Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

<н728158 (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 071278 (21) 2692209/18-24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет рцм. к .

С 11 С 11/14

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий

Опубликовано 150480, бюллетень ¹ 14

Дата опубликования описания 180480,(53} УДК681. 327.66 (088. 8) (72) Авторы изобретения

В,П.Гогин, Е,К.Станина и Т.Н.Шадрина (71 ) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при разработке и изготовлении цилиндрических магнитных пленок (IINII) для запоминающих устройств.

Известен способ изготовления ЦМП путем нанесения слоя ферромагнитного сплава на Heìàãíèòíóþ проволочную основу с последующей термомагнитной обработкой f1).

Недостатком указанного способа является недостаточная однородность магнитных свойств, Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ получения ЦМП включающий электролитическое осаждение слоя ферромагнитного сплава на немагнитную проволочную подложку, измерение магнитного потока насыщения слоя ферромагнитного сплава, термомагнитную обработку и нанесение электровлагоэащитного покрытия f2).

Недостатком известного способа является то, что повьэление однородности магнитных свойств ферромагнитного сплава достигается только за счет регулировки по результатам коятроля величины магнитного потока и регулировкой в зависимости от этой величины токов осаждения, Описанные выше операции контроля проводятся перед операцией термомагнитной обработки, хотя известно> что термомагнитная обработка изменяет магнитные свойства IINII, в том числе и магнитный поток, потому контроль магнитного потока перед .термомагнитной обработкой не дает достоверных результатов и, кроме того, величина магнитного потока не характеризует полностью магнитные свойства

ЦМП.

Целью изобретения является улучшение технологии изготовления ЦМП, Поставленная цель достигается путем того, что по способу изготовления ЦМП,основанному на электролитическом .осаждении слоя ферромагнитного сплава на немагнитную проволочную основу, термомагнитной обработке и нанесении электроизоляционного покры тия, магнитный поток насыщения и коэффициент магнитострикции слоя ферромагнитного сплава после термомагнитной обработки сравнивают с эта30 лонным магнитным потоком насыщения

728158

Формула изобретения

ЦНИИПИ Заказ 1144/49 Тираж 662 Подписное

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ч коэффициентом магнитострикцни и по результатам сравнения регулируют вечину электролитического тока и температуру осаждения ферромагнитного сплава.

На чертеже изображена блок-схема устройства для изготовления ЦМП, функционирующего в соответствии с предложенным способом.

Устройство содержит узел 1 электролитического осаждения слоя ферромагнитного сплава на немагнитную, проволочную основу 2, печь 3 термомагнитной обработки, измеритель 4 магнитного потока, соединенный с блоком 5 сравнения результата измерения магнитного потока насыщения, выход которого соединен с регулятором 6 электролитического тока осаждения ферромагнитного сплава, подключенным к выходу узла 1, измеритель 7 величины магнитострикции, соединенный с блоком 8 сравнения результата измерения величины магнитострикции, выход которого соединен с регулятором 9 температуры осаждения ферромагнитного сплава, подключенным к входу узла 1.

Изготовление ЦМП согласно предложенному способу осуществляют следующим образом, На перемещаемую немагнитную проволочную основу 2 посредством узла 1 производят электролитическое осаждение слоя ферромагнитного сплава. Немагнитная основа с осажденным на ней ферромагнитным сплавом поступает в печь 3 и после термомагнитной обработки поступает в блоки 4 и 7 (измерение магнитного потока насыщения и коэффициента магнитострикции). По результатам сравнения с эталонными значениями магнитного потока насыщения и коэффициента магнитострикции производят изменение температуры электролита осаждения и тока осаждения следующим образом. Если магнитный поток мал, то увеличивают токи осаждения, если магнитный лоток велик, то уменьшают токи осажд»-. ния. Еслй коэффициент магнитострик ции осаждаемого сплава отрицательный, то уменьшают температуру электролита осаждения, если коэффициент магнитострикции осаждаемого сплава положительный, то увеличивают температуру электролита осаждения.

Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок, основанный на элек тролитическ ом осаждении слоя ферромагнитного сплава на немагнитную

2О проволочную основу, термомагнитной обработке и нанесении электроизоляционного покрытия, о т л и ч а юtq иH и с я тTеeмM, что, с целью улучшения технологии изготовления цилин25 дрических магнитных пленок, магнитный поток насыщения и коэффициент магнитострикции слоя ферромагнитнОго сплава после термомагнитной обработки сравнивают с эталонным магЗО нитным потоком насыщения и коэффици,ентом магнитострикции и по результатам сравнения регулируют величину электролитического тока и температуру осаждения ферромагнитного сплава, 35 . Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 454382; кл.G 11 С 11/14, 1971, 2. Авторское свидетельство СССР

9 530352, кл.G 11 С 11/14, 1976 (прототип).

Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх