Кристаллы сложной геометрической формы, например трубки, цилиндры (C30B29/66)

C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B29/66                     Кристаллы сложной геометрической формы, например трубки, цилиндры(13)

Высокоэнергетические кристаллы, полученные прецизионной резкой // 2786419
Изобретение относится к технологии изготовления кристалла кварца. Способ вырезания кристалла из бруска синтетического кварца включает получение бруска синтетического кварца, вырезание из указанного бруска синтетического кварца кристалла в форме модифицированного правильного тетраэдра, содержащего четыре по существу идентичные треугольные грани, выполненные с возможностью задания четырех усеченных вершин и шести скошенных ребер, причем каждая из четырех усеченных вершин параллельна по меньшей мере одной из четырех по существу идентичных треугольных граней, при этом шесть скошенных ребер имеют среднюю длину l и среднюю ширину w, каждая из четырех усеченных вершин содержит три стороны у и три стороны z; причем 8≤1/w≤9,5, 1,3≤y/w≤1,7, 0,8≤z/w≤1,2; полировку указанного кристалла, причем вырезание и полировку осуществляют без нагревания бруска синтетического кварца выше 573°С и без перехода в состояние плавленого кварца.

Способ получения торцевых поверхностей с кривизной на монокристаллах сапфира // 2743354
Изобретение относится к области выращивания монокристаллических сапфировых заготовок из расплава для изготовления деталей из сапфира для оптических применений, микроскопии, измерительной техники. Способ получения торцевых поверхностей с кривизной на монокристаллах сапфира включает затравливание с поверхности формообразователя 1 на затравочный кристалл 3, выращивание из столба расплава 5 кристалла 4 требуемой формы и резкий отрыв кристалла 4 от формообразователя 1, который выполнен с цилиндрическими выемками 2 с диаметром рабочей поверхности d, равным или большим поперечных размеров поверхностей с кривизной 7, и глубиной Н, равной или большей d, положение выемок 2 соответствует положению поверхностей с кривизной 7 в сечении кристалла 4, перед отрывом кристалла 4 заполненные расплавом 5 выемки располагают под фронтом кристаллизации 6.

Способ получения субмикронных кристаллов нитрида алюминия // 2738328
Изобретение относится к химической технологии субмикронных кристаллов нитрида алюминия в форме гексагональных призм и комбинации гексагональной призмы с дипирамидой и пинакоидом, которое может быть использовано при создании элементов нано-, микро- и оптоэлектроники, а также люминесцентно-активных микроразмерных сенсоров медико-биологического назначения.

Высокоэнергетические кристаллы, полученные прецизионной резкой // 2668034
Изобретение относится к технологии изготовления кристаллов для энергетической и вибрационной лечебной терапии, использующей драгоценные камни. Кристалл синтетического кварца имеет модифицированную форму правильного тетраэдра и содержит четыре по существу одинаковые треугольные грани, выполненные с возможностью задания четырех усеченных вершин и шести скошенных ребер, при этом шесть скошенных ребер имеют среднюю длину l, среднюю ширину w и 8≤l/w≤9,5; каждая из четырех усеченных вершин кристалла параллельна по меньшей мере одной из четырех по существу идентичных треугольных граней и содержит три стороны y и три стороны z, причем 1,3≤у/w≤1,7 и 0,8≤z/w≤1,2.

Нанотубулярные материалы, кристаллизующиеся в системе k2o-tio2-x-h2o (x=nio, mgo, al2o3, cr2o3, co2o3, fe2o3) и способ их синтеза // 2640766
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к нанотрубкам на основе сложных неорганических оксидов, которые могут быть использованы в качестве сорбентов, гетерогенных катализаторов и компонентов композитных материалов фрикционного и конструкционного назначения.

Способ формирования полых монокристаллических цилиндрических трубок // 2630811
Изобретение относится к области электронной техники для изготовления аксиальных цилиндрических изделий различных элементов силовых электрических приборов, в частности катодов термоэмиссионных преобразователей.
Способ изготовления массивов кобальтовых нанопроволок // 2624573
Изобретение относится к изготовлению массивов кобальтовых нанопроволок в порах трековых мембран. Способ включает электроосаждение кобальта в поры трековых мембран из электролита, содержащего CoSO4⋅7H2O - 300-320 г/л, H3BO3 - 30-40 г/л, при рН 3,5-3,8 и температуре 40-45°С.

