Отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией (C30B13/34)

Отслеживание патентов класса C30B13/34
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B13/34                     Отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией(5)

Способ получения монокристалла оксида ниобия // 2734936
Изобретение относится к области технологии материалов, которые могут применяться в электронике в качестве контактов для конденсаторов.

Способ выращивания бикристаллов переходных металлов // 2389831
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании бикристаллов переходных металлов и их сплавов.

Способ выращивания монокристаллов германия диаметром до 150 мм методом отф // 2381305
Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ.

Способ выращивания монокристаллов изотопно-обогащенного кремния // 2370576
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов изотопнообогащенного кремния 28Si или 29 Si, или 30Si, который является перспективным материалом для изготовления элементов спиновой наноэлектроники, квантовых компьютеров, радиационностойких детекторов ионизирующих излучений.

Способ выращивания трубчатых кристаллов вольфрама и устройство для его реализации // 2358043
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла.

Способ выращивания монокристаллов германия методом отф // 2330127
Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав.
 
.
Наверх