Способ обработки кремния

Авторы патента:

C30B33/02 - термообработка (C30B 33/04,C30B 33/06 имеют преимущество)

Способ обработки кремния n-типа проводимости, включающий выдержку пластин при 1250-1300^oC в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения качества поверхности кремния, обрабатываемую пластину экранируют кремниевой пластиной n-типа проводимости с образованием микрополости и создают между пластинами температурный градиент 100-200^o град/мкм с поддержанием максимальной температуры на обрабатываемой пластине.

Патент 394457 // 394457

Всесоюзядя 11 латенч/о- -."^^яи':нс?мя '« •'-6 ?иот?/;аб. а! . резников // 171854

Способ гомогенизации твердых растворов полупроводниковых интерметаллических соединений // 127030

Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид индия - селенид индия // 120330

Способ подогрева кремниевых стержней // 503463

Способ выращивания кристаллов кремния с двойниковыми границами по плоскостям {[11} // 418211

Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния // 396124

Патент 356873 // 356873

Способ получения монокристаллических слоевкремния // 272964

Патент 155288 // 155288

Устройство для получения монокристаллов кремния // 139440

Способ получения кремниевых заготовок // 138062

Способ плавления кремния и устройство для его осуществления // 113874

Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей // 107450

Абразивная суспензия // 2102543

Способ зонной перекристаллизации градиентом температуры кремниевых пластин на основе алюминиевых зон // 2107117

Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния // 2117081

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния // 2158324

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Способ получения мульти- и монокристаллического кремния // 2173738

Изобретение относится к химической технологии

Способ выращивания монокристаллов кремния // 2177513

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского