Свч-плазмотрон



Свч-плазмотрон
Свч-плазмотрон
H05H1/26 - Плазменная техника (термоядерные реакторы G21B; ионно-лучевые трубки H01J 27/00; магнитогидродинамические генераторы H02K 44/08; получение рентгеновского излучения с формированием плазмы H05G 2/00); получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов (получение нейтронов от радиоактивных источников G21, например G21B,G21C, G21G); получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов (атомные часы G04F 5/14; устройства со стимулированным излучением H01S; регулирование частоты путем сравнения с эталонной частотой, определяемой энергетическими уровнями молекул, атомов или субатомных частиц H03L 7/26)

Владельцы патента RU 2718715:

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт радиологии и агроэкологии" (ФГБНУ ВНИИРАЭ) (RU)

Изобретение относится к плазменной технике, в частности к устройствам для генерирования плазмы с использованием внешних электромагнитных полей сверхвысокой частоты, и может быть использовано для проведения плазмохимических и тепловых технологических процессов, а также для плазменной обработки различных материалов и изделий. Технический результат - повышение надежности работы устройства счет того, что СВЧ-генератор вне зависимости от наличия или отсутствия микроволнового плазменного разряда, а также степени его согласования с питающей электромагнитной волной, работает на согласованную нагрузку. СВЧ-плазмотрон содержит СВЧ-генератор, соединенный через магистральный прямоугольный волновод с плазмотроном волноводного типа на волне Н10, который содержит прямоугольный волновод плазмотрона и диэлектрическую разрядную трубку, расположенную перпендикулярно широкой стенке этого волновода и проходящую через его середину, а также подсоединяемую к ней разрядную камеру. Устройство снабжено вторым дополнительным волноводом, а между СВЧ-генератором и разрядной камерой выполнен трехдецибельный квадратурный мост в виде направленного ответвителя шлейфного типа со связью по широкой стенке волновода, причем к первому выходному плечу моста подключают первый волновод плазмотрона, а ко второму выходному плечу моста подключают второй дополнительный волновод плазмотрона, при этом разрядная камера является общей для них, кроме того, оба волновода плазмотрона выполнены в виде короткозамкнутых отрезков таким образом, что ось разрядной камеры отстоит от короткозамкнутых концов волноводов на расстоянии, кратном нечетному числу λв/4, а в плече моста, развязанном с входным плечом, располагают согласованную волноводную нагрузку. 1 ил.

 

Изобретение относится к плазменной технике, в частности к устройствам для генерирования плазмы с использованием внешних электромагнитных полей сверхвысокой частоты и может быть использовано для проведения плазмохимических и тепловых технологических процессов, а также для плазменной обработки различных материалов и изделий.

Известен «Ускоритель с устройством высокочастотного питания, содержащий магнетрон, подключенный через фазовращатель к входному плечу волноводного моста, две идентичные резонаторные секции, подключенные к выходным плечам волноводного моста, поглощающую нагрузку, подключенную к плечу волноводного моста, развязанному со входным плечом, отличающийся тем, что между выходными плечами моста и входами идентичных резонаторных секций установлены два идентичных низкодобротных проходных резонатора. Патент РФ на изобретение №2154924, МПК: Н05Н 7/02, д. публ. 20.08.2000