Устройство для выращивания монокристаллов фторидов и способ их получения // 2599672
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов фторидов из расплава для использования в оптике. Устройство для выращивания монокристаллов фторидов 10 из расплава 9 вытягиванием вниз включает тигель-нагреватель 5, выполненный из графита в форме вертикально установленного полого тонкостенного цилиндра, оснащенного в нижней части крышкой 6 из графита с отверстием произвольной формы, повторяющей требуемое сечение выращиваемого кристалла 10, при этом поперечное сечение отверстия в крышке не превышает 1,5 мм, его длина составляет 0,1-1,0 мм, крышка 6 выполнена съемной с обеспечением возможности неоднократного монтажа-демонтажа, а тигель-нагреватель 5 снабжен электрическими подводами 7, 8, выполненными из тугоплавкого материала, например графита.

Способ (варианты) и устройство для производства кремниевых подложек // 2532197
Изобретение относится к технологии получения высокочистых длинномерных кремниевых подложек для производства солнечных батарей. Способ осуществляют в технологическом реакторе, содержащем подпитывающий кремний-сырец 1, формообразователь 4 с отверстием 5, индукционный нагреватель 3, обеспечивающий столб расплава 2 кремния над формообразователем 4, и кремневую затравку 6, подаваемую в отверстие формообразователя снизу, при этом в технологическом реакторе создают кислородсодержащую атмосферу.

Устройство для выращивания монокристаллических труб и способ их получения // 2531823
Изобретение относится к технологии выращивания труб из монокристаллов тугоплавких оксидов металлов и их твердых растворов: сапфира, алюмо-магниевой шпинели, алюмо-иттриевого граната, и может быть использовано в различных областях науки и техники, где требуются высокопрочные, инертные и термостойкие трубы.

Способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты) // 2507318
Изобретение относится к технологии получения высокочистых полупроводниковых материалов для электронной, электротехнической промышленности и солнечной энергетики. Один из вариантов получения кремниевых филаментов в виде прутков и/или подложек произвольного сечения из высокочистого кремния включает непрерывное литье кремния из расплава вниз на затравку через фильеру, расположенную между зоной расплава и индуктором в атмосфере кислорода, охлаждение получаемого филамента погружением в охлаждающую среду, при этом затравление осуществляют ниже плоскости фильеры, уровень охлаждающей среды устанавливают и поддерживают вблизи фронта кристаллизации, а фронт кристаллизации кремниевых прутков и/или подложек удерживают ниже плоскости фильеры на расстоянии от 0,5 до 20 мм.

Способ получения столбчатых монокристаллов кремния из песка и устройство для его осуществления // 2488650
Изобретение относится к области получения монокристаллов кремния. .

Реактор для получения стержней поликристаллического кремния // 2455401
Изобретение относится к устройствам для выращивания поликристаллического кремния, преимущественно, путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки (основы). .

Способ выращивания трубчатых кристаллов вольфрама и устройство для его реализации // 2358043
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла.

Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа чохральского и устройство для его осуществления // 2355831
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии выращивания профилированных монокристаллов кремния в виде полых тонкостенных цилиндров для изготовления эпитаксиальных цилиндрических (непланарных) структур мощных силовых полупроводниковых приборов.

Способ получения полых монокристаллов кремния // 2324017
Изобретение относится к области получения профилированных монокристаллов кремния, на основе которых могут изготавливаться полупроводниковые приборы нового поколения. .

Способ получения трубчатого кристалла карбида кремния // 2182607
Изобретение относится к технологии электронного приборостроения, а именно к способам размерного профилирования кристаллов карбида кремния, и может быть использовано в микросистемной технике, оптоэлектронике и т.п.

Устройство для выращивания кристаллов в виде стержней и трубок из расплава // 2178469
Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов вытягиванием их из расплава с вращением с применением формообразователей и может быть использовано для получения монокристаллических труб и стержней с периодически изменяющимся содержанием примеси по длине кристалла.

Способ изготовления субмикронных трубчатых металлических реплик с трековых мембран // 2156328
Изобретение относится к области микротехнологии, а именно к созданию способа получения монокристаллической структуры сложной геометрической формы, и может быть использовано в микромеханике и микроинженерии.
 
.
Наверх