Ме 36

Дата опубликования описания 12.III.1969

Кл. 21а, 71

МПК 6 Olr

УДК 621.317.74(088.8) Комитет по селем изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

В. Т. В а сил ье в

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПОТЕРЬ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ

СМЕСИТЕЛЬНЪ|Х СВЧ ДИОДОВ

Известны устройства для измерения потерь преобразования смесительных СВЧ диодов, содержащие источник сигнала, гетеродин и измеритель мощности по вьрсокой и промежуточной частотам. Однако точность измерений этих устройств невысокая из-за нестабильности источника сигнала.

В предлагаемом устройстве источник сигнала и гетеродин подключены к опорному диоду, первого канала и к иопытуемому диоду второго канала через соответствующие направлен ные ответвители. Преобразованные сигналы через усил ители первого и второго каналов подаются на входы измерителя отношений. Причем у силитель первого ка нала имеет большее усиление .по сравнению с усилителем второго канала на величину потерь преобразования опорного диода. Указанное отличие позволяет повысить точность измерения.

На чертеже изображена блок-.схема предлагаемого устройства.

Блок-схема включает в себя источник сигнала 1,,направленный отвепвитель 2 с переходным ослаблением 3 дб, гетеродин 8, направленные ответвители 4 и 5 с переходным ослаблением 10 дб, детекторную головку с опорным диодом б и детекторную головку ко нтроля мощности гетеродина 7, детектор ную головку с испытуемым диодом 8, предварительный усилитель 9 второго канала, пред,варительный усилитель 10 первого канала, синхронный переключатель 11, главный усилитель промежуточной частоты 12, автоматический регулятор усиления (АРУ) 18, синхрон5 ный переключатель 14, измерительный усилитель 15 с квадратичным детектором, выходной прибор 1б и модулятор 17.

Так как в измер ительном усилителе установлен квадратичный детектор, то можно счи10 тать, напряжения в различных точках схемы пропорциональными мощности.

Источник сигнала импульсно модулируется частотой о„в модуляторе 17. Мощность источника сигнала через ответвитель 2 подво15 дится к опорному б и испытуемому 8 диодам.

К этим же диодам через ответвители 4 и 5 подводится мощность гетеродина 8. Преобразованные диодами сигналы усиливаются предварительными усилителям и 9 и 10 соответ20 ственно и поступают на входы синхронного переключателя 11, который поочередно с частотой о, подает эти сигналы на вход главното усилителя 12.

Усиленные сигналы поступают,на вход син25 хронного переключателя 14 и разделяются таким образом, что сигнал, пришедший с диода б, поступает в |измерительный усилитель 15, а сигнал с диода 8 — в регулятор

АРУ 18. Переключатель 14 работает синхрон50,но с переключателем,11. Так .как сигнал, пришедший с диода 8, поступает в регулятор

231632

Предмет изобретения

Составитеэь М. Порфирова

Техред Л. Я. Левина Корректор С. А. Муратова

Редактор А. Шиллер

Заказ 361(9 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

ЛРУ 18, то коэффициент усиления главного усилителя 12 зависит от величины этого сигнала, т. е. этот сигнал пропорционален потерям преобразования испытуемого диода 8.

Калибровкой установки доби ваются того, что бы коэффициент усиления пред варительного усилителя первого, канала был в L6 раз больше коэффициента усиления усилителя второго канала. (1.в — потери преобразования диода б).

Наиболее:простой является ка тибро вка с помощью диода с известными потеря|ми прео бразо ва ния. В этом случае диод с из вестными потерями устанавливают в детекторную головку 8 и на выходном приборе 1б,получают отсчет, ра вный потерям преобразования этого диода. Нестабильность мощ|ности источника сигнала не оказывает влияния на результаты изме рений.

Устройство для 1измерения потерь преобразования смесительных СВЧ диодов, включающее гетеродин, источник сипнала, измеритель отношения мощностей и си нхронный нереключатель с каналом АРУ и измерительным каналом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, источник сипнала и гетеродин подключены к опорному диоду первого канала и к .испытуемому диоду второго канала через соопветстВующие на1пра вленные от1ветвители, и преобразованные сигналы через усилители перьвого и второго кана15 лов поданы íà входы измерителя отно шен ий, причем усилитель перьвого канала имеет большее усиление по с|равнению с усилителем ВТорого канала на велич иву потерь преобразования опорного диода.

Устройство для измерения потерь преобразования смесительных свч диодов Устройство для измерения потерь преобразования смесительных свч диодов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх