Изобретение относится к фотографии, в частности к составу для ретуширования фотошаблонов, применяемых при изготовлении гибридных интегральных схем с размерами элементов 50 мкм и более, и для печатных плат.
Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество восстановленных фотошаблонов, Облучсчют дефектное место фотошаблона сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя и со стороны основания а Осаждают продукт фоторазложения со стороны основания фотошаблона до уменьшения мощности лазерного излучения на 70- 85%, а со стороны маскирующего слоя - до получения оптически плотного слоя Показателем качества ремонта дефектов является интегральная оптическая плотность дефектного места после осаждения , определяемая фотометрированием.