Полусумматор на инжекционных элементах

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТО РСКОИУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Соцналнстичесинк

Республик

«»935947 (61) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 29. 10. 00 (21) 2998913/18-24 с присоединением заявки №(23) Приоритет—

Опубликовано 15.06.82. Бюллетень №22 (5t)M. Кл.

G 06 F 7/50

Рвударстеелный кемктет

СССР ао делам нзаеретенкй. н открытки (53) УД К681. 325. . 5(088. 8) Дата опубликования описания 17.06.82 (72) Автор изобретения

Г. И. Фурсин (7!) Заявитель

Московский ордена Трудового Красного Знамени физикотехнический институт (54) ПОЛУСУММАТОР НА ИНЖЕКЦИОННЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

Изобретение относится к вычисли" тельной технике и может быть использовано при построении больших интег ральных схем с инжекционным питанием (И Л).

Известен инжекционный полусумматор, содержащий четыре двухколлекторных транзистора и три одноколлекторных транзистора (1).

Недостатком его является сложность конструкции.

Известен также инжекционный полу" сумматор, содержащий два двухколлекторных транзистора и четыре однокол» лекторных транзистора. Базы всех транзисторов соединены с выходами источников тока, а эмиттеры соединены с нулевой виной 12) .

Недостатком его является относительная сложность конструкции полу" сумматора.

Цель изобретения - упрощение полусумматора.

Поставленная цель достигается тем, что полусумматор на инжекционных элементах, содержащий первый и второй двухколлекторные транзисторы, первый и второй одноколлекторные транзисторы, причем базы всех транзисторов подключены к выходам соответствующих источников тока, эмиттеры подключены к шине нулевого потенциала, базы первого и второго двухколлекторных .транзисторов являются входами полусумматора, первые коллекторы этих транзисторов объединены, вторые кол" лекторы соединены с базами соответственно первого и второго одноколлекторных транзисторов, коллекторы кото- рых объединены, содержит также трехколлекторный транзистор, база которого соединена с первыми коллекторами первого и второго двухколлекторных транзисторов,и с выходами источника тока, первый коллектор этого транзистора соединен с вторым коллектором первого двухколлекторного

935947

Формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 4213/52 Тираж 731 Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 транзистора, второй коллектор - с вторым коллектором второго двухколлекторного транзистора, третий коллектор соединен с выходом nåðåíîñà полусумматора, коллектор первого одноколлекторного транзистора соединен с выходом суммы полусумматора.

На чертеже представлена принципиальная схема полусумматора.

Полусумматор содержит двухколлекторные транзисторы 1 и 2, одноколлекторные транзисторы 3 и 4 и трехколлекторный транзистор 5. Полусумматор имеет входы 6 и 7, выход переноса 8,и выход суммы 9. Базы всех транзисторов соединены с выходами инжектирующих источников тока 10.

Данный полусумматор работает в инвертном коде, т.е. сигналу нуля соответствует высокий потенциал, а единице - низкий. При подаче на входы полусумматора двух логических единиц, транзисторы 1 и 2 закрыты, а транзистор 5 - насыщен током, инжектирующим в его базу, таким образом на выходе 8 будет "1 транзисторы

3 и 4 закрыты из-за того, что их базовые цепи зашунтированы транзистором 5 и на выходе 9 будет логический

"0". При подаче на входы двух логических "0" транзисторы 1 и 2 насыщены, транзисторы 3, 4 и 5 закрыты.

При подаче разных кодов на входы 6 и 7, один из транзисторов 1 или 2 насыщен, следовательно, один из тран зисторов 3 или 4 закрыт, а другой насыщен, а транзистор 5 закрыт, поэтому на выходе 8 будет логический

"0", а на выходе 9 - "1".

Конструкция данного полусумматора упрощена по сравнению с известной, так как число используемых активных элементов уменьшено до пяти. Небольшое число выводов позволяет использовать ego в виде компактной интегральной схемы.

Полусумматор на инжекционных. элементах, содержащий первый и второй двухколлекторные транзисторы, первый и второй одноколлекторные транзисторы, причем базы всех транзисторов подключены к выходам соответствующих источников тока, эмиттеры подключены к шине нулевого потенциала, базы первого и второго двухколлекторных транзисторов являются входами полусумматора, первые коллекторы.этих транзисторов объединены, вторые коллекторы соединены с базами соответственно первого и второго од20 ноколлекторных транзисторов, коллекторы которых объединены, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью упрощения полусумматора, он содержит трехколлекторный транзистор, база

25 которого соединена с первыми коллекторами первого и второго двухколлекторных транзисторов и с выходом источника тока, первый коллектор этого транзистора соединен с вторым колзо лектором первого двухколлекторного транзистора, второй коллектор - с вторым коллектором второго двухколлекторного транзистора, третий коллектор соединен с выходом переноса полусумматора, коллектор первого одноколлекторного транзистора соединен с выходом суммы полусумматора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Заявка Франции V 2088388, кл. H 03 K 19/08, опублик. 1970.

2.. Электронная техника. Сер.

"Микроэлектроника", 1977, Ь" 5, с.74 рис. 4 (прототип).