Диэлектрики из оксида металла (H01G4/10)
H01G4/10 Диэлектрики из оксида металла(26)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в системах, генерирующих или накапливающих электрическую энергию (конденсаторы, суперконденсаторы, источники тока). Техническим результатом изобретения является повышение удельной электрической ёмкости электрода, сохраняющейся при многократном зарядно-разрядном циклировании, и, как следствие, увеличение удельной энергии, запасаемой электродом при его включении в электрическую схему в составе накопителя электрической энергии.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу получения покрытий из диоксида марганца на танталовых анодах оксидно-полупроводниковых конденсаторов, и может быть использовано при производстве электролитических конденсаторов.

Твердотельный конденсатор с диэлектрическим слоем, выполненным из нанопорошка диэлектрика, относится к области твердотельной нано- и микроэлектроники, в частности, суперконденсаторам или ионисторам. Твердотельный конденсатор-ионистор содержит два электрода из пористого углерода и размещенный между ними слой диэлектрического материала из многокомпонентного оксида в виде компакта.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к технологии нанесения покрытия из диоксида марганца на оксидированные объемно-пористые аноды вентильного металла, например тантала, ниобия. Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора заключается в нанесении многослойного катодного покрытия из диоксида марганца на оксидированный объемно-пористый анод из вентильного металла и включает в себя многократные циклы пропитки-пиролиза анодов с использованием пропитывающего водного раствора с возрастающей от цикла к циклу концентрацией нитрата марганца с добавкой азотной кислоты в качестве активного негалогенированного окисляющего реагента в количестве, обеспечивающем в пропитывающем растворе величину рН 1, не более, и водяного пара во время пиролиза, а также в подформовке анодов после получения каждого слоя диоксида марганца и финишной обработке сформированного многослойного покрытия из диоксида марганца парами азотной кислоты при повышенной температуре 55-70°С в течение не менее 1 минуты.

Изобретение относится к производству ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов, в частности повышенного рабочего напряжения. .

Изобретение относится к способам изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов. .

Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к электронакопительным устройствам. .

Изобретение относится к технологии электронной техники и может быть использовано в производстве тонкопленочных гибридных интегральных схем при изготовлении тонкопленочных конденсаторов . .

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании просветляющих, изолирующих и полупроводниковых структур на основе высших оксидов металлов. .