Способ изготовления интегральных схем на цилиндрических магнитных доменах

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (i i >902072 (61) Дополнительное к авт. свид-ву—

Ф (22) Заявлено 09.06.80 (21) 2939578/18-24 (51) M. Клз

G 11 С 11/14 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет—

Государстееинык комитет (53) УДК 681.327..66 (088.8) Опубликовано 30.01.82. Бюллетень №4

Дата опубликования описания 05.02.82 по делам иэобретеиий и открытий (72) Авторы изобретения

Л. С. Ломов, В. И. Новиков, P. Д. Иванов, и Г. К. Чиркин (71) Заявитель

ы д P 1;, 4 (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при гостроении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) .

Известен способ изготовления интегральных схем (ИС) на ЦМД, основанный на последовательном нанесении пленочных слоев диэлектрика и проводника, а также резиста, проведении литографии по слою проводника, травлении слоя проводника через маску резиста, снятии остатков резиста, нанесении последующих пленочных слоев диэлектрика и магнитомягкого материала, а также резиста, проведении литографии по слою магнитомягкого материала, травлении магнитомягкого материала, снятии остатков резиста и вскрытии окон под контактные площадки (1) .

Известный способ требует как минимум двух шаблонов при изготовлении схем (на каждую литографию) и высокой точности на совмещение шаблонов, что усложняет тех- 2О нологический процесс изготовления ИС на

ЦМД.

Наиболее близок к предлагаемому способ изготовления ИС на ЦМД, который основан на нанесении на доменосодержащую пленку пленочных слоев проводников и диэлектриков, слоя резиста, экспонировании слоя резиста с переменной интенсивностью засветки по площади интегральной схемы, формировании маски резиста различной толщины, электроосаждении металла в сквозных.окнах резиста, дотравливании резиста в несквозных окнах, электроосаждении маг нитомягкого материала во всех сквозных окнах резиста, снятии резиста и вытравливании подслоя (2) .

В этом способе используется лишь одна маска резиста, но применение операций электроосаждения металла усложняет технологический процесс.

Цель изобретения — повышение технологичности изготовления ИС на ЦМД.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления ИС на ЦМД, основанном на нанесении на доменосодержащую пленку пленочных слоев проводников и диэлектриков, а также слоя резиста, экспонировании слоя резиста с переменной интенсивностью засветки по площади ИС, формировании маски резиста различной толщины и

902072

Формула изобретения

I травлении пленочных слоев, все пленочные слои наносят последовательно слой за слоем, например, катодным распылением, при формировании маски резиста устанавливают толщину резиста и глубину экспонирования резиста пропорционально глубине травления пленочных слоев под маской резиста и проводят сквозное травление всех пленочных слоев, не защищенных маской резиста.

На фиг. 1 — 8 показана последовательность технологических операций по изготовлению ИС на ЦМД, осуществляемых в соответствии с предлагаемым способом.

На фиг. 1 показан профиль исходной доменосодержащей пленки; на фиг. 2 — то же после нанесения всех пленочных рабочих слоев; на фиг. 3 — то же, после нанесения резиста; на фиг. 4 — экспонирование резиста с различной интенсивностью по площади

ИС; на фиг. 5 — профиль после проявления резиста с различной степенью засветки; на фиг. 6 — то же, после проведения операции травления на половинную глубину; на фиг. 7 то же, после полного травления слоев; на фиг. 8 — окончательный профиль после снятия резиста.

Предлагаемый способ заключается в следующем.

На поверхность доменосодержащей эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки 1, выращенной на подложке 2 гадолиний-галлиевого граната (фиг. 1), наносятся последовательно слои разделительного диэлектрика 3, проводника 4, изолирующего диэлектрика 5, магнитомягкого материала 6 (фиг. 2), затем резиста 7 (фиг. 3), например, негативного электронного. Затем производится засветка электронного резиста электронным лучом 8 различной интенсивности 31 и 3, причем 31 )Э (фиг. 4). В местах, где произошла засветка электронным лучом с интенсивностью 3i, при проявлении в слое резиста 7 образуется сквозное окно 9, а там, где засветка с интенсивностью J — несквозное 10 с недоэкспонированным слоем 11 (фиг. 5). Далее проводится операция травления пленочных слоев, например, ионоплазменное. При этом отравливается также и слой резиста. Интенсивность экспонирования Jz выбирается таким образом, чтобы непроэкспонированный слой 11 при проведении травлении сошел, образуя сквозное окно 12 не раньше, чем протравится слой 6 магнитомягкого материала (фиг. 6) . Далее травление проS î

2О

4 водят до тех пор, пока.не протравится слой

4 проводника в сквозном окне 9, при этом в сквозном окне 12 глубина травления достигает поверхности слоя 4 проводника, протравив насквозь слой 5 изолирующего диэлектрика (фиг. 7). Толщина слоя 7 резиста выбирается таким образом, чтобы после всего цикла травления на поверхности оставался минимальный остаточный слой 13 резиста (фиг. 7), который затем удаляется (фиг. 8).

Предлагаемый способ изготовления И(; на ЦМД включает в себя одну операцию по формированию маски резиста и одну операцию травления пленочных слоев. Это существенно упрощает технологический процесс изготовления ИС, так как сокращается количество проводимых операций. За счет сокращения числа операций снижается также трудоемкость изготовления ИС на ЦМД, а также повышается качество изготавливаемых приборов и увеличивается процесс выхода годных.

Способ изготовления интегральных схем на цилиндрических магнитных доменах, основанный на нанесении на доменосодержащую пленку пленочных слоев проводников и диэлектриков, а также слоя резиста, экспонировании слоя резиста с переменной интенсивностью засветки по площади интегральной схемы, формировании маски резиста различной толщины и травлении пленочных слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности изготовления интегральных схем на цилиндрических магнитных доменах, при нанесении пленочных слоев все пленочные слои наносят последовательно слой за слоем, например, катодным распылением, при формировании маски резиста устанавливают. толщину резиста и глубину экспонирования резиста пропорционально глубине травления пленочных слоев под маской резиста и проводят сквозное травление всех пленочных слоев, не защищенных маской резиста.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. IEEE Trans-МаЯп., V.NAG-13, 1977, № 5, р. 1370.

2. Патент Великобритании № 1507947, кл. Н 3 В, опублик. 1978 (прототип).

902072

1г

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Л. Пчелинская . Тех ред А. Бойкас Корректор А. Ференц

Заказ 12391/61 Тираж 623 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4