Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления резисторов (H01C17)
H01C17 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления резисторов (для заполнения корпусов или оболочек H01C1/02; уменьшение изоляции вокруг резистора путем заполнения порошком H01C1/03; изготовление терморегулируемых резисторов H01C7/02, H01C7/04)(830)
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления тонкопленочных платиновых терморезисторов на диэлектрических подложках и устройству тонкопленочного терморезистора, которые могут быть использованы при изготовлении дискретных измерителей уровня температуры.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления пиротехнического резистора, который может быть использован в средствах воспламенения. Оптимизация технологии производства, улучшение повторяемости характеристик и повышение надежности пиротехнических резисторов является техническим результатом изобретения, который достигается за счет того, что способ включает формирование резистивной активной области и планарных контактов в едином технологическом цикле с использованием одного материала – титана или алюмотитанового сплава по технологии производства тонкопленочных чип-резисторов методом нанесения в вакууме на диэлектрическую подложку резистивных и контактных материалов.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способу получения толстопленочных высокотемпературных постоянных резисторов, в том числе, в составе гибридных интегральных схем, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, в том числе в составе гибридных интегральных схем, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу получения толстопленочных резисторов и может быть использовано в производстве постоянных резисторов для гибридных интегральных схем. Повышение термического коэффициента сопротивления за счет улучшения однородности формируемых резистивных слоев является техническим результатом изобретения, который достигается за счет того, что вжигание высокотемпературной резистивной пасты проводят при температуре 650-700°С при воздействии ультразвуком частотой 60-65 КГц и амплитудой 1-1,2 мкм в течение 15±3 минут, а затем при температуре 840-850°С в течение 15±3 минут при воздействии электромагнитным полем частотой 60-65 МГц.
Изобретение относится к свечам зажигания. Техническим результатом является предложить свечу зажигания с улучшенным резистивным элементом, обладающим высокой электрической стабильностью.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, в том числе, в составе гибридных интегральных схем и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.
Изобретение относится к электронной технике, и именно к производству толстопленочных структур на основе моносульфида самария, которые могут быть использованы в производстве теплоэлектрогенераторов (ТЭГ).
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к средствам измерения, в которых применяют тонкопленочные тензорезисторы на металлической подложке. Способ изготовления тонкопленочной нано- и микроразмерной системы датчика физических величин с заданным положительным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) резистивных элементов заключается в том, что на планарной стороне твердотельной подложки методами вакуумного распыления образуют гетерогенную структуру из нано- и микроразмерных пленок материалов, содержащую тонкопленочные диэлектрические, резистивные и контактные слои, после чего с использованием фотолитографии и травления формируют резистивные элементы (тензорезисторы, терморезисторы), контактные проводники и контактные площадки к ним.
Изобретение относится к приборостроению, а именно к тонкопленочным платиновым терморезисторам на стеклянных подложках и способам их изготовления. Терморезисторы предназначены для дискретных измерителей уровня и могут быть использованы для контроля уровня и массового расхода компонентов топлива.
Изобретение относится к приборостроению - изготовлению тонкопленочных терморезисторов, предназначенных для дискретного контроля уровня и измерения массового расхода компонентов топлива. Тонкопленочный титановый терморезистор на гибкой полиамидной подложке прямоугольной формы, в центре которой размещен пленочный резистор в форме меандра, на краях короткой стороны расположены контактные площадки в виде клиньев.
Устройство для подгонки толстопленочных резисторов относится к области микроминиатюризации и технологии радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано для изготовления высокоточных и прецизионных пленочных резисторов.
Изобретение относится к технологии изготовления резисторов, в частности к стабилизации резисторов, и может быть использовано при производстве металлопленочных тензорезисторных датчиков давления, силы, деформации и гибридных интегральных схем в радиотехнической и приборостроительной промышленности.
Изобретение относится к электрорадиотехнике, в частности к технологии изготовления прецизионных фольговых резисторов, и может быть использовано при изготовлении резисторов широкого применения. Фольговый резистор включает в себя диэлектрическую подложку, приклеенную на нее резистивную фольгу, электрические выводы, пластмассовый корпус и буферный слой между фольгой и внутренней поверхностью корпуса, при этом в качестве материала подложки используется высокотеплопроводная керамика, а буферный слой выполнен в виде воздушного зазора, либо в виде слоя эластичного герметика.
