Индукцией, например нагревательными элементами (C30B13/20)

C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B13/20                     Индукцией, например нагревательными элементами ( C30B13/18 имеет преимущество; индукционные катушки H05B6/36)(9)

Способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты) // 2507318
Изобретение относится к технологии получения высокочистых полупроводниковых материалов для электронной, электротехнической промышленности и солнечной энергетики. Один из вариантов получения кремниевых филаментов в виде прутков и/или подложек произвольного сечения из высокочистого кремния включает непрерывное литье кремния из расплава вниз на затравку через фильеру, расположенную между зоной расплава и индуктором в атмосфере кислорода, охлаждение получаемого филамента погружением в охлаждающую среду, при этом затравление осуществляют ниже плоскости фильеры, уровень охлаждающей среды устанавливают и поддерживают вблизи фронта кристаллизации, а фронт кристаллизации кремниевых прутков и/или подложек удерживают ниже плоскости фильеры на расстоянии от 0,5 до 20 мм.

Высокочастотный индуктор с фильерами для производства множества кремниевых прутков // 2459891
Изобретение относится к высокочастотному индуктору с фильерами для производства множества прутков из кремния. .

Способ получения полых монокристаллов кремния // 2324017
Изобретение относится к области получения профилированных монокристаллов кремния, на основе которых могут изготавливаться полупроводниковые приборы нового поколения. .
Способ получения однородных монокристаллов // 2257428
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. .

Установка зонной плавки алюминиевых сплавов // 2098504
Изобретение относится к металлургии и электронике, в частности к получению особо чистых материалов и сплавов на их основе. .

Устройство для очистки веществ методом зонной плавки // 1604866
Изобретение относится к технике получения чистых веществ и обеспечивает повышение экономичности за счет снижения требований к точности изготовления контейнера. .
 
.
Наверх