Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистические

Респубпик

i»i 750582 (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву (5I )M. Кл.

Н 01 С 7/00 (22)Заявлено 07.09.77 (21) 2521945/18-21 с присоединением заявки РЙ

Гоаудпрстевнный комитет (23) Приоритет па делам иэооретеиий и открытий

Опубликовано 23.07.80. Бюллетень М 27

Дата опубликования описания 25,07 80 (53) УД К621,396, .6 9(088.8) А. С. Никадамбаев, Н. А. Коваленко, А, P. Набиева, Q. С. Сиражитдинова н С. Н. Аминов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

{54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при производстве непровопочных резисторов на основе пакосажевых комцоэиций, содержащих полимерные лаки, отвердитепи и напопнители, Известен резистивный материал, 5 содержащий сажу, эпоксидный пак и отвердитепь, в качестве которого испопьзована алкилфосфоноваи кислота (1 ;

Недостатком известного резистивного

10 матернапа является недостаточно низкив значения коэффициента напракениа, коэффициента цикличности и температурного коэффипиента, а также невозможность попучения высокой впагоустойчнвос м.

Известен резистивный материал, содержащий сажу, эпоксидньтй пак и сопоцнмер мапеинового ангидрида с гексеном-1/2).

Известный материал не обеспечивает низкого коэффициента напряженна и темпе а ратурного коэффициента сопротнвпвниа в области температур от +"е0 до +125бС и высокой стабильности сопротивления при резкой смене температур, 2

Це ь изобретения - уменьшение коэффициента напряжения, температурного коэффициента сопротивления в диапазона температур от +20 до +1250C, увеличение стабипьности сопротивления при резкой смене температур.

Это достигается тем, что резистивный материал, содержащий сажу, эпоксадный лак и органический отвердитель, содержит в качестве органического отвердителя

И,К -диэтипаминоэтиповый эфир сополимера мапеинового ангидрида с гексеном1 при следукецем количественном соотношении компонентов вес.%;

Сажа ф 6

) М -Дизтипамиио- . этиловый эфир сопопимера мапвинового ангидрида с гексеиом-1 2-6

Эпоксидиый пак agog

Строеййе Й И -днэтиламиноэтиаиеого эфира сопопимвра мапеинового ангидрида с гексеном-1 (ипи фракциями el- огиiфи

750582

Я-С Н„ или С H -С

Состав композици

7,0

4,0

5,0

590

4,5

88,0

90,88

91,5

1,0

2,0

0,8

0,3 0,5

300

350 от -60 до +20ОС

280

Влагоустойчивость, %

Сопротивление, КОМ, 0,2

0,09

0,9

350

350

350

3 нов), условно названного отвердителем

ЭГП-6

К ,. СН-СИ <-Н вЂ” CH

1 l

COOH С =О

0-CH СН М С И, ) IO

ЭГП-6 получают полимераналогичным превращением сополимера малеинового ангидрида с W -олефинами с помощью МЯ -диэтиламиноэтанола. ЭГП-6 представляет собой порошок розоватого цвета, раство- 15 римый в во1.,э, Мол, вес (35-40) 10 .

Ъ

Строение ЭГП-6 подтверждено данными

ИК-спектров и элементного анализа.

С целью определения влияния содержания отвердителя на реэистивные характеристики композиции, последние готовились с одинаковым содержанием сажи и различным отвердителя.

Предлагаемую реэистивную композицию получают следую1цим образом. Определен- 2s ное количество растворителя, смеси толуола и бутилового эфира уксусной кислоты (3:7) и сажа ДГ-100, прокаленной при

1300 С, перемешивают в атриторе 2-2,5ч.

Затем туда же добавляют рассчитанное 3о количество лака ЭФ-537 и отвердителя (ЭГП-6) и суспензию перемешивают дополнительно еще 3,5-4 ч, Отвердитель, вес. %

Сажа ЙГ-100, вес,%

Лак ЭФ-537 вес,%

Коэффициент напряжения, %

Коэффициент цикличности, %

ТКС.10, 1/град в области:

6 от +20 до 125ОС

Из таблицы видно, что характеристики предлагаемой резистивной композиции по ф

Пример 1. 4 г сажи llI-100, прокаленной при 13 00 С пере меш ивают в

О атриторе с 115 мл смеси растворителей (толуол — этилацетат 3:7) в течение 2 ч, Затем, после добавления 68,2 r лака

ЭФ вЂ” 537 и 3 г отвердителя суспенэию перемешивают и после установления вязкости наносят на керамические основания и подвергают термообработке при температуре 250 С в течение часа. Резистиво ные характеристики токопроводяшей пленки следующие:

Коэффициент напряжения,% 0,70

Температурный коэффициент +133 сопротивления (ТКС-10, -79

1/град)

Влагоустойчивость,% 0,98

Пример 2. 4 г сажи ДГ-100, прокаленной при 1300 С, 115 мл смеси растворителей (толуол — ацетат 7:3) перемешивают в атриторе 2 ч и после добавления 66,7 r лака ЭФ-537 и 4 5 r отвердителя перемешивают, как описано в примере 1, Характеристика токопроводящей пленки:

Коэффициент напряжения,% 0,74

Температурный коэффициент + 149 сопротивления (ТКС 10, -91

1/град)

Влагоусто йчивос ть,% О, 80

Сравнительные характеристики предлагаемого и известных реэистивных материалов приведены в таблице. основным параметрам превосходят параметры известных композиций, 5 750582 6

Формула изобретения Сажа 4

Резистивный материал, содержащий ММ вЂ” д и — диэтилвминосажу, эпоксидный лак, и органический этиловый эфир отвердитель, о т л и ч в ю шийся сопопимера малеитем, чтс,с целью уменьшения коэффициен- нового ангидрида та напряжения, температурного коэффициен- с гексеном-1 2-6 та сопротивления в диапазоне температур Эпоксидный лак Остальное от +20 до +125 С, увеличения ствбильо

Источники информации, ности сопротивления при резкой смене принятые во внимание при экспертизе температур, он содержит в качестве оргв- 10 1. Авторское свидетельство CCCP нического отвердителя М,N — диэтил- по заявке % 2499007/21 аминоэтиловый эфиР сополимеРа мвлеиново- кл. Н 01 С 7/00, 25.05.77. го ангидрида с гексеном -1 при следую- . 2. Авторское свидетельство СССР щем количественном . соотношении компо- по заявке Ж 2495207/21

I нентов, вес. Ж: 1S кл. Н Ol С 7/00, 08.06.77.

Составитель В. Солодова

Редактор Л. Лашковв Техред Н. Бабурка Корректор И. Муска

Заказ 4659/40 Тираж 844 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Резистивный материал Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх