Способ изготовления тонкопленочиых резисторов

 

ОПИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

294182

Со1ов Советскик

Социвлиотическик

Реорублик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 20.Х.1969 (№ 1369395/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.1.1971. Б1оллстснь № 6

Дата опубликования описания 18.III.1971

МПК Н Olc 7, 00

Н Olc 17/00

Комитет оо авлвв изоорвтеиий и открытиЙ ори Совете Министров

СССР

УДК 621.316.86(088.8) Авторы изобретения,Б. П. Крыжановский и Л. А. Черезова

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Предмет изобретения

Известен способ изготовления пленочных резисторов на азотированных пленках титана, при котором напыленный слой титана подвергают нагреванию в атмосфере азота.

Цель изобретения — повышение стабильности резисторов. Для этого в качестве исходной резистивной композиции используется смесь двуокиси титана и двуокиси кремния.

Сущность изобретения заключается в получении тонкопленочного сопротивления из смеси двух компонентов двуокиси титана и двуокиси кремния. На подложку из керамики илн кварца «методом химического просветления» из смеси спиртового раствора этилового эфира ортотитановой кислоты с этиловым эфиром ортокремневой кислоты, наносят смешанный слой TiO> — Sio>, который затем обрабатывают в токе сухого аммиака при температуре 900 — 1000 С. Меняя содержание двуокиси кремния в слое, можно получить покрытия с удельным поверхностным сопротивлением от

10- до 101О о,11/кв. Причем с увеличением содержания окисла в слое температурный коэффициент сопротивления, будучи положительным для слоя из двуокиси титана, постепенно уменьшается и, проходя через нулевое значение, меняет знак на отрицательный. Это очень важное своиство, та 1 . Ilats, подобрав соотношс5 ние концентрации ннтрида и окисла в смешанном слое, можно создавать электросопротивленил различного номинала с малым температурным коэфф11цпснтом сопротивления.

В чертеже показано íзмснсние удельного по10 всрхностного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления в интервале температур от +20 до — 80 С с увеличением содержания двуокиси крсмьп1л в слое толщиной

0,25 .11 ил.

Способ изготовления тонкопленочных резисторов, основанный на азотпрованин исходных

20 материалов, нанесенных на подложку, отличаюи1ийся тем, ITo, с целью повышения стабильности резисторов, в качестве исходной рсзистивной композиции используетсл смесь двуокиси титана и двуокиси кремния.

294182

Ю7 ЮО мал % 5, OZ

Составитель Н. Герасимова

Редактор Е. Г. Гончар Текред А. А. Камышиикова Корректоры: О. С. Зайцева и О. И, Усова

Изд. М 274 Заказ 609/15 Тираж 475 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 475

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ изготовления тонкопленочиых резисторов Способ изготовления тонкопленочиых резисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве прецизионного набора резисторов в системах управления, автоматике, измерительной технике и других отраслях народного хозяйства

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении изделий с пленочными резистивными элементами, входящими в состав приемопередающих устройств, систем обработки сигналов и датчиков различного функционального назначения

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим конденсаторам и может быть использовано в технике СВЧ с использованием планарной технологии
Наверх