Известен «СВЧ-плазмотрон», содержащий источник СВЧ-излучения, полый прямоугольный металлический волновод, в котором распространяется электромагнитная энергия с длиной волны основного типа колебаний Ню, связанные с ним два отрезка круглого запредельного волновода, расположенные перпендикулярно с двух сторон в центре широких стенок прямоугольного волновода, диэлектрическую разрядную камеру, а также газоформирователь с двумя соплами, выполненный в торце одной из частей запредельного волновода и обеспечивающий вихревой ввод потока плазмообразующего газа в разрядную камеру, при этом диэлектрическая разрядная камера размещена в прямоугольном волноводе и выполнена в виде двух частей, расположенных по горизонтальной оси прямоугольного волновода, причем наружная поверхность каждой части диэлектрической разрядной камеры ограничена двумя симметрично расположенными от центральной оси разрядной камеры полуцилидрическими поверхностями и прямоугольными поверхностями, также расположенными друг против друга и образованными двумя частями узких стенок волновода, которые срезают цилиндрическую поверхность разрядной камеры по двум хордам, при этом наружный диаметр каждой полуцилиндрической части d1 разрядной камеры равен внутреннему размеру широкой стенки волновода в, а расстояние L между хордами каждой из двух полуцилидрических частей разрядной камеры равно внутреннему размеру а узкой стенки прямоугольного волновода, кроме того, на наружной поверхности узких стенок прямоугольного волновода, на границе среза цилиндрической поверхности разрядной камеры по двум хордам, а именно в местах контакта узких стенок с расположенной внутри волновода разрядной камерой, выполнены симметрично расположенные друг против друга два сопла для дополнительного ввода струй газа, обеспечивающих охлаждение диэлектрических стенок разрядной камеры. Патент РФ на ПМ, №183873, МПК: Н05Н 7/00, д. публ. 08.10.2018 г.

Известен «Сверхвысокочастотный плазмотрон, содержащий сочлененные между собой прямоугольный и круглый волноводы, диэлектрическую разрядную камеру, поглотитель СВЧ мощности, СВЧ генератор, отличающийся тем, что между СВЧ генератором и сочленением круглого и прямоугольного волноводов вводят щелевой мост, а сочленение круглого и прямоугольного волноводов выполняют в виде волноводно-щелевого перехода.

Патент РФ на изобретение №2274963, МПК: Н05Н 7/00, д. публ. 20.04.2006. Наиболее близким аналогом к предлагаемому в качестве изобретения устройству является «Устройство для СВЧ-плазменной обработки материалов», содержащее СВЧ-генератор, соединенный через магистральный прямоугольный волновод с плазмотроном волноводного типа на волне Н10, который содержит прямоугольный волновод плазмотрона в диэлектрическую разрядную трубку, расположенную перпендикулярно широкой стенке этого волновода и проходящую через его середину, а также подсоединяемую к ней рабочую камеру, при этом устройство дополнительно содержит второй, аналогичный плазмотрон, расположенный так, что одним своим концом он соединен через прямоугольный волновод плазмотрона с магистральным прямоугольным волноводом и первым плазмотроном с помощью Е-тройника и волноводных поворотов, при этом противоположные концы прямоугольных волноводов плазмотронов соединены с помощью дополнительных волноводных поворотов, а диэлектрические разрядные трубы плазмотронов размещены коаксиально в круглых волноводах, подсоединенных, как и диэлектрические разрядные трубки, к вакуумной рабочей камере, расположенной между ними.

Патент РФ на изобретение №2157061, МПК: Н05Н 1/30, д. публ. 27.09.2000

Описанное устройство решает задачу повышения степени использования СВЧ энергии генератора за счет передачи неиспользованной части энергии, прошедшей через один плазмотрон, ко второму плазмотрону. Недостаток такого решения состоит в сложности и громоздкости устройства и конструкции волноводного тракта. Кроме того, защита магнетрона от отраженной волны обеспечивается только в случае строго идентичных условий поглощения и отражения СВЧ волны в обоих плазмотронах, что на практике обеспечить весьма сложно, так как они работают независимо друг от друга, а в случае отсутствия плазменного разряда в одном, а тем более в обоих плазмотронах вся или значительная часть СВЧ мощности возвращается обратно в магнетрон, поскольку в устройстве полностью отсутствует поглощающая балластная нагрузка.

К техническому результату относится повышение надежности работы устройства счет того, что СВЧ-генератор вне зависимости от наличия или отсутствия микроволнового плазменного разряда, а также степени его согласования с питающей электромагнитной волной, работает на согласованную нагрузку.

Кроме того, данная конструкция СВЧ-плазмотрона позволяет исключить необходимости использования технически сложных и дорогостоящих устройств согласования и защиты СВЧ генератора от отраженной волны. Вышеуказанный технический результат достигается за счет того, что «СВЧ-плазмотрон» содержит СВЧ-генератор, соединенный через магистральный прямоугольный волновод с плазмотроном волноводного типа на волне Н10. Последний содержит прямоугольный волновод плазмотрона и диэлектрическую разрядную трубку, расположенную перпендикулярно широкой стенке этого волновода и проходящую через его середину, а также подсоединяемую к ней разрядную камеру. При этом устройство снабжено вторым дополнительным волноводом, а между СВЧ-генератором и разрядной камерой, выполнен трехдецибельный квадратурный мост в виде направленного ответвителя шлейфного типа со связью по широкой стенке волновода, причем к первому выходному плечу моста подключают первый волновод плазмотрона, а ко второму выходному плечу моста подключают второй дополнительный волновод плазмотрона, при этом разрядная камера является общей для них, кроме того оба волновода плазмотрона выполнены в виде короткозамкнутых отрезков таким образом, что ось разрядной камеры отстоит от короткозамкнутых концов волноводов на расстоянии кратном нечетному числу λв/4, а в плече моста, развязанном с входным плечом, располагают согласованную волноводную нагрузку.

СВЧ-плазмотрон поясняется чертежом-схемой на фиг. 1

Фиг. 1 - СВЧ-плазмотрон (схема общего вида)

СВЧ-плазмотрон согласно Фиг. 1 содержит СВЧ генератор 1, сочлененный через магистральный прямоугольный волновод 2 с входным плечом трехдецибельного квадратурного волноводного моста 3, выполненного в виде направленного ответвителя шлейфного типа со связью по широкой стенке волновода. К первому выходному плечу моста 3 подключен первый волновод 4 плазмотрона, ко второму выходному плечу моста 3 подключен второй, идентичный первому, дополнительный волновод 5 плазмотрона. Разрядная камера 6 плазмотрона, выполненная в виде полой диэлектрической трубки, пересекает первый 4 и второй 5 волноводы плазмотронов посередине их широких стенок и перпендикулярно к ним. Оба волновода 4 и 5 плазмотрона выполнены в виде короткозамкнутых отрезков таким образом, что ось разрядной камеры 6 отстоит от короткозамкнутых концов волноводов на расстоянии кратном нечетному числу λв/4. К плечу моста 3, развязанному с входным плечом, подключена согласованная балластная волноводная нагрузка 7.

СВЧ-плазмотрон работает следующим образом: от СВЧ генератора 1 по прямоугольному волноводу 2 распространяется электромагнитная волна на основном типе колебаний Н10 с длиной волны в волноводе λв и подается во входное плечо трехдецибельного волноводного моста 3. В мосте происходит разделение входной волны на две равные части половинной мощности, но сдвинутые по фазе на 180°. Эти две волны того же типа Н10 по двум идентичным волноводам 4 и 5 проходят к области генерации плазмы 8 в разрядной камере 6, где происходит их частичное поглощение в плазме 8. Прошедшие части волн, энергия которых не была использована для поддержания СВЧ разряда, отразившись от короткозамкнутых концов волноводов 4 и 5, меняют свою фазу на 180° и на обратном пути снова частично поглощаются в плазме 8. Две отраженные от плазмы при первом прохождении, а также две прошедшие и не поглощенные при обратном, втором прохождении волны, складываются в волноводном мосте 3 попарно и поступают в развязанное плечо моста 3, где поглощаются в согласованной балластной нагрузке 7.

Применение данной конструкции СВЧ-плазмотрона позволит повысить надежность работы устройства счет того, что СВЧ-генератор вне зависимости от наличия или отсутствия микроволнового плазменного разряда, а также степени его согласования с питающей электромагнитной волной, работает на согласованную нагрузку.

Кроме того, данная конструкция СВЧ-плазмотрона позволяет исключить необходимости использования технически сложных и дорогостоящих устройств согласования и защиты СВЧ генератора от отраженной волны.

СВЧ-плазмотрон, содержащий СВЧ-генератор, соединенный через магистральный прямоугольный волновод с плазмотроном волноводного типа на волне Н10, который содержит прямоугольный волновод плазмотрона и диэлектрическую разрядную трубку, расположенную перпендикулярно широкой стенке этого волновода и проходящую через его середину, а также подсоединяемую к ней разрядную камеру, отличающийся тем, что устройство снабжено вторым дополнительным волноводом, а между СВЧ-генератором и разрядной камерой выполнен трехдецибельный квадратурный мост в виде направленного ответвителя шлейфного типа со связью по широкой стенке волновода, причем к первому выходному плечу моста подключают первый волновод плазмотрона, а ко второму выходному плечу моста подключают второй дополнительный волновод плазмотрона, при этом разрядная камера является общей для них, кроме того, оба волновода плазмотрона выполнены в виде короткозамкнутых отрезков таким образом, что ось разрядной камеры отстоит от короткозамкнутых концов волноводов на расстоянии, кратном нечетному числу λв/4, а в плече моста, развязанном с входным плечом, располагают согласованную волноводную нагрузку.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к плазменной технике, применяемой в электрометаллургии, и может быть использовано для инициирования высокочастотной плазмы на промышленной частоте 2,45 ГГц для плавления металлических порошков и изготовления деталей сложной геометрической формы в атмосфере защитных газов.

Изобретение относится к аппарату (13) холодной плазмы для обработки поверхности (6) холодной плазмой. Аппарат (13) имеет генератор (14) холодной плазмы, выполненный с возможностью генерации холодной плазмы, которая создает активные частицы для обработки поверхности (6).

Изобретение относится к системе электродов для плазменной обработки с диэлектрическим барьером. Согласно изобретению в системе электродов для плазменной обработки с диэлектрическим барьером поверхности электрически проводящего тела, используемой в качестве противоэлектрода, с гибким плоским электродом (1) и диэлектриком (2) из плоского гибкого материала, который посредством слоя (3), предотвращающего протекание постоянного тока, экранирует электрод (1) от обрабатываемой поверхности, причем диэлектрик (2) может прилегать к обрабатываемой поверхности через структуру с выступами, и при этом между выступами образуются воздушные полости для формирования плазмы, технологичность изготовления особенно улучшается тем, что структура представляет собой решетчатую структуру (6) из примыкающих друг к другу стенок (7, 8), которые отграничивают многочисленные камеры (9), образующие воздушные полости, и при этом камеры (9) имеют на стороне дна ограждение посредством предотвращающего протекание постоянного тока слоя (3) диэлектрика (2) и открытую к обрабатываемой поверхности сторону, поверхность контакта которой с обрабатываемой поверхностью состоит из концевых кромок (10) стенок (7, 8) решетчатой структуры (6).

Изобретение относится к области электротермической техники, а именно к устройствам, вырабатывающим плазму. Технический результат заключается в упрощении конструкции, обеспечении регулирования скорости движения, температуры и объема плазмы на выходе трубчатого корпуса.

Изобретение относится к области электротермической техники, а именно к устройствам, вырабатывающим плазму. Технический результат - упрощение конструкции, обеспечение регулирования скорости движения, температуры и объема плазмы на выходе трубчатого корпуса.

Изобретение относится к области электротермической техники, а именно к устройствам, вырабатывающим плазму в электродуговых камерах для сжигания твердых отходов. Технический результат - упрощение процессов регулирования температуры и повышение производительности при сжигании материала за счет дополнительного нагрева сжигаемого материала электрической спиралью, выполненной из тугоплавкого материала.

Изобретение относится к получению плазмы, а именно к устройствам для генерирования плазмы с использованием внешних электромагнитных полей и может применяться для ионно-плазменной обработки поверхностей различных материалов.

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати. Техническим результатом явяляется повышение эффективности способа пространственной стабилизации дуги.

Изобретение относится к области ионно-лучевой вакуумной обработке материалов и может быть использовано в плазменных источниках заряженных частиц и, в частности, в машиностроении для упрочнения режущего инструмента, повышения эксплуатационных свойств деталей машин и механизмов.

Изобретение относится к области физики плазмы, газового разряда, сильноточной электроники и т.д. и может быть использовано для генерации магнитоактивной низкотемпературной плазмы в больших объемах в целях проведения научно-исследовательской деятельности.
Наверх