Изобретение относится к способу изготовления тонкопленочного резистора, в котором перед напылением резистивного слоя и формированием контактных площадок предварительно на диэлектрическую подложку наносят дополнительный слой (пленку) из полупроводникового материала на основе окислов переходных металлов, где величина удельного поверхностного сопротивления дополнительного слоя определяется по критерию минимизации ТКС двухслойной структуры с одной стороны и обеспечения эффективной защиты от локальных тепловых неоднородностей с другой стороны, позволяет улучшить эксплуатационные характеристики тонкопленочных резисторов по нагрузочной способности, температурной стабильности, ТКС, надежности.
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано для получения тонкопленочных резисторов на основе тантала и его соединений. Технический результат - получение заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений без подтравливания по ширине резистора.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип-резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати.
Изобретение относится к способу изготовления пасты для толстопленочного резистора. Порошки молибдена, тантала, магния и кремния смешивают, прессуют в штабик и помещают в герметичный реактор.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу изготовления электрически изолированных резисторов микросхем на арсениде галлия с высокой термостабильностью. Технический результат заключается в увеличении термостабильности и повышении пробивного напряжения изолирующих слоев микросхем на арсениде галлия.
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных чип резистивных высокочастотных (ВЧ) аттенюаторов. Техническим результатом является снижение времени напыления пленок и трудоемкости процесса.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству низкоомных чип-резисторов, которые могут быть использованы в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в частности для применения в качестве датчиков тока.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству низкоомных чип-резисторов, которые могут быть использованы в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в частности для применения в качестве датчиков тока.
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при изготовлении ЧИП резистивных высокочастотных (ВЧ) аттенюаторов. Техническим результатом является увеличение рассеиваемой мощности и упрощение технологии изготовления резистивного ВЧ-аттенюатора.
Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к тонкопленочной технологии. Сущность способа изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке заключается в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку шлифуют, располагают ее в импланторе, направляют сфокусированный поток ионов на подложку и рисуют им резистор.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления тонкопленочных чип-резисторов, резистивных матриц, а также гибридных интегральных схем с резисторами в производстве радиоэлектронной аппаратуры различного назначения.
Изобретение относится к области изготовления тонкопленочных материалов и может быть использовано для создания полупроводниковых приборов, в частности тепловых приемников. Способ включает термовакуумное напыление ванадия на подложку при комнатной температуре с последующим окислением на воздухе до образования оксидной пленки.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологическим процессам изготовления толстопленочных резисторов, и может быть использовано при корректировке сопротивления резистора до необходимого номинала или получения нестандартного значения сопротивления без разрушения резистивного слоя, а также при корректировке функциональной характеристики резистивной пленки.
Изобретение относится к синтезу островковых металлических катализаторов и углеродных нанообъектов и может быть использовано в промышленности для производства нанообъектов и наноструктурированных пленок.
Изобретение относится к области машиностроения, а более конкретно к приводам машин с вращающимся рабочим органом. Импульсный вращатель привода рабочего органа машины на выходе имеет два вала: один вал совершает равномерное вращение, второй вал вращается синхронно с первым и на него наложены крутильные колебания.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных, высокочастотных цепях.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных высокочастотных цепях.
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к средствам измерения, в конструкции которых применен тензорезистивный элемент на металлической подложке, изготовленный с использованием тонкопленочной технологии.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления тонкопленочных нано- и микроразмерных систем датчиков различных физических величин, предназначенных для прецизионных измерений.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности. В способе изготовления толстопленочных резисторов, включающем последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующими сушкой и вжиганием в воздушной атмосфере, на резистивный слой дополнительно наносят основной защитный слой методом трафаретной печати с последующим вжиганием, затем после лазерной подгонки сопротивления резисторов наносят дополнительный защитный слой методом трафаретной печати, затем формируют охватывающие контакты посредством напыления слоя никеля с подслоем титана с последующим горячим лужением припоем.