Резистивный материал

Авторы патента:

H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (1)947919 (6t) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 04 07.80 (21) 2948117/18-21

1 1) м g> 3 .Н 01 С 7/00 с присоединением заявки ¹ осударственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет (И) УДК 621. 396.

69(088 8) Опубликовано 30.07.82. Бюллетень ¹ 28

Дата опубликования описания 300782 (72) Автор изобретения с ттщ р:.: .Н.A. Селимов

1З„" „",. - Юййф фуь . (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных резисторов.

Известен резистивный материала (1), содержащий, вес.Ъ: моноокись кремния 2-6, ситалл 40-80 и хром остальное.

Недостатком резистивного материа1 ла является большой отрицательный температурный коэффициент сопротивления (ТКС) - порядка (7-10) 104 1/градус — и низкая стабильность сопротивления — 1-2% за 1000 ч работы при температуре около 75оС

Наиболее близким по технической сущности решения является резистивный материал для высокоомных резисторов с малым значением ТКС f2), содержащий, вес.Ъ: также моноокись кремния 15-30,ситалл 15-30 и хромостальное.

Однако он, являясь высокоомным, имеет низкую временную стабильность сопротивления.

Отмеченные недостатки не позволяют использовать известные резистивные материалы для напыления стабильных высокоомных резисторов при изготовлении интегральных микросхем.

Цель изобретения — повышение стабильности сопротивления тонкопленочных.резисторов при сохранении высо5 кого удельного сопротивления и низ- " кого значения ТКС.

ПоставЛенная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий моноокись кремния, ситалл и хром, содержит компоненты в следующем количественном соотношении, вес.Ъ:

Моноокись кремния 30-40.

Ситалл 30-40

Хром Остальное

Примеры конкретного выполнения.

Для изготовления тонкопленочных резисторов на основе предлагаемого резистивного материала приготовле о

9 образцов резистивного материала с максимальным, минимальным и средними содержанием моноокиси кремния, си.-. талла и хрома.

Методом термовакуумного напыления на ситалловые подложки иэ каждого иэ девяти подготовленных образцов реэистивного материала изготовлены по 100 шт тонкопленочных резисторов.

При этом толщина и площадь напылен947919 ной пленки для scex изготовленных резисторов по всем девяти образцам были выбраны одинаковыми

Составы резистивного материала и полученные электрические характеристики тонкопленочных резисторов приведены в таблице.

Компоненты, вес.%

Образец.

Удельное по- Стабильность верхностное за 1000 ч сопротивле- при +75 С, % ние, ком/кв.

Хром

Моноокись Ситалл кремния

30 30

100

1,0. 30

35 35

100

0,7.

30

100

0,5

0,7

35

100

100

30

0,5

100

40

0,25

0,5

1.00

30

40

100

0,25 40

40.

100

0,2

Как видно из таблицы, изменение 35 формула изобретения процентного содержания моноокиси кремния и ситалла влияет на стабиль- - Резистивный материал, содержащий ность тонкопленочных резисторов. моноокись кремния, ситалл и хром, При этом ТКС резисторов не превыше- .отличающийся тем, что, с ет значения 2-8 10 +-1/градус. 40 целью повыаения стабильности сопротивления тонкопленочных резисторов

Оптимальные пределы изменения мо- при сохранении высокого удельного сопроноокиси кремния и ситалла составляют .тивления и низкого значения темпеодинаковое значение 30-40 вес,В. При. ратурного коэФФициента сопротивле-. уменьшении граничных значений моно- 45 ния, он содержит исходные компоненты окиси кремния и ситалла уменьшается в следующем количественном соотношестабильность, а при увеличении — ухуд- нин, вес.Ф: шается TKC резисторов; . Моноокись кремния 30-40, Ситалл 30-40

Использование предлагаемого резис- Хром Остальное тивного материала обеспечивает воз- Источники инФормации, можность.изготавливать интегральные принятые во внимание при экспертизе схемы, содержащие высокоомные ста- 1. Авторское свидетельство СССР бильные резисторЫ. Технология напы- Ю 442516, Н 01 С 7/04, 26.01.73 ° ления резисторов не меняется по срав- 2. Авторское свидетельство СССР нению с используемой при напылении >> Ю 509896, Н 01 С 7/04, 15.05.74 (произвестными материалами. тотип).

Составитель Н. Кондратов

Редактор Е. Кинив Техред Л. Пекарь Корректор В. Бутяга

Эакаэ 5663/76 Тираж 761 Подписное

НИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035,, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх