Средства для подачи или выпуска газов и изменение потока газов (C30B31/16)
C Химия; металлургия(326262)
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);
(2110)
C30B31/16 Средства для подачи или выпуска газов; изменение потока газов(2)
Изобретение относится к способу управления концентрацией и однородностью распределения легирующей примеси в синтетическом CVD-алмазном материале, используемом в электронных устройствах и датчиках. Алмазный материал получают в микроволновом плазменном реакторе, содержащем плазменную камеру 102, в которой расположена(ы) одна или более подложек-областей поверхности роста 105, поверх которой(ых) осаждается алмазный материал, систему газового потока 112 для подачи технологических газов в плазменную камеру 102, систему 122 удаления их оттуда.
Изобретение относится к устройствам для подачи газа в камеру термического окисления и может быть использовано в электронной и полупроводниковой промышленности. .
