Разложением галогенидов кремния или галогенсиланов или восстановлением их водородом в качестве единственного восстанавливающего агента (C01B33/03)

Отслеживание патентов класса C01B33/03
C01B33/03                     Разложением галогенидов кремния или галогенсиланов или восстановлением их водородом в качестве единственного восстанавливающего агента(74)

Способ получения высокочистого поликристаллического кремния // 2739312
Изобретение относится к химической технологии получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана водородом на кремниевые стержни-основы в безотходном режиме.

Способ очистки металлургического кремния от углерода // 2707053
Изобретение относится к металлургии и может быть использовано для прямой очистки металлургического кремния от углерода без использования экологически опасных технологических операций до степени чистоты солнечного кремния, используемого в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии в электрическую.

Способ повышения эффективности очистки кремния // 2702173
Изобретение относится к технологии очистки кремния, в частности к получению кремния, используемого для производства фотоэлектрических преобразователей, и может быть использовано для повышения скорости прямой очистки кремния.

Способ очистки металлургического кремния от примесей // 2693172
Изобретение относится к очистке металлургического кремния до степени чистоты солнечного кремния. Сущность изобретения заключается в расплавлении кремния в вакуумной камере и регулировке температуры расплава, при этом обеспечивается давление порядка 0,0001 бар и поддерживается температура расплава кремния в диапазоне от 1400°С до 1600°С.

Способ получения поликристаллического кремния // 2674955
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния.

Способ рафинирования технического кремния // 2673532
Изобретение относится к цветной металлургии и может быть использовано для очистки технического кремния, полученного восстановительной плавкой в руднотермических электрических печах.
Способ очистки технического кремния // 2671357
Изобретение относится к цветной металлургии и может быть использовано для очистки технического кремния, полученного восстановительной плавкой в руднотермических электрических печах.

Способ выплавки технического кремния // 2649423
Изобретение относится к цветной металлургии, а именно к технологии производства технического кремния в электрических печах, и может быть использовано для повышения качества кремния во время ведения восстановительной плавки.

Способ очистки металлургического кремния // 2645138
Изобретение относится к цветной металлургии, а именно к способам очистки (рафинирования) металлургического кремния от примесей.

Способ очистки технического кремния // 2635157
Изобретение относится к цветной металлургии, а именно к способам очистки технического кремния. Способ включает обработку расплава в присутствии флюса, состоящего из бикарбоната натрия и известняка в соотношении 1:1, при температуре кремния выше 1600°С окислительными газами, при этом 45-60% флюса загружают в ковш, затем проводят выпуск кремния в ковш, остальной флюс загружают по мере заполнения ковша через равные промежутки времени.

Устройство для рафинирования кремния // 2632827
Изобретение относится к технологии производства технического кремния в рудно-термических печах и его дальнейшего рафинирования для последующего производства полупроводникового и солнечного кремния.

Способ и устройство для рафинирования технического кремния // 2600055
Изобретение относится к технологии производства технического кремния в рудно-термических печах и его дальнейшего рафинирования.

Способ получения кремния // 2592629
Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к переработке кремнистых пород при получении полупроводниковых материалов, которые могут быть использованы для изготовления солнечных коллекторов и элементов электронной техники.

Способ рафинирования металлургического кремния // 2588627
Изобретение относится к области очистки кремния, пригодного для изготовления солнечных элементов, полупроводниковых приборов, МЭМС устройств, а также использования в химической и фармацевтической промышленности.

Способ получения поликристаллического кремния и реактор для получения поликристаллического кремния // 2581090
Изобретение относится к технологии получения поликристаллического кремния путем осаждения на кремниевой электродной проволоке методом Siemens.

Способ очистки технического кремния // 2565198
Изобретение относится к области металлургии, а именно к получению металлов и сплавов в руднотермических электропечах, и может быть использовано в производстве технического кремния при его очистке от примесей.

Способ и устройство для получения ультрачистого кремния // 2540644
Изобретение относится к технологии производства кремния высокой чистоты, который может быть использован в полупроводниковой промышленности, например, при изготовлении солнечных элементов или микрочипов.

Способ (варианты) и устройство для производства кремниевых подложек // 2532197
Изобретение относится к технологии получения высокочистых длинномерных кремниевых подложек для производства солнечных батарей.

Способ получения кремния с использованием субхлорида алюминия // 2519460
Изобретение относится к области металлургии кремния и может быть использовано для получения поликристаллического кремния для фотогальваники.

Способ получения кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем с использованием тетрахлорсилана для снижения осаждения на стенках реактора // 2518613
Изобретение относится к способу получения кремния. В способе используют подачу травильного газа около стенок реактора с псевдоожиженным слоем.

Реактор для получения поликристаллического кремния с использованием моносиланового метода // 2501734
Изобретение относится к реактору для получения поликристаллического кремния с использованием моносиланового метода.
Галогенидсодержащий кремний, способ его получения и его применение // 2500618
Изобретение относится к технологии получения галогенидсодержащего кремния. Галогенированный полисилан термически разлагают при непрерывном добавлении в реактор в диапазоне температур 350°C-1200°C и при давлении от 10-3 мбар до 1,3 бар.

Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня // 2499768
Изобретение относится к устройству электропитания, по меньшей мере, одного кремниевого стержня (3) во время осаждения кремния по Сименс-процессу, причем устройство имеет, по меньшей мере, один вход (E) для подключения устройства к электрической сети (N) энергоснабжения для питания электрической энергией, по меньшей мере, один выход (A), к которому подключается, по меньшей мере, один кремниевый стержень (3), и, по меньшей мере, один преобразователь-регулятор (1) переменного тока для питания, по меньшей мере, одного подключенного, по меньшей мере, к одному выходу (A) кремниевого стержня (3) электрическим током из сети (N) энергоснабжения, причем устройство содержит также, по меньшей мере, один частотный преобразователь (2) для питания, по меньшей мере, одного подключенного, по меньшей мере, к одному выходу (A) кремниевого стержня (3) электрическим током из сети (N) энергоснабжения, который имеет более высокую частоту, чем ток, выработанный преобразователем-регулятором (1) переменного тока.

Способ получения кремния высокой чистоты // 2497753
Изобретение относится к производству высокочистого кремния в виде наноразмерного порошка, который может быть использован в полупроводниковой электронике и в нанотехнологиях.

Аппарат для получения и способ получения поликристаллического кремния // 2495164
Изобретение относится к производству стержней поликристаллического кремния. Способ осуществляют в реакторе, содержащем донную плиту, образующую нижнюю часть реактора и колоколообразный вакуумный колпак, прикрепленный с возможностью снятия к донной плите, в котором на донной плите расположено множество газоподводящих отверстий для подачи сырьевого газа снизу вверх в реактор, и газовыводящих отверстий для выпуска отработанного газа после реакции, и в котором множество газоподводящих отверстий расположено концентрически по всей площади, охватывающей верхнюю поверхность донной плиты, в которой устанавливают множество кремниевых затравочных стержней, причем кремниевые затравочные стержни нагревают, и поликристаллический кремний осаждают из сырьевого газа на поверхностях кремниевых затравочных стержней, при этом прекращают подачу сырьевого газа из газоподводящих отверстий вблизи центра реактора в течение заданного времени, в то время как подают сырьевой газ из других газоподводящих отверстий на ранней стадии реакции, и обеспечивают путь для нисходящего газового потока после столкновения с потолком вакуумного колпака.

Способ получения гранул кремния высокой чистоты // 2477684
Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов.

Способ получения поликристаллического кремния // 2475570
Изобретение относится к технологии получения стержней из поликристаллического кремния. .

Способ получения поликристаллического кремния // 2475451
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния.

Реактор для поликристаллического кремния и способ получения поликристаллического кремния // 2470098
Изобретение относится к технологии производства поликристаллического кремния. .

Способ очистки металлургического кремния увлажненной плазмой переменного тока в вакууме // 2465202
Изобретение относится к технологии очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния для фотоэлектронной промышленности, и в том числе для изготовления солнечных батарей.

Способ получения слитков поликристаллического кремния // 2465201
Изобретение относится к способу очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния для фотоэлектронной промышленности, и в том числе для изготовления солнечных батарей.

Способ рафинирования металлургического кремния // 2465200
Изобретение относится к способам очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния.

Способ рафинирования металлургического кремния плазмой сухого аргона с инжекцией воды на поверхность расплава с последующей направленной кристаллизацией // 2465199
Изобретение относится к технологии очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния для фотоэлектронной промышленности, в том числе для изготовления солнечных батарей.

Реактор для получения стержней поликристаллического кремния // 2457177
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для выращивания стержней поликристаллического кремния, а именно для выращивания поликристаллического кремния преимущественно путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки.

Реактор для получения стержней поликристаллического кремния // 2455401
Изобретение относится к устройствам для выращивания поликристаллического кремния, преимущественно, путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки (основы).
Способ получения высокочистого элементного кремния // 2451635
Изобретение относится к технологии получения высокочистого элементного кремния с помощью реакции тетрахлорида кремния с жидким металлическим восстанавливающим агентом при использовании двухреакторной установки.

Система охлаждения колпака реактора для выращивания поликристаллического кремния // 2451118
Изобретение относится к устройствам, специально предназначенным для выращивания поликристаллического кремния, а именно к системе охлаждения колпака реактора для выращивания поликристаллического кремния, преимущественно путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки (основы).

Способ очистки кремния // 2445258
Изобретение относится к технологии получения чистого кремния (поликристаллического, монокристаллического, гранулированного и/или его штабиков), используемого для производства солнечных коллекторов или интегральных схем.

Способ получения кремния для фотоэлементов и других применений // 2441839
Изобретение относится к технологии получения высокочистого кремния, используемого для производства фотогальванических элементов.

Способ получения кремния высокой чистоты // 2435731
Изобретение относится к области цветной металлургии при производстве высокочистого кремния, используемого для солнечных батарей.

Способ формирования слоя поликристаллического кремния на стержневой основе // 2428525
Изобретение относится к хлорсилановой технологии получения поликристаллического кремния и может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов и электронных приборов.

Способ получения кремния // 2415809
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при производстве кремния. .
Способ устранения примесей бора из порошка кремния // 2415734
Изобретение относится к металлургии, а именно к очистке порошка кремния от примесей. .

Способ и установка для очистки кремния // 2415080
Изобретение относится к металлургии, в частности к получению кремния высокой чистоты для изготовления солнечных элементов.
Способ очистки порошкообразного кремния (варианты) // 2388691
Изобретение относится к металлургии, в частности к получению кремния повышенной чистоты. .

Разъемный реактор для получения стержней поликристаллического кремния // 2382836
Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристалличсского кремния осаждением на нагретые стержни (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов.
 
.
Наверх