Патент ссср 410339

 

Юйтеитн "" биб,: .;

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

10339

1овз (. оветскитт

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 26.VI1.1971 (№ 1686096/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 6.Ч.1974

М. Кл. б 01г 31/26

Н Oll 11/l0

Государственный комитет

Совета Министров GC5 оо делам изооретений и OTkpblTHH

УДК 621,382(088.8) Авторы изобретения

Б. И. Григорьев и В. В. Тогатов

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЪ|Х

НОСИТЕЛ ЕЙ обр>

I oop2

10 определяют лей заряд а

Ii — Уз

>обр, In

> обр>

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению.

Известен способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в и-базе тиристора, включающий пропускание через тиристор импульсов прямого и обратного токов и измерение времени включения.

Однако этот способ сложен и не д ает необходимой точности, так как продолжительность обратного выключения существенно зависит от большого количества параметров внешней цепи.

Цель изобретения — повышение точности измерения.

Предлагаемый способ отличается тем, что через включенный по управляющему электроду тиристор пропускают импульсы прямого и обратного токов, измеряют времена обратного выключения, соответствующие различным амплитудам импульсов обратного тока, при постоянных амплитудах прямого тока и из соотношения: где тр — время жизни неосновных носителей заряда в и-базе тиристора; время обратного выключения, соответствующее амплитудс обратНОГО тОКа аноар,, время обратного выключения, соответствующее амплитуде тока

> обр» амплитуда обратного тока, заданная при измерении ti, амплитуда обратного тока, заданная при измерении 4, время жизни неосновных носитев и-базе тиристора.

На чертеже изображены временные диа15 грамммы тока управления, прямого и обратного импульсов анодного тока и напряжения, приложенного между анодом и катодом тиристора в процессе измерения.

Через включенньш по управляющему элек20 троду тиристор пропускают импульсы прямого и обратного токов амплитудами I» и I, „ñîответственно и по осциллограммам тока 1, или напряжения U, измеряют время обратного выключения ti. Изменив амплитуду обратного

25 тока до величины !,бр, большей Io,-р, при той же амплитуде прямого тока I„„измеряют время обратного выключения t>. Используя полученные в результате измерений времена обратного выключения ti и 4 при заданных ам30 плитудах1,бр, и 4бр,, определяют время жизt l 1 тр=

1обр, и

7обр

10 где тр

Предмет изобретения

20 обрд

Составитель О. Федюкина

Техред 3. Тараненко

Редактор Б. Федотов

Корректор Н, Торкина

Заказ 1044/10 Изд. № 357 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ни неосновных носителей заряда в п-базе тиристора из соотношения:

tg — tg т

1п

7обр, 7обр, Длительность импульса прямого тока должvа быть достаточной для включения тиристора по всей площади перехода.

Описанный способ позволяет определить время жизни неосновных носителей заряда непосредственно в четырехслойной структуре любого тиристора без его разрушения.

Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в и-базе тиристора, включающий пропускание через тиристор импульсов прямого и обратного токов и измерение времени выключения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, определяют времена обратного выключения, соответствующие различным амплитудам обратного тока при постоянных амплитудах прямого тока, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в и-базе тиристора из соотношения; время жизни неосновных носителей заряда в п-базе тиристора; время обратного выключения, соответствующее амплитуде обратНОГО тОКа 1обр,, время обратного выключения, соответствующее амплитуде обратНОГО тОКа 1,бр,, амплитуда обратного тока, заданная при изменении /, амплитуда обратного тока, задранная при измерении t2.

Патент ссср 410339 Патент ссср 410339 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Наверх