Способ измерения тока закрытого коллекторного перехода транзистора

 

6оюз Советских

Социвлистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21<г, 11/02

Заявлено 03.1!.1969 (№ 1304347/26-25) с присоединением заявки №

МПК Н Oll 21/36

G 01г 21/Зб х}ДК 621.332.333,34 (088.8) Г! р нор итет

Опубликовано 06.Х.1970. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 22.ХП.1970

Комитет по делом изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

A. Ф, Терещенко и А. Я. Шкрылев

Зг яви гель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОКА ЗАКРЫТОГО КОЛЛЕКТОРНОГО

ПЕРЕХОДА ТРАНЗИСТОРА

Изобретение относится к электронной технике и может найти широкое применение в полупроводниковой промышленности.

Известный способ измерения тока закрыто}о коллекторпого перехода транзистора заключается в том, ITo к коллекторному и базовому электродам транзистора подключается источник постоянного напряжения, запирающий коллекторный переход. В полученный контур последовательно включается микроамперметр, по которому отсчитывают величину тока.

Эмиттерный электрод при этом отсосдинен от контура база — батарея — коллектор. Измерение тока закрытого коллекторного перехода транзистора известным способом возможно лишь в случае .проверки новых или выпаянных из радиотехнических устройств транзисторов, Переходы транизстора в рабочей схеме о}называются зашунтированными сопротивлениями порядка единиц или десятков килоом, и микроамперметр измеряет суммарный ток, во много раз превышающий искомый ток коллекторного пере:<ода. Выпаивание проверяемых транзисторов из схемы является трудоемкой операцией, увеличива}ощей сроки и стоимость проверки и ремонта аппаратуры, Предложенный способ позволяет измерять ток закрытого коллекторного перехода без вы:таивания транизсторов из радиосхемы, что во м}:ого раз сокращает затраты труда и ускоряет процесс испытания транзисторов прч отыскании неисправностей в схеме.

Способ основывается на особенности обратного тока коллектора транзистора, заключаю5 шейся в том, что ток коллектора в,диапазонс запирающих напря}кепий от несколы<их десяTbIx долей вольта (0,1 — 0,2 в) до нескольких единиц или десятков вольт (напряжение, близкое к пробою перехода) остается практически

10 }}еизменных(.

Для определения обратного тока коллекторпого перехода, зашунтированного резистором, достаточно провести два замера суммарного

Toка при двуx известных значения.; напря>ке15 }11}1}, например при Ul и У .

Способ отличается тем, что подключают общий зажим измерительной батареи и регистрирующего прибора к корпусной шине или проводам питания схемы для устранения то20 ков, протекающих через резисторы, шунтируощие участок коллектор — эмиттер проверяемо"o транзистора. Затем производят два отсчета показаний регистрирующего прибора при двух фиксированных значениях запираю25 щсго напряжения, после чего расчетным или графическим путем определяют величину тока закрытого коллекторного перехода транзистора.

Сущное} ь описываемого способа заключается в следующем.

283417.

Составптель 3. С. Челнокова

Корректор Л. Л, Евдонов

Редактор Т. 3. Орловская

Заказ 3655 11 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий прп Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Для измерения тока закрытого коллекторного, перехода транзистора, включенного в радиотехническую схему, измерительный источник регулируемого напряжения соединяют с микроамперметром, имеющим малое внутреннее сопротивление, таким образом, что в случае проверки транзистора типа р — n — р,плюсовой зажим источника присоединяется к базе транзистора, а минусовой зажим источника— к микроамперметру и к;питающим шинам касада. Кроме того, микроамперметр свободным зажимом подключают к коллектору проверяемого транзистора, после чего снимают и запоминают показание микроамперметра, соответствующее исходному напряжению U1 запирающего источника. Затем устанавливают новое напряжение источника Uq=yUi, где у — известный lno величине коэффициент, больший или меньший единицы, и измеряют второе значение тока, которое делят на у, а результат деления, т. е. второе значение тока в масштаое 1: 1., вычитают из первого значения тока, после чего результат умножают в раз.

7 — 1

Описываемый способ позволит проводить проверку транзисторов без выпаивания их из радиосхемы.

Предмет изобретения

Способ измерения тока закрытого коллек10 торното перехода транзистора, включенного в электричеокую схему, отличаюшийся тем, что, с целью повышения точности измерения без отпайки транзистора из схемы, подключают общий захким измерительной батареи и реги15 стрирующего прибора к шине питания электрической схемы и производят два отсчета показаний регистрирующего, прибора при двух фиксированных значениях запирающего напряжения, после чего расчетным или графиче20 ским путем определяют величину тока закрытого коллекторного перехода транзистора.

Способ измерения тока закрытого коллекторного перехода транзистора Способ измерения тока закрытого коллекторного перехода транзистора 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх