С использованием прямого нагрева сопротивлением в дополнение к другим методам нагрева, например с использованием эффекта пельтье (C30B15/18)

C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B15/18                     С использованием прямого нагрева сопротивлением в дополнение к другим методам нагрева, например с использованием эффекта пельтье(2)

Устройство для выращивания монокристаллов арсенида галлия методом чохральского // 2785892
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов арсенида галлия, являющихся перспективными для использования в микроэлектронике, солнечной энергетике и ИК-оптике. Устройство для выращивания монокристаллов арсенида галлия методом Чохральского включает ростовую водоохлаждаемую камеру с установленным внутри камеры тиглем с расплавом, вокруг стенок которого установлен графитовый нагреватель штакетного типа с расположенным вокруг него индуктором, который выполнен из трех графитовых катушек А,В,С, соосно расположенных одна над другой, каждая из которых выполнена в виде 4 графитовых колец 14 прямоугольного сечения с прорезами, ступенчато соединенных в витки графитовыми вставками 16 и скрепленными шпильками 17 из композитного материала, соединяющими все 12 колец в единую конструкцию, при этом между графитовыми кольцами 14 катушек А, В, С установлены электроизоляционные керамические вставки 15, к началам катушек А, В, С присоединены композитные планки, подключенные к токовводам 19, концы катушек А, В, С электрически соединены с помощью композитных планок по схеме «звезда», индуктор и нагреватель имеют индивидуальные источники питания с возможностью независимого друг от друга функционирования и управления.
Окрашенный монокристалл // 2026897
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий. .
 
.
Наверх