Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

IK АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ш1550602

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 03.09.75 (21) 2169784/25 (51) М. Кл. G 01R 31/26 с присоединением заявки №

Государстоаииый кс;катет

Совета Министров СССР ио делам изобре-еиий и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 15.03.77. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 04.04.77 (53) УДК 621.382.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

Р. М. Кадыров и Б. Д. Репин (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ

СТАТИЧЕСКОГО КОЭФФИЦИЕНТА

ПЕРЕДАЧИ ТОКА ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к электронной технике и может быть;римснено для измерения параметров транзисторов при их производстве, а также на входном контроле.

Известно устройство для измерения статического коэффициента усиления транзистора, содер>кащее генератор прямоугольных импульс0B тока, синxpонизатор, счетчик импульсов, ключи и набор эталонных сопротивлс ний, управляемых через ключи счетчиком импульсов (1).

Известное устройство обеспечивает высокую точность измерения при условии, что ко."пчество эталонных резисторов, а также ключей, ими управляющих, превышает количество единиц во всех возможных значениях h

21 Е, т. е. достигает нескольких сотен. Вследствие этого проверка занимает много времени, т. е. производительность измерений снижается.

Известно устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транз. сторов, содержащее источник коллекторно о напряжения, генератор прямоугольных импул:. сов, блок сравнения, усилитель, коллек.-о ",ц: е и оазовые резисторы (2). ,.,апное устройство вследствие большого количества элементов ненадежно в работе.

С целью повышения надежности измерений в предлагаемое устройство введены диод, резпстор и емкость, блок сравнения соединен с усилителем, выход которого подключен к параллельно соединенным резистору и емкости, включенных последовательно с диодом в

5 цепь генератора прямоугольных импульсов, соединенного с базовой и эмиттерной клеммами испытуемого транзистора.

На черте>ке показана схема предлагаемого устройства.

10 Устройство содер>кит транзистор 1, который питается от источника 2 коллекторного напряжения через коллекторное сопротивление 3. В цепь база-эмнттер транзистора 1 последовательно включены базовое сопротивле15 ние 4, генератор 5 прямоугольных импульсов, разделительный диод 6 и резистор 7, napaëлельно которому присоединен конденсатор 8.

Резистор 7 является выходной нагрузкой усилителя 9, к входу которого подключен олок

20 10 сравнения. К базовому сопротивлению 4 подключен индикатор 11, шкала которого отградуирована в единицах h 21Е.

Устройство работает следующим образом.

С генератора 5 на базу проверяемого тран25 зистора 1 г оступают импульсы, вызывающие появление коллекторного тока. Напря>кение с коллекторного сопротивления 3 поступает на блок 10 сравнения. Часть импульса, превышающая опорный уровень сравнения, про30 ходит на усилитель 9 и после усиления вы550602

Формула изобретения

Составитель T. Дозоров

Техред. И. Карандашова

Корректор И. Позняковская

Редактор Т. Янова

Заказ 601/12 Изд. № 285 Тираж 1054 11одписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2 деляется на резисторе 7, заряжая конденсатор 8.

Напряжение, создаваемое на конденсаторе, вычитается из напряжения генератора 5. В результате ток базы проверяемого транзистора уменьшается, вызывая уменьшение коллекторного тока по мере поступления импульсов до тех пор, пока амплитуда напряжения на коллекторном сопротивлении 3 не сравняется с опорным уровнем, установленным в блоке сравнения, после чего коллекторный ток поддерживается на постоянном заданном уровне. Диод 6 препятствует попаданию постоянного напряжения с конденсатора 8 на базу проверяемого транзистора в интервалах между импульсами.

Падение напряжения с/б на базовом сопротивлении 4 замеряется, индикатором 11, шкала которого отградуирована непосредственно в единицах h 21Е.

Предлагаемое устройство при сравнительной простоте позволяет сократить время измерения h 21E благодаря автоматической установке заданного режима в доли секунды и непосредственному считыванию результата с индикатора. Кроме того, изменяя величину базового и коллекторного сопротивлений простым переключением, можно использовать устройство для измерения h 21Е транзисторов различного типа без перестройки, что исключает необходимость изготовления отдельных устройств для этой цели, 5

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов, 10 содержащее источник коллекторного напряжения, генератор прямоугольных импульсов, блок сравнения, усилитель, коллекторные и базовые резисторы, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности измере15 ний, в него введены диод, резистор и емкость, блок сравнения соединен с усилителем, выход которого подключен к параллельно соединенным резистору и емкости, включенных последовательно с диодом в цепь генератора

20 прямоугольных импульсов, соединенного с базовой и эмиттерной клеммами испытуемого транзистора.

Источники информации, пр инягые во внимание при .экспертизе:

25 1. Лвт. св. СССР № 356600, М. Кл, G 01R

31/26, 23.10.72.

2. Авт. св. СССР № 385246, М. Кл. G 01R

31/26, 29.05.73 (прототип) .

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх