Способ записи и считывания информации в сегнетопьезоэлектрическом односекционном запоминающем элементе
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИ ИТЕДЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (i»780040 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву
/ (22) Заявлеио18.12.78 (21) 2697089/18-24 (51) М. Кл. с присоединением заявки №
G 11 С 11/22
Государственный комитет
СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет
Опубликовано 151 180. Бюллетень ¹ 42
Дата опубликования описания 15. 11. 80 (53) УДК 681.327 (088.8) 7
К.Г. Самофалсв, Я.В. Мартынюк, Ю.И. Шпак, Г.И. Гаврилюк и В.M. Сапожников (72) Авторы изобретения
Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (71) Заявитель (54) СПОСОБ ЗАПИСИ И СЧИТ61ВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ
В СЕГНЕТОПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ОДНОСЕКЦИОННОМ
ЗАПОМИНАЮЩЕМ ЭЛЕМЕНТЕ
Изобретение относится к области запоминающих устройств .
Известен способ записи и считывания информации B пьезоэлектрических запоминающих элементах C1) и (2)
Один из известных способов считывания информации из пьезотрансформаторного запоминающего элемента заключается в подаче на вход элемента одиночного импульса тока и определении хранимой информации по полярности выходного сигнала (11 .
Недостатком этого способа являются большие аппаратурные затраты на его осуществление.
Из известных устройств наиболее близким техническим решением к дайному изобретению является способ записи и считйвания информации в сегнетопьезоэлектрическом односекционном запоминающем элементе, заключающийся в подаче на управляющие электроды элемента в режиме записи "единицы" импульса напряжения поляризации (21 .
При использовании этого способа при считывании информации происходит. разрушение информации, требуется высокое считывающее напряжение. Кроме того, этот способ характеризуется малым быстродействием.
Целью изобретения является повышение быстродействия способа.
Поставленная цель достигается тем, что при записи "нуля" деполяризуют сегнетопьезоэлектрическую пластину элемента, при считывании информации на управляющие электроды элемента подают импульс напряжения, не превышающий по амплитуде величину импульса
10 напряжения поляризации, а записанную информацию определяют по наличию пьезотока на выходе элемента.
При этом деполяризацию сегнетопьезоэлектрической пластины элемента
15 осуществляют подачей серии импульсов напряжения деполяризации с полярностью, противоположной полярности импульса напряжения поляризации, амплитудой, равной амплитуде импульса
20 напряжения поляризации, и длительностью на два порядка меньшей длительности импульса напряжения поляризации.
На фиг.1 показан сегнетопьезоэлектрический односекционный запоминающий элемент; на фиг. 2 - диаграмвы импульсов напряжений записи; на фиг ° 3. - диаграмьы импульсов напряже- .
30 ний считывания и выходного пьезотока.
780040
Способ записи информации в односекционный сегнетопьезоэлектрический запоминающий элемент состоит в том, что при записи "1" н пьезопластину 1 к управляющим электродам 2 и 3 через шины 4 и 5 прикладывают импульс найряжения поляризации, например, положительной полярности (см.фиг.2а) достаточной амплитуды и длительности, и
" "йоляризуют- участок пьезопластины 1 между электродами 2 и 3 . Полярность ймпуЖ са зависит от питающих напряжений, системы выбранных потенциалов и не имеет существенного значения для способа. При записи »0" про"=- извофйт деполяризацию участка пластины между электродами 2 и 3. Для этйгб к электродаМ 2,3 прикладывают серию импульсон, прлярность которых - йро"гйноположна полярности напряжения при поляризации (записи "1"), но равных ему по амплитуде (см.фиг.2б).
Длительность импульсов напряжения деполяризации выбирают на два
