В газовой среде или плазме (C30B33/12)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(2110)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)

C30B33 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B31 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D5) (308)

C30B33/12 В газовой среде или плазме(9)

Способ получения отверстий в монокристаллических пластинах кремния // 2569551

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области создания микроструктурных элементов электронных устройств. Способ получения отверстий в монокристаллических пластинах кремния включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность мелкодисперсных металлических частиц катализатора с последующим покрытием их тонкой пленкой тетрабората натрия (безводного), помещение пластины в радиационную печь, ее нагрев, создание в пластине поперечного, направленного от лицевой к тыльной стороне пластины градиента температуры в диапазоне от 10 до 100 К/см, создание недосыщения атомарного кремния в газовой фазе за счет подачи в нее тетрахлорида кремния и химическое газофазное травление пластины по схеме кристалл→жидкая капля→пар.

Способ травления оксидных нелинейных диэлектрических и оптических монокристаллов // 2558898

Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к области изучения структуры оксидных нелинейных диэлектрических и оптических монокристаллов и материалов на их основе различной формы и состава в широком диапазоне линейных размеров и выявления дефектов методом травления.

Способ очистки крупных кристаллов природных алмазов // 2447203

Способ очистки алмазов // 2367601

Монокристаллический алмаз, полученный методом химического осаждения из газовой фазы, и способ его получения // 2288302

Изобретение относится к технологии получения алмаза для использования в электронике. .

Монокристаллический алмазный слой большой толщины, способ его получения и драгоценные камни, изготавливаемые из этого слоя // 2287028

Изобретение относится к технологии получения алмазных слоев. .

Способ изготовления дифракционных оптических элементов на алмазных и алмазоподобных подложках // 2197006

Изобретение относится к оптическому приборостроению и предназначено для создания сложных дифракционных оптических элементов (ДОЭ) - киноформов, фокусаторов, корректоров и т. .

Способ очистки внутренней поверхности кварцевых изделий // 2061804

Способ сухого травления ниобата лития // 1638222

Изобретение относится к области электроники, в частности к методам изготовления приборов на твердом теле с использованием ниобата лития. .