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности. В способе изготовления чип-резисторов, включающем формирование резистивного слоя путем напыления с последующей фотолитографией, формирование планарных контактов на лицевой стороне подложки, лазерную подгонку, формирование защитного слоя, разделение подложки на полосы, формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии, нанесение припоя, разделение полос на чипы, планарные контакты на лицевой стороне подложки формируют по тонкопленочной технологии, а планарные контакты на тыльной стороне подложки формируют одновременно с торцевыми контактами, дополнительно введены операции термообработки, термотренировки, подгонки в чипах, импульсной тренировки и термоэлектротренировки, при этом термообработку осуществляют после формирования резистивного слоя, термотренировку, подгонку в чипах, импульсную тренировку, формирование защитного слоя и термоэлектротренировку проводят после разделения на чипы.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности. В способе изготовления толстопленочных резисторов, включающем последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующими сушкой и вжиганием в воздушной атмосфере, на резистивный слой дополнительно наносят слой высокотемпературной защитной пасты методом трафаретной печати с последующим вжиганием, затем после лазерной подгонки сопротивления резисторов наносят дополнительный защитный слой методом трафаретной печати, затем формируют охватывающие контакты посредством нанесения низкотемпературной проводниковой пасты с последующей сушкой и гальваническим осаждением слоев никеля и припоя.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности. В способе изготовления чип-резисторов, включающем формирование резистивного слоя путем напыления с последующей фотолитографией, формирование планарных контактов на лицевой стороне подложки, лазерную подгонку, формирование защитного слоя, разделение подложки на полосы, формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии, нанесение припоя, разделение полос на чипы, планарные контакты на лицевой стороне подложки формируют по тонкопленочной технологии с использованием фотолитографии, а планарные контакты на тыльной стороне подложки формируют одновременно с торцевыми контактами, дополнительно введены операции термообработки, термотренировки и импульсной тренировки, при этом термообработку осуществляют после формирования резистивного слоя, термотренировку и импульсную тренировку проводят после разделения полос на чипы, а также повышение технологичности.
Изобретение относится к изготовлению прецизионных пленочных резисторов. Устройство содержит источник опорного напряжения (1), устройство сравнения (2), измеритель сопротивления (3), аналого-цифровой преобразователь (АЦП) (4), мультивибратор (5), регистр сдвига (6), первую группу элементов И (7-1…7-n), блока хранения данных (8), вторую группу элементов И (9-1…9-n), цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) (10), генератор факельного разряда (11), рабочий электрод (12), подгоняемый резистор (13), подложкодержатель (14), элемент ИЛИ (15).
Изобретение относится к устройству для лазерной подгонки резисторов, преимущественно выполненных по тонкопленочной или толстопленочной технологии на подложках из поликора, ситалла и керамики. Устройство содержит рабочий стол, лазерный излучатель (2) с оптической и прецизионной XY кинематической системами, размещенные на XY координатных столах (5, 6) с Z-микролифтом зонды (7, 8), цифровую измерительную систему (9) с блоками (10, 11) позиционирования и установки зондов на контактные площадки, блок (12) позиционирования пятна и задания зоны и траектории реза лазерного излучателя.
Изобретение относится к способу получения покрытий. Защитное лакокрасочное покрытие способно формировать бездефектную твердую пленку и может быть использовано для окраски электрорадиоизделий, в том числе резисторов цилиндрической формы с аксиальными выводами.
Способ изготовления резистора включает намотку резистивной проволоки на цилиндрический каркас двумя секциями различных типов проволоки, которые электрически соединяют металлическим хомутом. Место их соединения разделяет каркас в отношении, близком по предполагаемому отношению температурных коэффициентов сопротивления (ТКС) материалов проволоки секций, полученных по температурным характеристикам отжига.
Предлагаемое изобретение относится к электронной технике, в частности к технологическим процессам изготовления пленочных резисторов. Способ изготовления толстопленочных резистивных элементов включает последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующим вжиганием его в воздушной атмосфере.
Изобретение относится к способу окраски и сушки электрорадиоизделий, в том числе резисторов цилиндрической формы с аксиальными выводами, с получением защитного лакокрасочного покрытия. Предлагаемый способ заключается в том, что для окрашивания изделий готовят эпоксидную эмаль ЭПИМАЛЬ®-9114 введением в нее 30%-ного раствора 2-метилимидазола в диэтиленгликоле в количестве 0,5-1,0% от массы эмали.
Изобретение относится к области тонкопленочной микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении резистивных микросборок, а также мощных резистивных ВЧ аттенюаторов, содержащих низкоомные и высокоомные резисторы.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности при изготовлении прецизионных чип-резисторов.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в экспериментальной механике для точного измерения веса, вибраций, сил. .
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано преимущественно при изготовлении непроволочных цилиндрических резисторов на операции лужения никелированных медных выводов. .
Изобретение относится к области электротехники, в частности к изготовлению непроволочных цилиндрических резисторов с аксиальными выводами, которые перед использованием окрашивают эпоксидной эмалью и сушат.