В газовой среде или плазме (C30B33/12)

Отслеживание патентов класса C30B33/12
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2044)
C30B33        Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B31 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D5) (299)
C30B33/12                     В газовой среде или плазме(9)
Способ получения отверстий в монокристаллических пластинах кремния // 2569551
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области создания микроструктурных элементов электронных устройств.

Способ травления оксидных нелинейных диэлектрических и оптических монокристаллов // 2558898
Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к области изучения структуры оксидных нелинейных диэлектрических и оптических монокристаллов и материалов на их основе различной формы и состава в широком диапазоне линейных размеров и выявления дефектов методом травления.

Монокристаллический алмаз, полученный методом химического осаждения из газовой фазы, и способ его получения // 2288302
Изобретение относится к технологии получения алмаза для использования в электронике. .

Способ изготовления дифракционных оптических элементов на алмазных и алмазоподобных подложках // 2197006
Изобретение относится к оптическому приборостроению и предназначено для создания сложных дифракционных оптических элементов (ДОЭ) - киноформов, фокусаторов, корректоров и т.

Способ сухого травления ниобата лития // 1638222
Изобретение относится к области электроники, в частности к методам изготовления приборов на твердом теле с использованием ниобата лития.
 
2548172.
Наверх