Способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке

 

О П И С А Н И Е <„>920837

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву.— (22) Заявлено 24.01.80 (21) 2874196/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (51) М. Кл.з

G 11 С 11)14.

Опубликовано 15.04.82. Бюллетень № 14 (53) УДК 681.327..66 (088.8 ) по делан изобретений. и открытий

Дата опубликования описания 25.04.82

Т. Г. Баряхтар, Ю. А. Кузин, Г. Н. Ман нин, А. М. Редченко и Е. Ф. Ходосов 1 з t

"" - .- -: °

Донецкий физико-технический инстит1ут

АН Украинской СС Р ьм.,,„ (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ МАГНИТНОЙ

СТРУКТУРЫ В ТОНКОЙ ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКЕ

ГоеУАаРственный KoMIITBT (23) Приоритет

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств переработки и хранения дискретной информации на решетках цилиндрических магнитных доменов (ЦМД).

Известен способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей плен ке, основанный на приложении к ней магнитного поля, направление которого совпадает с направлением намагниченности ЦМД, которые предварительно были сформированы в данной пленке. Импульсное магнитное поле создается с помощью токопроводящей петли или катушки, лежащей на пленке (1).

Однако применение магнитной структурь сформированной данным способом в различных устройствах на ЦМД, практически невозможно из-за ее крайней нерегулярности. 1

Наиболее близким к предлагаемому техническим решением является способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке, основанный, как и предлагаемый на формировании решетки

ЦМД и последующем перемагничивании за-, данных участков тонкой доменосодержащей

2 пленки. В данном способе магнитная структура формируется с помощью системы ортогональных проводников, нанесенных на пленку. При формировании доменной структуры сначала в пленке образуется решетка

ЦМД, затем отдельные участки перемагничиваются при подаче соответствующих токовых импульсов в проводники, ограничивающие эту область.

Недостатком данного способа также является его сложность, невозможность- обеспечения максимально допустимой плотности формируемых структур и регулирования их параметров в процессе формирования.

Цель изобретения — упрощение образования магнитной структуры.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке формирование решетки ЦМД осуществляют из однодоменного состояния, а перемагничивание тонкой доменосодержащей пленки

2О осуществляют многократно импульсным градиентным магнитным полем, амплитуда и направление которого определяются образованием в заданном участке доменосодержащей пленки доменной границы, разделяю3

9208 щей области с противоположно намагниченными ЦМД.

На фиг. l — 3 изображены последовательные стадии создания магнитной структуры; на фиг. 4 показана сформированная магнитная структура.

Создание магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом.

-К тонкой доменосодержащей пленке I (см. фиг. 1), в которой могут существовать ЦМД, прикладывают поле смещения

Н=Н, где Нэ — поле насыщения пленки.

Одновременно в проводник 2, который либо наносится непосредственно на пленку 1, либо на стеклянную пластинку, прикладыва15 емую к пленке, подаются прямоугольные . импульсы тока. Если необходимо создать доменную структуру в области 3, находящейся на .расстоянии от проводника 2, то полярность импульсов должна быть такой, чтобы 2О импульсное магнитное поле Н„ л, создаваемое проводником 2 в области 3, было антипараллельно полю смещения Н, Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля H n > Ho

25 где Н > — поле зародышеобразования данной пленки. Затем поле смещения снижается до величины Ho < Н Н„, где Н вЂ” поле коллапса ЦМД в данной пленке. зо

При этом в области 3 формируется регулярная решетка ЦМД. После этого поле смещения и амплитуда импульсного магнитного поля снижаются до нуля. Затем в проводник

2 подается последовательность импульсов тока той же полярности, что и при формировании решетки, но амплитуда которых достаточна для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Н„„„>

Н,.

После того как амплитуда импульсного магнитного поля будет снова уменьшена до нуля, область 4 (см. фиг. 2) пленки перемагнитится в решетку с ЦМД, полярность которых противоположна полярности ЦМД в области 3. Подавая в проводник 2 импульсы тока, полярность которых противоположна полярности подаваемых перед этим импульсов, а амплитуда, достаточная для создания

37

4 на расстоянии в (см. фиг. 3) от проводника 2 импульсного магнитного поля

Н1 имп Hs а на расстоянии а а

Нимд Н, и после уменьшения амплитуды до нуля, в областях 3 и 5 будут ЦМД одной полярности а в области 4 — противоположной (см. фиг. 3). Повторяя этот процесс несколько раз можно во всей области пленки, находящейся на расстоянии а от проводника 2, образовать магнитную структуру в виде,.областей с чередующейся намагниченностью

ЦМД в них (см. фиг. 4). Ширина областей может быть произвольной, точно установленной с помощью амплитуды импульсов тока.

Технико-экономические преимущества предлагаемого способа образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке заключаются в значительном упрощении существующих устройств форми: рования. магнитных структур пленок; в возможности регулирования параметров магнитных структур в процессе их формирования; в значительном снижении энергоемкости устройств, использующих магнитные структуры в виде областей с противоположно намагниченными ЦМД.

Формула изобретения

Способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке, основанный на формировании решетки цилиндрических магнитных доменов и последующем перемагничивании заданных участков тонкой доменосодержащей пленки, отличающийся тем, что, с целью упрощения образования магнитной структуры, формирование решетки цилиндрических магнитных доменов осуществляют из однодоменного состояния, а перемагничивание тонкой доменосодержащей пленки осуществляют многократно импульсным градиентным магнитным полем, амплитуда и направление которого определяются образованием в заданном участке доменосодержащей пленки доменной границы. разделяющей области с противоположно намагниченными цилиндрическими магнитными доменами.

Источники информации принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США № 3811119, кл. 340 — 174, опублик. 1976.

2. Патент США № 3798622, кл. 340 — 174, опублик. 1975 (прототип).

920837

Фиг.l

Составитель Ю. Розенталь

Редактор В. Бобков Техред A. Боикас Корректор О. Билак

Заказ 2356/62 Тираж 624 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1! 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 е®

° е

° Ф .4 ° Ô

Ф ФФ

° ° å®

® 4

9 Ф °

9 9 °

° O

Ф Э

° Ф

° Фе

° °

Фиг,9

Е чйу Ф ° е е

° °

° ° е® ° Ф °

° °

Фее р, °