Предназначенные для нанесения резистивного материала на основание (H01C17/06)

Способ изготовления тонкопленочных платиновых терморезисторов на диэлектрической подложке и устройство терморезистора (варианты) // 2791082
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления тонкопленочных платиновых терморезисторов на диэлектрических подложках и устройству тонкопленочного терморезистора, которые могут быть использованы при изготовлении дискретных измерителей уровня температуры.

Способ получения толстоплёночных резисторов // 2776657
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способу получения толстопленочных высокотемпературных постоянных резисторов, в том числе, в составе гибридных интегральных схем, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.

Способ получения толстоплёночных резисторов // 2770908
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, в том числе в составе гибридных интегральных схем, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.

Способ получения толстоплёночных резисторов // 2770906
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу получения толстопленочных резисторов и может быть использовано в производстве постоянных резисторов для гибридных интегральных схем. Повышение термического коэффициента сопротивления за счет улучшения однородности формируемых резистивных слоев является техническим результатом изобретения, который достигается за счет того, что вжигание высокотемпературной резистивной пасты проводят при температуре 650-700°С при воздействии ультразвуком частотой 60-65 КГц и амплитудой 1-1,2 мкм в течение 15±3 минут, а затем при температуре 840-850°С в течение 15±3 минут при воздействии электромагнитным полем частотой 60-65 МГц.

Резистивный элемент свечи зажигания с непроводящими частицами меньшего размера // 2769270
Изобретение относится к свечам зажигания. Техническим результатом является предложить свечу зажигания с улучшенным резистивным элементом, обладающим высокой электрической стабильностью.

Способ получения толстоплёночных структур для теплоэлектрических генераторов // 2755344
Изобретение относится к электронной технике, и именно к производству толстопленочных структур на основе моносульфида самария, которые могут быть использованы в производстве теплоэлектрогенераторов (ТЭГ).

Способ изготовления многослойной тонкопленочной гетероструктуры с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления // 2750503
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к средствам измерения, в которых применяют тонкопленочные тензорезисторы на металлической подложке. Способ изготовления тонкопленочной нано- и микроразмерной системы датчика физических величин с заданным положительным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) резистивных элементов заключается в том, что на планарной стороне твердотельной подложки методами вакуумного распыления образуют гетерогенную структуру из нано- и микроразмерных пленок материалов, содержащую тонкопленочные диэлектрические, резистивные и контактные слои, после чего с использованием фотолитографии и травления формируют резистивные элементы (тензорезисторы, терморезисторы), контактные проводники и контактные площадки к ним.

Тонкопленочный платиновый терморезистор на стеклянной подложке и способ его изготовления // 2736630
Изобретение относится к приборостроению, а именно к тонкопленочным платиновым терморезисторам на стеклянных подложках и способам их изготовления. Терморезисторы предназначены для дискретных измерителей уровня и могут быть использованы для контроля уровня и массового расхода компонентов топлива.

Тонкопленочный титановый терморезистор на гибкой полиимидной подложке и способ его изготовления // 2736233
Изобретение относится к приборостроению - изготовлению тонкопленочных терморезисторов, предназначенных для дискретного контроля уровня и измерения массового расхода компонентов топлива. Тонкопленочный титановый терморезистор на гибкой полиамидной подложке прямоугольной формы, в центре которой размещен пленочный резистор в форме меандра, на краях короткой стороны расположены контактные площадки в виде клиньев.

Способ изготовления тонкопленочного чип резистивного высокочастотного аттенюатора // 2645810
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных чип резистивных высокочастотных (ВЧ) аттенюаторов. Техническим результатом является снижение времени напыления пленок и трудоемкости процесса.

Способ изготовления нано- и микроразмерной системы датчика физических величин с заданным положительным температурным коэффициентом сопротивления резистивных элементов // 2554083
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления тонкопленочных нано- и микроразмерных систем датчиков различных физических величин, предназначенных для прецизионных измерений.

Способ изготовления чип-резисторов // 2552630
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности. В способе изготовления чип-резисторов, включающем формирование резистивного слоя путем напыления с последующей фотолитографией, формирование планарных контактов на лицевой стороне подложки, лазерную подгонку, формирование защитного слоя, разделение подложки на полосы, формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии, нанесение припоя, разделение полос на чипы, планарные контакты на лицевой стороне подложки формируют по тонкопленочной технологии, а планарные контакты на тыльной стороне подложки формируют одновременно с торцевыми контактами, дополнительно введены операции термообработки, термотренировки, подгонки в чипах, импульсной тренировки и термоэлектротренировки, при этом термообработку осуществляют после формирования резистивного слоя, термотренировку, подгонку в чипах, импульсную тренировку, формирование защитного слоя и термоэлектротренировку проводят после разделения на чипы.

Способ изготовления толстопленочных резистивных элементов // 2497217
Предлагаемое изобретение относится к электронной технике, в частности к технологическим процессам изготовления пленочных резисторов. Способ изготовления толстопленочных резистивных элементов включает последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующим вжиганием его в воздушной атмосфере.

Способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии // 2402088
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности при изготовлении прецизионных чип-резисторов.

Способ изготовления пленочных резисторов // 2183876
Изобретение относится к технологии электронной техники и может быть использовано при изготовлении электрорадиоизделий, входящих в состав устройств приема, передачи и обработки сигналов, а также датчиков параметров внешней среды.

Способ изготовления пленочных резисторов // 2109360
Изобретение относится к области микроэлектроники. .

Способ изготовления толстопленочных резисторов // 2086027
Изобретение относится к способам изготовления толстопленочных резисторов, не содержащих драгоценных металлов, путем восстановления в локальном объеме и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.

Способ изготовления резистивного материала // 2079209
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для изготовления полимерных нагревательных элементов. .

Способ изготовления пленочных резисторов // 2046419
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении радиодеталей с пленочными резистивными элементами, входящими в состав электронных приемопередающих устройств, систем обработки сигналов и датчиком параметров внешней среды.

Устройство для трафаретной печати // 1322382
Изобретение относится к производству элсктрорадиозлементов н может быть использооано длп нанесения отпечатков на заготовки резисторов. .
 
.
Наверх